EPC’s inverter reference design is based around a GaN chip to reduce powertrain sizes

E-mobility Engineering
September, 2022
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GaN FETs in thermally enhanced QFN packages offer higher performance and smaller solution size for high power density applications, including DC-DC conversion, AC/DC chargers, solar optimizers and microinverters, motor drives, and Class D Audio

Power Electronics News
September, 2022
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宜普電源轉換公司(EPC)新推100 V、3.8 mΩ 的氮化鎵場效應電晶體EPC2306，為高功率密度應用提供性能更高和更小的解決方案，包括 DC/DC 轉換、AC/DC 充電器、太陽能優化器和微型逆變器、馬達控制器和D類音頻放大器等應用。

宜普電源轉換公司是增强型氮化鎵 (eGaN^®) 功率 FET 和 IC 領域的全球領導者，新推100 V、採用耐熱增强型QFN封裝的EPC2306，用於高密度計算應用的48 V DC/DC轉換、電動汽車和機器人的 48 V BLDC 馬達控制器、太陽能優化器和微型逆變器，以及 D 類音頻放大器。

宜普電源轉換公司（EPC）推出ePower™功率級積體電路，它整合了整個半橋功率級，可在1 MHz工作時實現高達35 A的輸出電流，為高功率密度應用提供更高的性能和更小型化的解決方案，包括DC/DC轉換、馬達控制和D類音頻放大器等應用。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出100 V、35 A的積體電路，專爲48 V DC/DC轉換而設計，用於高密度運算應用和面向電動汽車、機器人和無人機的48 V BLDC馬達控制器。

EPC23102 eGaN 積體電路可實現100 V的最大耐受電壓、實現高達35 A的負載電流和高於1 MHz的開關速度。

宜普電源轉換公司(EPC)擴展了其抗輻射氮化鎵產品系列，新推的100 V產品用於要求嚴格的機載和其他高可靠性環境下的電源轉換解決方案，進一步爲這個產品系列添加第五個成員。

EPC公司宣佈推出100 V、7 mΩ、160 A_Pulsed的抗輻射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm²，其總劑量等級大於1 Mrad，綫性能量轉移（LET）的單一事件效應（SEE）抗擾度為85 MeV/(mg/cm²)。EPC7004與EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是採用晶片級封裝，這與其他商用的氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）和IC相同。封裝元件將由EPC Space提供。

宜普電源轉換公司(EPC)擴展了其抗輻射氮化鎵產品系列，新推的100 V元件用於要求嚴格的機載和其他高可靠性環境的電源轉換解決方案，與目前市場上的任何100 V耐輻射電晶體相比，它具有最低的導通電阻。

EPC公司宣佈推出100 V、3.9 mΩ、345 A_Pulsed的抗輻射GaN FET EPC7018 r，尺寸爲13.9 mm²，其總劑量等級大於1 Mrad，綫性能量轉移（LET）的單一事件效應（SEE）抗擾度爲85 MeV/(mg/cm²)。與EPC7014、EPC7007和EPC7019耐輻射產品系列相同，都是採用晶片級封裝。封裝元件由EPC Space.提供。

基於氮化鎵元件的逆變器參考設計EPC9173無論是在尺寸、性能、續航里程、精度和扭矩方面，優化了電機系統，而且簡化設計和加快產品推出市場的時間。我們可以把這種微型逆變器放進電機外殼中，從而把EMI減到最小、實現最高的功率密度和最輕的重量。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC9173，它是一款三相無刷直流馬達驅動逆變器，採用具備嵌入式閘極驅動器功能的EPC23101 eGaN^®積體電路和一個3.3 mΩ 導通電阻的浮動功率氮化鎵場效應電晶體。EPC9173在20 V和85 V之間的輸入電源電壓下工作，峰值電流可高達50 Apk（35 A_RMS）。這種電壓範圍和功率水平使該解決方案成為各種馬達控制應用的理想元件，包括電動自行車、滑板車、城市汽車、無人機和機器人。

宜普電源轉換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應電晶體（EPC2066），為設計工程師提供比矽MOSFET更小、更高效的元件，用於高性能、佔板面積受限的應用。

全球行業領先供應商宜普電源轉換公司為業界提供增强型氮化鎵（eGaN^®）功率場效應電晶體和集成電路，新推40 V、典型值爲0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場效應電晶體，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵電晶體和可以立即發貨。

宜普電源轉換公司(EPC)擴展了其抗輻射氮化鎵產品系列，新推的200 V產品用於要求嚴格的機載和其他高可靠性環境下的電源轉換解決方案，它具備超低導通電阻和極小型化等優勢。

EPC公司宣佈推出200 V、25 mΩ、80 A_Pulsed的抗輻射GaN FET EPC7007。尺寸小至5.76 mm²，其總劑量等級大於1 Mrad，綫性能量轉移（LET）的單一事件效應（SEE）抗擾度為85 MeV/(mg/cm²)。與商用eGaN FET和IC系列相同，採用芯片級封裝。 封裝元件將由EPC Space提供。

