EPC introduces 100 V, 3.8 milliohm EPC2053 eGaN^® FET, joining the EPC2045, EPC2052, and EPC2051 to offer a comprehensive 100 V family of GaN transistors that are more efficient, smaller, and lower cost for high performance 48 V DC-DC conversion.

EL SEGUNDO, Calif. — April 2019 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power FETs and ICs advances the performance capability while lowering the cost of off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of the EPC2053 (3.8 mΩ, 100 V) eGaN FET.

專為功率系統設計師而設的EPC2052功率電晶體是一種100 V、13.5 mΩ並採用超小型晶片級封裝的電晶體，可實現74 A脈衝輸出電流。面向48 V-12 V DC/DC功率轉換器，這些新一代氮化鎵場效應電晶體工作在500 kHz頻率下，可實現超過97%的效率。如果工作在1 MHz時，則實現超過96%的效率。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出100 V的EPC2052氮化鎵場效應電晶體，其占板面積只是2.25平方毫米、最大導通阻抗(R_DS(on))為13.5 mΩ及脈衝輸出電流高達74 A 以支援高效功率轉換。

由於德國航空太空中心的機械人及機械電子研究院（Robotics and Mechatronics Institute ）對改善感測器及功率電子的興趣很大，我們利用開發全新機械人的機會來評估宜普電源轉換公司（EPC）的全新增強型氮化鎵場效應電晶體技術並與我們目前最優秀的逆變器設計進行比較。

雜誌 ：Bodo’s Power Systems
作者：德國航空太空中心 (DLR) Robin Gruber
日期：2014年3月