我們討論無線充電的發展已經有相當的一段時間，無線充電不是一個全新的議題。可惜的是，該技術一直以來仍然未被消費者廣泛地採納。可是，傳輸線圈的設計最近採用了創新的方法，使得無線充電技術做好準備，可以被廣泛應用於不同的領域。

How2Power
2017年5月
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氮化鎵（GaN）功率電晶體專為高效電源轉換而設計，投產已經有7年了。由於氮化鎵元件具備優越的開關速度，因此它推動了新興市場的發展，例如雷射雷達、波峰追蹤及無線充電市場。 這些市場使得氮化鎵產品得以大量投產、實現低生產成本及高可靠性。 這些優勢對於就算是比較保守的設計工程師來說，都是十分吸引的，使得他們在諸如DC/DC轉換器、AC/DC轉換器及汽車應用中，開始了對氮化鎵元件進行評估。那麼，目前120億美元的矽基功率MOSFET市場在轉為氮化鎵電晶體市場的過程中，還有什麼阻力嗎？信心。

Alex Lidow
2017年3月
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參看EPC公司於APEC 2017展出基於氮化鎵技術的各種應用。

EDN Network
2017年4月3日
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於2017年APEC研討會上，宜普電源轉換公司（EPC）展示出採用氮化鎵(eGaN)技術的各種應用以證明它即將改變我們的生活方式。

Electronics360
2017年3月29日
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為了進一步擴大eGaN FET及IC的應用範圍、加大研發力度及幫助客戶使用eGaN^®FET及IC並對元件進行評估，宜普公司宣佈Blacksburg應用中心落成啟用及聘任Suvankar Biswas博士為高級應用工程師。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈位於美國維吉尼亞州(Virginia)的Blacksburg應用中心落成。該中心進一步支持增強型氮化鎵電晶體及積體電路的研發及應用，從而擴大潛在市場的覆蓋率。除了基於傳統的場效應電晶體及積體電路的功率轉換應用外，氮化鎵技術推動新興應用的出現，包括無線電源傳輸、應用於全自動駕駛車的雷射雷達技術及支援4G和5G通訊標準的 波峰追蹤應用。

氮化鎵積體電路：提高伺服器的功效 --不論是大、小規模的數據中心都要面對減低功耗、冷卻及佔用空間等問題，而這些問題也是在伺服器內所面臨及需要解決的問題。有的時候，細微的改變也可帶來重大的效益。

TechBeacon
2016年8月2日
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宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow在本PSDcast中與Power Systems Design 的Alix Paultre分享氮化鎵技術的發展趨勢。目前業界終於從多個製造商出發，開發出氮化鎵技術可以實現的各種解決方案，讓我們看到實際的design-in項目及基於氮化鎵功率元件的產品的出現。

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Power Systems Design
2016年7月21日

在本投影片，EPC公司的Alexander Lidow分享他的公司如何帶領業界採用氮化鎵（GaN）技術，實現革命性的突破。

由於氮化鎵元件比矽元件高效，因此使數據中心節省大量能源，並且極具潛力可以推動電腦產業超越摩爾定律。

insideHPC
2016年7月20日
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EPC分享由專家製作的關於終端應用的6個影片，例如無綫電源傳送、48 V–1 V DC/DC單級轉換，以及採用氮化鎵電晶體及集成電路、面向4G/LTE基站的波峰追蹤等應用。

宜普電源轉換公司製作了6個影片，於網上分享採用eGaN^® FET及集成電路（IC）並面向最終用戶的應用。這些影片展示出氮化鎵技術如何改變了我們的生活方式及挑戰功率系統設計工程師如何在他們的新一代功率系統設計中，發揮氮化鎵場效應電晶體的卓越性能。

The demand for information in our society is growing at an unprecedented rate. With emerging technologies, such as cloud computing and the Internet of Things, this trend for more and faster access to information is showing no signs of slowing. What makes the transfer of information at high rates of speed possible are racks and racks of servers, mostly located in centralized data.