EPC公司的氮化鎵專家將在PCIM 歐洲展會分享多項現場演示以闡釋卓越的氮化鎵技術如何爲許多應用的功率轉換帶來革命性突破，包括計算、通訊和e-mobility。

宜普電源轉換公司（EPC）團隊將於5月10日至12日在德國紐倫堡舉行的PCIM 歐洲2022展覽進行多場關於氮化鎵技術的演講和專業研討會，詳請如下。 此外，我們將在展位（9號廳、113號展臺）展出採用新型eGaN^®FET 和 IC的客戶的最新終端產品。

氮化鎵功率電晶體EPC2050專爲功率系統設計人員而設計，在極小的晶片級封裝中實現 350 V、80 mΩ 最大 R_DS(on)和26 A 峰值電流，是多電平轉換器、電動汽車充電、太陽能逆變器、光達和 LED 照明的理想元件。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出 EPC2050，這是一款 350 V GaN 電晶體，最大 RDS(on) 為 80 mΩ，脉衝輸出電流爲 26 A。 EPC2050 的尺寸僅為 1.95 mm x 1.95 mm。與採用等效矽元件的解決方案相比，基於EPC2050的解決方案的佔板面積小十倍。

The latest ePower™ integrated circuits based on gallium nitride technology by Efficient Power Conversion are revolutionizing motor drive applications such as industrial drones, e-bikes, scooters, power tools.

Bodo’s Power Systems
April, 2022
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Efficient Power Conversion (EPC) expands its family of radiation-hardened (rad-hard) gallium nitride (GaN) products for power conversion solutions in critical spaceborne and other high reliability environments with a device that has the lowest on-resistance of any rad hard transistor currently available on the market.

EL SEGUNDO, Calif.— March 2021 — EPC announces the introduction of the EPC7019 radiation-hardened eGaN FET. The EPC7019, a 40 V, 1.5 mΩ, 530 A_Pulsed, rad-hard eGaN FET in a small 13.9 mm² footprint. The EPC7019 has a total dose rating greater than 1 Mrad and SEE immunity for LET of 85 MeV/(mg/cm²). These devices are offered in a chip-scale package, the same as the commercial eGaN FET and IC family.  Packaged versions will be available from EPC Space.

The EPC9167 GaN-based inverter reference design enhances motor system performance, range, precision, torque, all while lowering overall system cost. The extremely small size of this inverter allows integration into the motor housing resulting in the lowest EMI, highest density, and lowest weight.

Robotics Tomorrow
March, 2022
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EPC公司的氮化鎵專家將在APEC展會分享多項現場演示以闡釋氮化鎵技術如何爲許多行業的功率轉換帶來革命性突破，包括計算、通信和e-mobility。

宜普電源轉換公司（EPC）團隊將於3月20日至24日在休斯頓舉行的IEEE應用電力電子會議和博覽會(APEC 2022)上進行多場關於氮化鎵技術的演講和專業研討會，詳請如下。 此外，我們將在1302號展位展出採用新型eGaN^®FET 和 IC的客戶的最新產品。

基於氮化鎵元件的EPC9167 逆变器参考設計提高馬達系统性能、範圍、精度、扭矩並同時降低整體系统成本。該逆變器尺寸超小，可整合到電機外殼中，從而實現具有最低 EMI、最高功率密度和最輕的馬達驅動逆變器。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出 EPC9167，這是一款採用 EPC2065 eGaN^® FET的三相 BLDC馬達驅動逆變器。EPC9167在14 V和60 V（標稱48 V）之間的輸入電壓下工作，並備有两種配置——標準和大電流版本：

The year 2021 was a transitional year in which the world decided to open its doors to GaN. In this interview with Power Electronics News during CES week, GaN industry experts confirmed that GaN is now proving its superiority over silicon.

Power Electronics News
January, 2022
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In the field of motion control, there is a growing use of GaN devices, especially in low voltage applications. This paper provides guidelines for designers on the optimal use of GaN FETs in motor control applications, identifying the advantages and discussing the main issues.

Energies Journal
October, 2021
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EPC announces the introduction of a 100 V, 65 A integrated circuit chipset designed for 48 V DC-DC conversion used in high-density computing applications and in 48 V BLDC motor drives for e-mobility, robotics, and drones.

The EPC23101 eGaN IC plus EPC2302 eGaN FET offers a new ePower Chipset capable of a maximum withstand voltage of 100 V, delivering up to 65 A load current, while capable of switching speeds greater than 1 MHz.

EE World Online
December, 2021
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GaN devices and applications, such as lidar, DC-DC conversion, motor drive, and low-cost satellites using gallium nitride FETs and ICs, form the focus of this book, GaN Power Devices and Applications.

EL SEGUNDO, Calif. — October 2021 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power FETs and ICs, announces the publication of a valuable learning resource for professional engineers, systems designers, and electrical engineering students seeking the latest information on gallium nitride technology and applications.