EPC introduces 100 V, 3.8 milliohm EPC2053 eGaN^® FET, joining the EPC2045, EPC2052, and EPC2051 to offer a comprehensive 100 V family of GaN transistors that are more efficient, smaller, and lower cost for high performance 48 V DC-DC conversion.

EL SEGUNDO, Calif. — April 2019 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power FETs and ICs advances the performance capability while lowering the cost of off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of the EPC2053 (3.8 mΩ, 100 V) eGaN FET.

專為功率系統設計師而設的EPC2052功率電晶體是一種100 V、13.5 mΩ並採用超小型晶片級封裝的電晶體，可實現74 A脈衝輸出電流。面向48 V-12 V DC/DC功率轉換器，這些新一代氮化鎵場效應電晶體工作在500 kHz頻率下，可實現超過97%的效率。如果工作在1 MHz時，則實現超過96%的效率。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出100 V的EPC2052氮化鎵場效應電晶體，其占板面積只是2.25平方毫米、最大導通阻抗(R_DS(on))為13.5 mΩ及脈衝輸出電流高達74 A 以支援高效功率轉換。

宜普電源轉換公司（EPC）進一步擴大車規級氮化鎵產品系列 -- 再多兩個產品成功通過國際汽車電子協會所制定的AEC Q101離散式元件應力測試認證。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈再多兩個車用氮化鎵(eGaN)元件成功通過AEC Q101測試認證，可在車用及其他嚴峻環境支持多種全新應用。EPC2206及EPC2212是採用晶圓級晶片規模封裝（WLCS） 、分別是80 V_DS 和100 V_DS的離散電晶體。

With the power architecture transition from a 12 V to a 48 V bus power distribution in modern data centers, there is an increased demand to improve 48 V power conversion efficiency and power density. In this context, DC-DC converters designed using eGaN^® FETs and ICs provide a high efficiency and high power density solution. Additionally, with the advent of 48 V power systems in mild-hybrid, hybrid and plug-in hybrid electric vehicles, GaN transistors can provide a reduction in size, weight, and Bill of Materials (BOM) cost.

Power Systems Design
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在48 V匯流排架構出現後，我們可採用全新、基於氮化鎵（GaN）電晶體的混合式轉換器，以實現超過95%峰值效率及225 W/in³ 功率密度。對於節能的數據中心來說，輕負載效率非常重要。基於氮化鎵電晶體的轉換器在轉換至20%負載時，可保持高於90%的效率。

PowerPulse
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As GaN-on-Si becomes more common in DC-DC converter designs, questions often arise from experienced designers about the impact of the unique characteristics of GaN transistors when used as synchronous rectifiers (SRs). In particular, the third quadrant off-state characteristics, better known as “body diode” conduction in Si MOSFETs, which is activated during converter dead-time, is of interest. For this article, the focus will be on the similarities and differences of Si MOSFETs and eGaN^® FETs when operated as a “body diode” and outline their relative advantages and disadvantages.

Bodo’s Power Systems
By David Reusch & John Glaser
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宜普電源轉換公司（EPC）的兩個車用氮化鎵電晶體成功通過了國際汽車電子協會所制定的AEC Q101離散元件可靠度驗證測試

宜普電源轉換公司宣佈其兩個車用氮化鎵(eGaN^®)元件成功通過AEC Q101測試認證，可在車用及其他嚴峻環境實現多種全新應用。EPC2202及EPC2203是採用晶圓級晶片尺寸封裝、80 V_DS 的離散電晶體。面向嚴峻的車用環境的多個離散電晶體及積體電路也將在不久的未來推出。

Efficient Power Conversion’s EPC9204 and EPC9205 power modules demonstrate the efficiency enhancements and significant size reduction achieved in DC-DC power conversion using high frequency switching eGaN^® power transistors and integrated circuits.

