宜普電源轉換公司(EPC)推出採用高性能、寬間距的晶片規模封裝的全新氮化鎵(eGaN^®)功率電晶體，進一步擴大其功率電晶體系列、易於實現高產量並與成熟的製造工藝及組裝生產線相容。

宜普電源轉換公司宣佈推出3個採用具有更寬間距連接的佈局的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）。這些產品採用具有1 mm間距的焊球，進一步擴大EPC的“寬間距”元件系列。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔，使得元件以超小型尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）實現大電流承載能力。

Last week, El Segundo, Calif.-based Efficient Power Conversion, announced that its offering two types of power transistors made from gallium nitride that it has priced cheaper than their silicon counterparts. “This is the first time that something has really been higher performance and lower cost than silicon,” CEO Alex Lidow says. “Gallium nitride has taken the torch and is now running with it.”

IEEE Spectrum
May 8, 2015
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宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow與Power Systems Design雜誌編輯Alix Paultre分享全新eGaN FET系列，實現具備優越性能、更小的尺寸、高可靠性及低成本的元件。價格是封阻可替代矽MOSFET元件的氮化鎵電晶體的普及化的最後一個壁壘，而價格已經下降。

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Power Systems Design
2015年4月29日

全新eGaN^®功率電晶體系列以MOSFET元件的價格實現更優越的性能、更小的尺寸及高可靠性。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2035（60 V）及EPC2036 （100 V）eGaN功率電晶體，專爲在價格方面競爭而設計並且在性能上超越矽元件。 價格是封阻可替代矽MOSFET元件的氮化鎵（GaN）電晶體的普及化的最後一個壁壘，而價格已經下降。這些全新產品可以替代矽半導體及爲業界續寫摩爾定律的輝煌。

宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow一直專注於製造創新產品，目的在延長摩爾定律的壽命。Intel及業界認為傳統矽晶片技術已經達到頂峰 --不久有公司將製造出一種矽材料可以實現的低成本及高效的晶片。Lidow說他找出一種比矽在很多方面都更為優勝的半導體材料--氮化鎵材料（GaN）。氮化鎵晶片無論是在實驗室或實際上的多個範例都比矽晶片優越、具備更低的製造成本及使用現有製造矽晶片的基礎設施，而且氮化鎵元件更為穩固及需要更少的保護性元素。

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PandoDaily
2015年4月21日

半導體業界資深人士及宜普電源轉換公司（EPC）首席執行長Alex Lidow說：「摩爾定律現正蛻變為預測全新的半導體材料的性能定律。EPC氮化鎵（GaN）電晶體有機會替代矽元件。氮化鎵材料是一種更好的電子導體，在性能及功效方面比矽更為優越。」氮化鎵元件已經用於電源轉換及無線通訊等領域，它將有一天成為數位晶片。Lidow說：「60年以來首次出現採用優越材料的元件而不只是在更小尺寸方面發展。」

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Network World
2015年4月17日

摩爾定律的預測已經變成自我應驗的預言。晶片的運算性能不僅僅是已經在每兩年/24個月得以倍升，它必需在每24個月內倍升才可以使科技業界及整個經濟不致陷入苦境、阻遏創新及經濟發展進程。

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re/code
Alex Lidow
2015年4月17日

晶片的發展推動了一個又一個的技術大變革：個人電腦、互聯網、智慧手機、智慧手錶及即將推出的自動駕駛汽車。 宜普電源轉換公司（EPC）是一間把它的將來押注在III-V氮化鎵材料上的創始公司，其首席執行長Alex Lidow帶領著一支34人的專業團隊創建公司。該公司的業績繼續保持穩定增長，產品是採用III-V氮化鎵（GaN）材料層的電晶體。 在2016或2017年，Lidow預計氮化鎵元件的製程可以包含電腦處理器內負責思考的邏輯電路。Lidow認為「與傳統的矽元件相比，氮化鎵元件所具備的電力特性使你立即可以取得1000倍改進產品性能的機會。」

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CNET.com
2015年4月17日

採用全新100 V EPC2104半橋式元件的全降壓轉換器在48 V轉12 V、22 A輸出電流及300 kHz開關頻率下，系統效率可超過97%；而在22 A、500 kHz開關頻率下，系統效率則接近97%。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC2104(100 V)增强型單片式氮化鎵半橋元件。透過集成兩個eGaN^®功率場效應電晶體而成爲單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及所需的空隙，使電晶體的佔板面積減少50%。這樣可以提高效率（尤其是元件在更高頻工作時）及增加功率密度並同時减低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。

