The company Alex founded in 2007, called Efficient Power Conversion, or EPC, is wholly dedicated to the task of putting GaN in the forefront for use in a variety of things. Wireless power transmission, Class D audio amplifiers, (using a small circuit board, this would produce less heat, and extend battery life on portable systems); and pulsed lasers, or LiDAR (Light Distancing and Ranging), designed to quickly create 3D images useful in mapping and meteorology.

By: Bruce Rogers
Forbes
September 3, 2015
Read Article

電力的成本反映了社會經濟是否發展良好。這是因爲具備成本效益的電力可提高生活質素、推動全新應用的出現及業界的健康發展。氮化鎵元件的出現可替代備受尊敬但日益陳舊的矽技術及解决方案，使得我們可滿足社會對更高效電源的要求並帶領業界的發展。

收看錄像

採用無綫電源充電的產品不斷增多及各種移動應用採用多種不同的無綫電源標準使消費者容易混淆，而且阻礙無綫電源應用的普及。本章討論可支持多種模式並工作在各種高（6.78 MHz）低（100 kHz - 315 kHz)頻率的放大器拓撲。

EEWeb - Wireless & RF 雜誌
2015年8月
閱讀文章

The trend for electronics is to continually push towards miniaturization while increasing performance. With silicon MOSFET technology fast approaching its theoretical limit, enhancement mode gallium nitride (eGaN^®) FETs from EPC have emerged to offer a step change improvement in power FET switching performance, enabling next generation power density possibilities by decreasing size and boosting efficiency. This article will explore the recommended layout techniques required to fully extract the benefits of EPC’s eGaN FETs.

By: Ivan Chan & David Reusch, Ph.D.
EEWeb –Modern Printed Circuits
August, 2015
Read Article

氮化鎵功率電晶體 -- EPC2106爲功率系統設計師提供的解决方案可以在2 MHz以上頻率開關，從而不會干擾AM頻段及降低過濾成本，因此是具備低失真性能的D類音頻放大器的理想選擇。

宜普電源轉換公司宣佈推出單片半橋式增强型氮化鎵電晶體 -- EPC2106。通過集成兩個eGaN^®功率場效應電晶體而成爲一個集成電路可以去除互感及PCB板上元件之間所需的間隙空間，從而提高效率（尤其是在更高頻時）及提高功率密度而同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。

Wireless charging may have a standards battle to contend with, but there’s also a major a measurement problem. The quest for convenient living and energy conservation poses a ‘Ying/Yang’ dilemma living in the age of electronics. This is certainly the case with wireless power transfer technology. This rapidly emerging technology has the promise of “cutting the cord” and displacing the need for AC/DC wall adapters and perhaps eventually wall sockets. The question now is; will wireless power increase our carbon footprint by being less efficient than the traditional plug-in AC/DC wall adapters?” Are some wireless systems more efficient than others? These are two fundamental questions that need to be examined in an energy conscious world governed by energy efficient standards.

EETimes
August 4, 2015
Read Article

一種全新產品的面世有可能使檢查大腸中的癌細胞好像吞下藥丸般這麽容易。這種技術是基於一種由宜普電源轉換公司（EPC）開發的全新晶片，該晶片並沒有使用矽技術 -- 它使用了氮化鎵（GaN）技術。宜普公司的首席執行長Alex Lidow對Quartz談及他們公司的晶片可以耐受Check Cap內的各個感應器所需的高電壓。

Quartz
2015年7月30日
閱讀文章

由於PAPR比率在5G技術中會變差，氮化鎵(eGaN)技術被認爲是支持5G技術的基站結構在功效方面的最重要解決方案，而氮化鎵功率電晶體已經實現了波峰跟蹤應用，我們並預期在未來的3至5年之間，當氮化鎵技術繼續發展，市場將會有更多的新興應用陸續出現。

EDN
Steve Taranovich
2015年7月17日
閱讀文章

EPC garners the attention of MIT Technology Review with its new products targeted for wireless charging applications. Recognizing EPC as a catalyst for jump-starting the market for wireless power systems, the author highlights the need for universally accepted technology standards. He reinforces his position quoting Alex Lidow saying that “…convenience, cost, and efficiency” are all factors needed for broad adoption of any standard…

MIT Technology Review
July 15, 2015
Read article

全新EPC2107及EPC2108 eGaN^®功率積體電路包含單片半橋式元件及集成式自舉功能，專爲符合無綫充電聯盟（A4WP）第二及第三級規範的解決方案而設。此外，爲了讓客戶容易對氮化鎵元件進行評估，我們也提供開發板及包含發射器及接收器的無綫電源傳送解决方案。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出內含整合式自舉功能的場效應電晶體的eGaN半橋功率積體電路 EPC2107（100 V）及EPC2108EPC2108 （60 V）。該積體電路去除了由閘極驅動器所引致的反向恢復損耗，也不需高側箝位。這是首次在eGaN功率電路中整合了一個自舉場效應電晶體。

Consumers want to be able to go wirelessly where they want, when they want. They want televisions to be seamlessly synchronized with tablets, phones, laptops, and automobiles. They want all their communication, information, and entertainment to be available immediately, with high resolution, all the time. Recently the automobile industry has caught on to this trend and has begun to show its vision of the future for the fully mobile lifestyle.

