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EPC9201（30 V、40 A）及EPC9203（80 V、20 A）DrGaNPLUS評估板展示出採用具備高頻開關性能的eGaN功率電晶體可大大縮減電源轉換系統的尺寸及提高效率。
宜普電源轉換公司為功率系統設計工程師擴大簡單易用的DrGaNPLUS評估板系列，使工程師非常容易對他們所設計並採用卓越的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的功率系統進行評估，進而快速實現量產。這些評估板是概念性驗證的設計，它把所有半橋式電路所需的元件整合在單塊、超小型及基於PCB的模組內，可以隨時直接表面貼裝在PCB板上，展示出採用氮化鎵電晶體的卓越功率轉換解決方案。
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EPC9115 DC/DC總綫轉換器展示出配備專有驅動器的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）在一個傳統、已調節型的隔離式1/8磚式DC/DC轉換器的拓撲可以發揮的優越性能。
宜普電源轉換公司推出EPC9115演示板，可支援48 V至60 V輸入電壓範圍並轉至12 V、 具備42 A輸出電流。它採用EPC2020(60 V) 及EPC2021(80 V)增強型氮化鎵（eGaN®)功率電晶體、德州儀器公司的LM5113半橋驅動器及UCC27611低側驅動器。功率級使用傳統的硬開關及300 kHz開關頻率的隔離式降壓轉換器。
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宜普電源轉換公司出版《無線電源手冊》，旨在協助工程師設計無線電源傳送系統的高效放大器
宜普電源轉換公司（www.epc-co.com.tw）宣佈出版《無線電源手冊》，目的為功率系統設計工程師提供寶貴設計經驗及參考資料以瞭解如何利用氮化鎵電晶體設計出高效無線電源系統。作為EPC的第一本教科書《氮化鎵電晶體—高效功率轉換元件》的增刊，本書提供實用資訊及詳細分析如何逐步設計基於氮化鎵電晶體的無線電源傳送系統。
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Enhancement-mode gallium nitride (GaN) transistors have been commercially available for over five years. Commercially available GaN FETs are designed to be both higher performance and lower cost than state-of-the-art silicon-based power MOSFETs. This achievement marks the first time in 60 years that any technology rivals silicon both in terms of performance and cost, and signals the ultimate displacement of the venerable, but aging power MOSFET.
EDN
Alex Lidow
February 18, 2015
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At the IEEE APEC 2015 power electronics industry conference, EPC applications experts will make eight technical presentations on GaN FET technology and applications showing the superiority of GaN transistors compared to silicon power MOSFETs.
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宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow在他的職涯中用了大部份時間開發一種可以替代矽技術的超高效技術。詳情請線上觀看Bloomberg TV的訪問。
觀看視頻
Bloomberg TV
2015年2月17日
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Bloomberg Business的Ashlee Vance 剖析宜普電源轉換公司（EPC）的發展。一直以來，矽保留了它對半導體行業發展的影響力。在過去的六十年裡，電晶體所使用的半導體材料以矽為首選。電晶體就是細小的開關，它是驅動資訊時代發展的動力。矽谷也以此材料而命名，而且許多公司藉著它打造出價值十億元的王國。現在我們把眼光移離矽元素 -- 它最終有可能處於被取替的邊緣。
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Bloomberg Business
2015年2月12日
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採用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體的EPC9106 D類音頻放大器參考設計展示出可以提升效率、縮减尺寸及省去散熱器之同時可以實現針對專業級消費者所要求的高音質。
宜普電源轉換公司（EPC）推出的150 W、8 Ω D類音頻放大器參考設計（EPC9106）採用 Bridge-Tied-Load (BTL)設計，包含四個接地的半橋輸出功率級電路，使得設計可以升級及擴展。
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從業界的觀點來看，只有可以爲人類提供效益及性能優勢的技術才能够生存。 主流技術CMOS就是一直爲業界提供無比的益處而得以長存。
當下的問題是CMOS技術將會變成夕陽産業嗎？新興的氮化鎵技術終於能够打破阻礙氮化鎵功率元件普及化的成本障礙。根據2015年DesignCon研討會的主講嘉賓所描述，氮化鎵技術可推動寬泛範圍的新興應用的發展，包括從無綫充電、全自動汽車以至更高效的移動通訊等應用。
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EETimes Asia
2015年2月
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宜普電源轉換公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半橋式電晶體，進一步擴展其獲獎的氮化鎵功率電晶體產品系列。
宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC2102(60 V)及EPC2103（80 V）增強型單片式氮化鎵半橋元件。透過集成兩個eGaN®功率場效應電晶體而成為單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及空隙，使電晶體的占板面積減少50%。