EL SEGUNDO, Calif.— March 2018 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) introduces two new GaN power modules for DC-DC conversion, increasing efficiency across the 48 V to point-of-load power architecture. The EPC9205 is a high-power density PCB-based power module for 48 V – 12 V conversions while the EPC9204 address the 20 V – point-of-load conversion with an ultra-thin profile PCB-based power module.

宜普公司的EPC9130五相開發板展示出採用高頻開關eGaN^®功率電晶體、極小型化及增強了效率的電源轉換方案。

宜普電源轉換公司(EPC)的EPC9130開發板是一款48 V轉換至12 V的非隔離穩壓式開發板、具用五個相位、每相具12 A、最大輸出電流為60安培，開發板的輸出功率可以超過700 W。該板具超高功率密度（每立方英寸大於1250 W），其效率高於96%。

SL70040SEH Low Side GaN FET Driver Powers ISL7002xSEH GaN FETs in Launch Vehicle and Satellite Power Supplies

TOKYO--(BUSINESS WIRE)--Renesas Electronics Corporation (TSE:6723), a premier supplier of advanced semiconductor solutions, today announced the space industry’s first radiation-hardened, low side Gallium Nitride (GaN) field effect transistor (FET) driver and GaN FETs that enable primary and secondary DC/DC converter power supplies in launch vehicles and satellites, as well as downhole drilling and high reliability industrial applications. These devices power ferrite switch drivers, motor control driver circuits, heater control modules, embedded command modules, 100V and 28V power conditioning, and redundancy switching systems.

Business Wire
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具備卓越性能的氮化鎵場效應電晶體（eGaN^®FET），例如低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及小型化，成為高度共振式並與AirFuel^™標準相容的無線充電系統的理想元件，可提高效率。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出與AirFuel聯盟第四級別（Class 4）規格相容的無線充電套件（EPC9120）。該系統可對應用提供高達33 W功率而同時工作在6.78 MHz頻率（最低ISM頻段），旨在於高效無線充電應用中，簡化對所採用的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）進行評估。EPC9120採用具備高頻開關性能的EPC氮化鎵電晶體，使得無線充電系統可以在不同的工作條件下，實現80%至90%的效率。

During last week's PCIM Europe event in Nuremberg, Germany, direct 48V-to-1V power conversion architectures were a significant topic. “The use of GaN switches in 48V-to-1V direct dc-dc converters can improve system performance by 30%, compared with today’s best silicon-based designs,” commented Alex Lidow, CEO of Efficient Power Conversion.

PowerPulse
May 31, 2017
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氮化鎵積體電路：提高伺服器的功效 --不論是大、小規模的數據中心都要面對減低功耗、冷卻及佔用空間等問題，而這些問題也是在伺服器內所面臨及需要解決的問題。有的時候，細微的改變也可帶來重大的效益。

TechBeacon
2016年8月2日
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宜普電源轉換公司將於國際著名2016年APEC^®功率電子與應用研討會展示面向廣闊應用領域並基於卓越氮化鎵技術的20多種演示電路。氮化鎵技術切實改變了我們的生活方式。我們的技術專家將以最新技術為主題，舉行合共六場演講。

宜普電源轉換公司的團隊將於2016年3月20日至24日在美國加州Long Beach舉行的2016年APEC研討會，舉行以氮化鎵（GaN）技術及應用為主題的六場演講。此外，EPC將展示最新的eGaN^® FET及積體電路，以及分享客戶的基於eGaN技術的最終產品。 在探究各個應用領域的發展之同時，即場演示包括與Qi及AirFuel標準相容並支援多模式解決方案的無線電源系統、單級48 V轉1 V DC/DC轉換器、利用LiDAR技術製作即時3D圖像的照相機及與LTE相容的波峰追蹤電源。歡迎蒞臨我們的展位（#2244）參觀。

DC-DC “brick” converters are familiar to many engineers, and have wide usage in telecommunications, networking, data centers, and many other applications. This is due in large part to adoption of a common footprint defined by the Distributed-power Open Standards Alliance (DOSA) and generally accepted input/output voltage ranges. These converters provide isolation and voltage step-down, and have become increasingly sophisticated, with features that enable advanced system optimization and control.