全新氮化鎵(eGaN^®)功率電晶體（EPC2029）進一步擴大宜普電源轉換公司的功率電晶體系列 – EPC2029 氮化鎵電晶體使用高效、具有寬間距的芯片規模封裝，可易於實現高産量並與成熟的製程及組裝生産綫兼容。

宜普電源轉換公司宣佈推出採用更寬間距連接的佈局的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）-- 80 V、31 A並具有1 mm間距的焊球的EPC2029電晶體是這種全新産品系列的首個電晶體。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔，使得小尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）的元件可以具備大電流承載能力。

Dean Takahashi at VentureBeat profiles Alex Lidow. Silicon chips have had a decades-long run as the foundation for modern electronics. But a new kind of chip, based on the compound material gallium nitride (GaN), promises to unseat silicon because it has higher performance, less power consumption, and lower cost.

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VentureBeat
April 2, 2015

EPC9115 DC/DC總綫轉換器展示出配備專有驅動器的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）在一個傳統、已調節型的隔離式1/8磚式DC/DC轉換器的拓撲可以發揮的優越性能。

宜普電源轉換公司推出EPC9115演示板，可支援48 V至60 V輸入電壓範圍並轉至12 V、 具備42 A輸出電流。它採用EPC2020(60 V) 及EPC2021(80 V)增強型氮化鎵（eGaN®)功率電晶體、德州儀器公司的LM5113半橋驅動器及UCC27611低側驅動器。功率級使用傳統的硬開關及300 kHz開關頻率的隔離式降壓轉換器。

宜普電源轉換公司出版《無線電源手冊》，旨在協助工程師設計無線電源傳送系統的高效放大器

宜普電源轉換公司（www.epc-co.com.tw）宣佈出版《無線電源手冊》，目的為功率系統設計工程師提供寶貴設計經驗及參考資料以瞭解如何利用氮化鎵電晶體設計出高效無線電源系統。作為EPC的第一本教科書《氮化鎵電晶體—高效功率轉換元件》的增刊，本書提供實用資訊及詳細分析如何逐步設計基於氮化鎵電晶體的無線電源傳送系統。

Enhancement-mode gallium nitride (GaN) transistors have been commercially available for over five years. Commercially available GaN FETs are designed to be both higher performance and lower cost than state-of-the-art silicon-based power MOSFETs. This achievement marks the first time in 60 years that any technology rivals silicon both in terms of performance and cost, and signals the ultimate displacement of the venerable, but aging power MOSFET.

EDN
Alex Lidow
February 18, 2015

At the IEEE APEC 2015 power electronics industry conference, EPC applications experts will make eight technical presentations on GaN FET technology and applications showing the superiority of GaN transistors compared to silicon power MOSFETs.

宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow在他的職涯中用了大部份時間開發一種可以替代矽技術的超高效技術。詳情請線上觀看Bloomberg TV的訪問。

觀看視頻
Bloomberg TV
2015年2月17日

Bloomberg Business的Ashlee Vance 剖析宜普電源轉換公司（EPC）的發展。一直以來，矽保留了它對半導體行業發展的影響力。在過去的六十年裡，電晶體所使用的半導體材料以矽為首選。電晶體就是細小的開關，它是驅動資訊時代發展的動力。矽谷也以此材料而命名，而且許多公司藉著它打造出價值十億元的王國。現在我們把眼光移離矽元素 -- 它最終有可能處於被取替的邊緣。

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Bloomberg Business
2015年2月12日

採用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體的EPC9106 D類音頻放大器參考設計展示出可以提升效率、縮减尺寸及省去散熱器之同時可以實現針對專業級消費者所要求的高音質。

宜普電源轉換公司（EPC）推出的150 W、8 Ω D類音頻放大器參考設計（EPC9106）採用 Bridge-Tied-Load (BTL)設計，包含四個接地的半橋輸出功率級電路，使得設計可以升級及擴展。

從業界的觀點來看，只有可以爲人類提供效益及性能優勢的技術才能够生存。 主流技術CMOS就是一直爲業界提供無比的益處而得以長存。 當下的問題是CMOS技術將會變成夕陽産業嗎？新興的氮化鎵技術終於能够打破阻礙氮化鎵功率元件普及化的成本障礙。根據2015年DesignCon研討會的主講嘉賓所描述，氮化鎵技術可推動寬泛範圍的新興應用的發展，包括從無綫充電、全自動汽車以至更高效的移動通訊等應用。

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EETimes Asia
2015年2月

宜普電源轉換公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半橋式電晶體，進一步擴展其獲獎的氮化鎵功率電晶體產品系列。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC2102(60 V)及EPC2103（80 V）增強型單片式氮化鎵半橋元件。透過集成兩個eGaN^®功率場效應電晶體而成為單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及空隙，使電晶體的占板面積減少50%。