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60年以來業界首次見證全新的半導體技術以更低的成本製造出比矽元件具備更高的性能的電晶體。氮化鎵（GaN）技術展示了它顯著提升了電晶體的性能之外，氮化鎵元件的製造成本比矽元件可以更低。由於氮化鎵電晶體具備快速開關特性，在高壓及大電流工作時它比任何前代的電晶體都更為優越，支援開發全新的應用。這些特性非常優越，可推動全新並改寫未來的應用的出現。但是氮化鎵技術的發展還是剛剛開始，它的發展前景將無可限量。
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EDN雜誌
作者：Alex Lidow
2015年1月
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宜普電源轉換公司爲功率系統設計師提供一款具備４奈秒上升時間特性的450 V氮化鎵場效應功率電晶體(EPC2027 eGaN®)並面向高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的應用。
宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出450 V並通常處於關斷狀態的增强型功率電晶體（EPC2027），可用於需要高頻開關的應用，從而實現更高的效率及功率密度。受惠於採用高壓並具備更快速開關特性的元件的應用包括超高頻直流-直流轉換器、醫療診斷儀器、太陽能功率逆變器及發光二極管照明等應用。
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單晶片半橋式氮化鎵功率電晶體EPC2100獲得著名電子雜誌頒發「年度産品大獎」，在競爭激烈的分離式半導體産品類別中被評選爲極具創新性的産品。
宜普電源轉換公司（EPC）的單片半橋式矽基氮化鎵(eGaN®)功率電晶體榮獲《Electronic Products》雜誌頒發2014年「年度産品大獎」。
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In this installment of the ‘How to GaN’ series we will discuss the 4th generation of eGaN FETs in 48 VIN applications and evaluate the thermal performance of the chipscale packaging of high voltage lateral eGaN FETs.
EEWeb
By: Alex Lidow
December, 2014
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Technics is back. Panasonic has unveiled the first new hi-fi products from the highly-regarded brand in 6 years. The new Reference Class system is made up of three components – a stereo power amp, a network audio control player and a speaker system. The amp uses a JENO Digital Engine to eliminate jitter and nip noise in the bud, and Load Adaptive Phase Calibration (LAPC) for flat amplitude-phase frequency delivery. It features GaN for high speed switching while keeping signal loss low, a proprietary digital link input, analog XLR input, analog RCA input, bi-wiring speaker terminals, and a silent linear power supply.
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DesignCon 2015’s Thursday (January 29th) keynote speaker will be Dr. Alex Lidow, CEO and co-founder of Efficient Power Conversion Corporation (EPC). For most of his career, Alex has focused on improving the efficiency of power conversion in hopes of reducing the environmental impact of energy production and consumption. As an R&D engineer at International Rectifier, he co-invented the HEXFET power MOSFET. The patents from this invention brought in more than $900M. Alex holds numerous additional patents in power semiconductor technology, including basic patents in power MOSFETs as well as in GaN FETs. He recently co-authored the first textbook on GaN transistors, “GaN Transistors for Efficient Power Conversion”. You can catch Alex’s keynote speech at DesignCon 2015 on Thursday, January 29, 12:00 PM – 12:30 PM.
EDN
December 3, 2014
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Practical wireless power systems need to address the convenience factor of such systems. Standards such as the A4WP Class 3 have defined a broad coil impedance range that address the convenience factor and can be used as a starting point to compare the performance of the amplifiers. In this installment of WiGaN both the ZVS Class-D and Class-E amplifiers will be tested at 6.78 MHz to the A4WP Class 3 standard.