EDN Network
November 23, 2015
By: John Glaser
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宜普公司的《DC/DC轉換手册》與工程師分享如何在數據通訊設備及其他功率轉換應用中利用氮化鎵（GaN）功率電晶體提高效率及功率密度。

現今世界對訊息的需求史無前例地快速增長，而社會對通訊、計算及下載技術的渴求進一步驅使我們對訊息的需求量上升。新興技術諸如雲端運算及物聯網的出現，加上全球每分鐘估計有高達300小時的錄像被上載至YouTube平臺，可見要求更多、更快速的信息存取的趨勢不會慢下來。這個挑戰推動了我們編撰這本實用工程知識手册--《DC/DC轉換 -《氮化鎵電晶體—高效功率轉換元件》的增刊 》。

本書闡述功率轉換系統如何持續改善，從而跟上正在快速提升的運算能力的發展步伐，以及應對社會對高效數據中心的需求。此外，本書的焦點是如何發揮高效氮化鎵技術並逐步分析如何利用氮化鎵元件設計出高效的功率轉換解決方案。該分析對用於功率轉換系統中的傳統先進矽功率電晶體和氮化鎵電晶體進行比較。

EPC9115 DC/DC總綫轉換器展示出配備專有驅動器的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）在一個傳統、已調節型的隔離式1/8磚式DC/DC轉換器的拓撲可以發揮的優越性能。

宜普電源轉換公司推出EPC9115演示板，可支援48 V至60 V輸入電壓範圍並轉至12 V、 具備42 A輸出電流。它採用EPC2020(60 V) 及EPC2021(80 V)增強型氮化鎵（eGaN®)功率電晶體、德州儀器公司的LM5113半橋驅動器及UCC27611低側驅動器。功率級使用傳統的硬開關及300 kHz開關頻率的隔離式降壓轉換器。

This column evaluated the ability to parallel eGaN^® FETs for higher output current applications by addressing the challenges facing paralleling high speed, low parasitic devices, and demonstrated an improved paralleling technique. For experimental verification of this design method, four parallel half bridges in an optimized layout were operated as a 48 V to 12 V, 480 W, 300 kHz, 40 A buck converter, and achieved efficiencies above 96.5%, from 35% to 100% load. The design method achieved superior electrical and thermal performance compared to conventional paralleling methods and demonstrated that high speed GaN devices can be effectively paralleled for higher current operation.

EEWeb
By: Alex Lidow
April, 2014

Yole Développement市場研究公司將於本星期發表關於“矽襯底氮化鎵基技術及LED與功率電子市場”研究報告。分析員相信功率電子應用將普遍採納矽基氮化鎵技術。功率電子市場所涵蓋的應用包括交流-直流或直流-交流電源轉換，這些應用皆面對很大的電源損耗並隨著更高功率及更高工作頻率而增加。由於目前的矽基技術已接近其極限，因此很困難達到業界所需的更高要求。

詳情請訪問 http://powerelectronicsworld.net/article/0/79693-yole-power-to-dominate-gan-on-silicon-market.html。

作者：宜普公司產品應用副總裁Johan Strydom博士
日期：在2012年6月1日刊載於Bodo’s Power Systems雜誌

本論文主要在討論氮化鎵電晶體如宜普電源轉換公司的eGaN® FET可以提高隔離型八分之一磚式直流-直流轉換器的效率。這種電源轉換器普遍使用於大型電腦的主機、伺服器及通信系統，並具備不同的尺寸、輸出功率性能、輸入及輸出電壓範圍可供設計工程師考慮。它的模組性、功率密度、可靠性及多功能的特性有助隔離型電源產品的設計。

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