EEWeb
Alex Lidow, Ph.D., David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
March, 2016
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矽谷有賴矽材料而得以蓬勃發展。但該材料的性能已經達到最高極限。有些人預見，未來將是氮化鎵材料的世界。什麼是氮化鎵？這意味著什麼？

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電力的成本反映了社會經濟是否發展良好。這是因爲具備成本效益的電力可提高生活質素、推動全新應用的出現及業界的健康發展。氮化鎵元件的出現可替代備受尊敬但日益陳舊的矽技術及解决方案，使得我們可滿足社會對更高效電源的要求並帶領業界的發展。

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採用無綫電源充電的產品不斷增多及各種移動應用採用多種不同的無綫電源標準使消費者容易混淆，而且阻礙無綫電源應用的普及。本章討論可支持多種模式並工作在各種高（6.78 MHz）低（100 kHz - 315 kHz)頻率的放大器拓撲。

EEWeb - Wireless & RF 雜誌
2015年8月
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一種全新產品的面世有可能使檢查大腸中的癌細胞好像吞下藥丸般這麽容易。這種技術是基於一種由宜普電源轉換公司（EPC）開發的全新晶片，該晶片並沒有使用矽技術 -- 它使用了氮化鎵（GaN）技術。宜普公司的首席執行長Alex Lidow對Quartz談及他們公司的晶片可以耐受Check Cap內的各個感應器所需的高電壓。

Quartz
2015年7月30日
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This column evaluated the ability to parallel eGaN^® FETs for higher output current applications by addressing the challenges facing paralleling high speed, low parasitic devices, and demonstrated an improved paralleling technique. For experimental verification of this design method, four parallel half bridges in an optimized layout were operated as a 48 V to 12 V, 480 W, 300 kHz, 40 A buck converter, and achieved efficiencies above 96.5%, from 35% to 100% load. The design method achieved superior electrical and thermal performance compared to conventional paralleling methods and demonstrated that high speed GaN devices can be effectively paralleled for higher current operation.

EEWeb
By: Alex Lidow
April, 2014

Electronic Design雜誌編輯Don Tuite訪問Alex Lidow，內容涵蓋EPC公司的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的最新及新穎應用。

Electronic Design雜誌
2014年3月
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EPC公司Michael de Rooij與Power Systems Design 雜誌編輯Alix Paultre分享無線電源傳送解決方案

Power Systems Design雜誌
2014年3月
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The quality of sound reproduced by an audio amplifier, measured by critical performance parameters such as THD (Total Harmonic Distortion), damping factor (DF), and T-IMD (Inter-modulation Distortion), is influenced by the characteristics of the switching transistors used. Class-D audio amplifiers typically use power MOSFETs, however, lower conduction losses, faster switching speed, and zero reverse recovery losses provided by enhancement-mode GaN (eGaN) FETs enable a significant increase in the sonic quality, and higher efficiency that can eliminate heatsinks. The result is a system with better sound quality in a smaller form factor that can be built at a lower cost.

EEWeb
By: Alex Lidow
February, 2014

Enhancement-mode gallium nitride transistors have been commercially available for over four years and have infiltrated many applications previously monopolized by the aging silicon power MOSFET. There are many benefits derived from the latest generation eGaN® FETs in new emerging applications such as highly resonant wireless power transfer, RF envelope tracking, and class-D audio. This article will examine the rapidly evolving trend of conversion from power MOSFETs to gallium nitride transistors in these new applications.

Power Pulse
By: Alex Lidow
February, 2014

本章展示氮化鎵場效應電晶體如何推動具高度諧振、鬆散耦合性、工作在6.78 MHz ISM頻帶的無線電源傳送技術，實現高效無線能源傳送，並與工程師分享使用電壓模式D類及E類方法的範例。

EEWeb
作者：Alex Lidow
日期：2014年1月