Consumers also do not want to worry about running out of battery life – no more looking for an open outlet at the airport. This untethered life is the Mobility Imperative and it is driving innovation in consumer products, which in turn, is pushing the limits of silicon-based semiconductor technology.

Nikkei Business Publications
July 10, 2015
Read Article

全新氮化鎵技術推動了無綫電源傳送應用的發展。近來在A4WP及PMA的合併下，工程師們對該發展尤感興趣。 本訪問涵蓋了饒富興味的問題並解答了氮化鎵元件何時會備受半導體業界廣泛採納。訪問的內容包括氮化鎵元件的優勢、成本如何可以更低、最新元件的創新性、元件可以工作在高頻的條件下而具備小尺寸、優越的散熱管理、氮化鎵的市場如何可以超越矽元件的市場及氮化鎵技術的未來發展等。

功率系統設計
2015年6月24日
閱讀文章

If expanding industries typically indicate vibrancy, a race to acquire and consolidate is generally reflective of the opposite – a period of slowed growth in mature, often once high-flying categories. And while many industries experience a period of stardom, followed by a sharp and steady decline, we should be extremely worried when they occur in industries that are fundamentally central to our socio-economic vitality.

Forbes
June 26, 2015
Read Article

矽基晶片的發展因爲受到技術及經濟因素的影響而變得緩慢。業界利用全新的氮化鎵材料所具備的優勢解決這個問題。雖然各家公司致力於找出可製造尺寸更小的矽電晶體的方法，但是未能減低成本及解决在功耗方面的問題。宜普電源轉換公司的首席執行長Alex Lidow認爲相比矽元件，由於氮化鎵元件的開關可以更快速及在更高壓的條件下工作，因此氮化鎵材料在功率轉換應用中尤爲優勝。

華爾街日報
2015年6月22日
閱讀文章

功率轉換需要製造細小的元件以從電力的一種形式轉換至另外的一種形式，從而使得所有電子設備運行順暢。 直至目前爲止，矽元件是功率轉換的首選元件，但是當它的效率達到極限時，業界轉而關注全新材料的發展。

Los Angeles Business Journal
2015年6月21日
閱讀文章

宜普電源轉換公司(EPC) Alex Lidow於2015年PCIM研討會上展示由氮化鎵元件推動的X-ray藥丸及各種氮化鎵元件。

Power Systems Design
2015年6月2日
收看錄像

宜普電源轉換公司(EPC) Alex Lidow於2015年APEC研討會上展示由氮化鎵元件推動的無綫電源傳送應用

Power Systems Design
2015 年3月19日
收看錄像

氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）之前在鬆散耦合式無綫電源傳送解決方案中，展示了在採用零電壓開關(ZVS)D類或E類放大器拓撲並工作在on-resonance條件下，該些電晶體具有較高的效率。然而，可行的無綫電源系統需要滿足這些系統的易用性的要求，結果是反射式綫圈阻抗在負載和耦合變化時顯著偏離諧振。由於這些系統仍然需要向負載供電，因此放大器需要在寬阻抗範圍內驅動綫圈。諸如A4WP第三等級的規範定義了可以滿足易用性因素、寬泛的綫圈阻抗範圍，並且可以用作比較放大器的性能的起點。

本章根據A4WP第三等級的標準對ZVS D類及E類放大器拓撲在6.78MHz頻率下進行測試並通過縮小了的阻抗範圍來判斷固有的工作範圍極限。諸如元件的溫度和電壓極限等因素將確定每個放大器能够驅動綫圈的負載阻抗範圍。

Bodos China
宜普電源轉換公司應用工程執行總監Michael de Rooij博士
2015年6月
閱讀文章

eGaN^®功率電晶體在功率轉換領域繼續實現更高的性能。該電晶體系列具備更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及優越的散熱性能，從而實現具備更高的功率密度的轉換器。

宜普電源轉換公司宣佈推出兩個可以提高電源轉換效率的eGaN FET。這些產品的工作溫度最高達150°C。150 V的EPC2033的脉衝電流爲260 A及200 V的EPC2034的脉衝電流爲140 A。應用範圍包括DC/DC轉換器、DC/DC與AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器、LED照明及工業自動化等應用。

Integrated Device Technology, Inc. ((IDT^®) (美國納斯達克上市代號: IDTI)宣佈與宜普電源轉換公司（EPC）合作開發基於氮化鎵（GaN）技術的全新方案。氮化鎵被公認爲在速度及效率方面極具優勢的一種半導體材料。這合作謀求探索結合兩家公司的技術——EPC的eGaN^®技術及IDT領先業界的解决方案。

閱讀新聞稿全文