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EPC2101單片半橋式氮化鎵功率電晶體爲功率系統設計師提供增加效率及增加功率密度的解决方案。氮化鎵元件可推動28 V轉至1 V幷在500kHz頻率開關的全降壓型轉換器可以在14 A輸出電流時實現接近87%系統效率，以及在30 A輸出電流時可以實現超過82%效率。同時，與使用離散元件的解决方案相比，電晶體的占板面積减少50%。
宜普電源轉換公司宣佈推出60 V增强型單片半橋式氮化鎵電晶體（EPC2101）。透過集成兩個eGaN®功率場效應電晶體而成爲單個元件，可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙，使得電晶體的占板面積减少50%。結果是增加效率（尤其是在更高頻率時）及提高功率密度並同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2101 最理想的應用領域是高頻直流-直流轉換。
在EPC2101半橋式元件內，每個元件的額定電壓是60 V。 上面的場效應電晶體的導通電阻（RDS(on)）的典型值是8.4 mΩ，下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是2 mΩ。 高側場效應電晶體的尺寸大約是低側元件的四分之一，使得具有高VIN/VOUT比值的降壓轉換器可實現最佳直流-直流轉換效率。EPC2101使用芯片封裝方式以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 毫米，功率密度更高。
開發板
EPC9037是一塊2英寸x1.5英寸的開發板，包含一個EPC2101集成半橋式元件，使用德州儀器公司的閘極驅動器（LM5113）、電源及旁路電容。電路板的布局可實現最佳開關性能並設有多個探孔，使用戶容易測量簡單波形及計算效率。
價格及供貨詳情
購買1000件EPC2101單片半橋式元件的單價爲$6.92美元。EPC9037 開發板的單價爲$137.75美元。以上的産品已經有現貨供應，可透過Digikey公司（http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht購買。
關於氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的設計信息及支持
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。
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商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
傳媒聯絡
Winnie Wong ( [email protected])
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氮化鎵（GaN）場效應電晶體隨時準備在電壓調節器及直流-直流電源應用替代矽功率元件。 與矽MOSFET元件相比，氮化鎵電晶體的開關速度快很多及具有更低的導通電阻（RDS(on)），從而可以實現具有更高功效的功率電源，對我們來說是好的。如果你正在使用氮化鎵元件設計功率電路，你必需理解元件的開關速度。
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EPC2105氮化鎵半橋元件爲系統設計師提供更高效及具有更高功率密度的解决方案--推動48 V轉至12 V幷在300kHz頻率下開關的全降壓型轉換器系統可以在10 A輸出電流時實現高達接近98%效率，以及推動48 V轉至1 V幷在300kHz頻率下開關的全降壓型轉換器系統可以在14 A輸出電流時實現84%效率。
宜普電源轉換公司宣佈推出80 V增强型單片式半橋氮化鎵電晶體（EPC2105）。透過整合兩個eGaN®功率場效應電晶體而成爲單個元件，可以除去互連電感及印刷電路板上的空隙、提高效率（尤其是在更高頻率時）及提高功率密度幷同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2105最理想應用於高頻直流-直流轉換及推動從48 V直接轉至1 V系統負載的高效單級轉換應用。
在EPC2105整合式半橋元件內的每一個元件的額定電壓是80 V。上面的場效應電晶體的導通電阻（RDS(on)）典型值是10 mΩ，下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是2.3 mΩ。 高側場效應電晶體的尺寸大約是低側元件的四分之一，使得元件在具有高VIN/VOUT比的降壓轉換器中可實現最佳直流-直流轉換效率。EPC2105使用晶片尺寸封裝以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 毫米，功率密度更高。
開發板
EPC9041是一塊2英寸x1.5英寸的開發板，包含一個EPC2105整合式半橋元件，內含德州儀器栅極驅動器（LM5113）、電源及旁路電容。電路板的版圖設計可實現最佳開關性能幷設有多個探孔，使用戶容易測量簡單波形及計算效率。
價格及供貨詳情
批量購買1000個EPC2105單片式半橋元件的單價爲$7.17美元。EPC9041開發板的單價爲$137.75美元。以上兩個産品已經有現貨供應，可透過Digikey公司（http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht）購買。
關於氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的設計信息及支持
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。
客戶可以在我們的網頁註冊( http://bit.ly/EPCupdates )，定期收取EPC公司的最新產品資訊。
商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
傳媒聯絡
Winnie Wong ( [email protected])
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