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EPC9004開發板內含氮化鎵場效應電晶體及採用德州儀器公司專為驅動氮化鎵場效應電晶體而設的閘極驅動器
宜普電源轉換公司(EPC)在2013年2月5日宣佈推出採用增強型氮化鎵場效應電晶體的EPC9004開發板, 展示最新推出、專為驅動氮化鎵場效應電晶體而優化的積體電路閘極驅動器,可幫助設計工程師簡單地及以低成本從矽功率電晶體改為採用更高效的氮化鎵場效應電晶體。
EPC9004開發板是一種200 V峰值電壓、2 A最大輸出電流的半橋電路設計，內含EPC2012氮化鎵場效應電晶體，並同時配合德州儀器公司的快速閘極驅動器（UCC27611），從而縮短設計高頻及高效電源系統的時間及減少設計的複雜性。
推出EPC9004開發板的目的是簡化評估高效氮化鎵場效應電晶體的過程,因為這種開發板是塊2英寸x1.5英寸單板,板上集成了所有關鍵元件,因此易於與目前任何轉換器連接。此外，電路板上還備有多個探測點,以便測量簡單的波形和計算效率。隨開發板一起提供的還有一份供客户參考的速查指南，使客户可以更容易使用開發板。
受益于200 V的EPC2012電晶體的應用包括無線電源充電、磁力共振掃描及具低射頻的應用如智慧型儀器表通信設備。
EPC9004開發板的單價為95美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上購買,網址為http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。
氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援
宜普公司簡介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的电源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追踪、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com。
客戶在Twitter的網址http://twitter.com/#!/EPC_CORP及Facebook的網址http://www.facebook.com/EPC.Corporation找到EPC，也可以在我們的網頁http://bit.ly/EPCupdates註冊,定期收取EPC公司的最新產品資訊。
商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
媒體聯絡人
Winnie Wong ([email protected])
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雜誌 : Power Electronics Technology
作者 : 宜普電源轉換公司應用副總裁Johan Strydom博士
日期 : 2013年1月
我們在之前的文章討論氮化鎵場效應電晶體與矽器件相同之處，並可以利用量度性能的相同標準來評估它。雖然根據大部分的量度標準結果可以看到，氮化鎵場效應電晶體的表現更為優越，但氮化鎵場效應電晶體的體二極管前向電壓比 MOSFET較 高及在死區時間內可以是高功率損耗的元件。體二極管前向導通損耗並不構成在死區時間内產生的全部損耗，而二極管反向恢復及輸出電容損耗也很重要。本章討論管理死區時間及工程師需要把死區時間損耗減至最低。
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無線充電將於2013年成為於電力電子業界增長迅猛的應用,其主要的發展步伐從2012年起開始加快。PowerPulse.Net編輯評選出十大發展以反映無線充電應用在2013年及之後的重要發展歷程。
宜普在2012年8月宣佈推出高效無線電源展示系統,它採用了具備高頻開關性能的氮化鎵電晶體(eGaN® FET),由於該電晶體可以在高頻、高壓及高功率條件下有效率地工作,所以非常適用于高效無線電源系統。該系統由宜普及WiTricity公司共同開發,為一個在工作頻率為6.78 MHz的D類電源系統,能夠向負載提供高達15W的功率。使用這個展示系統的作用是可以簡化無線電源技術的評估流程。這個系統內的所有主要元件都是易於連接，可以展示無線電源傳送如何對器件充電。
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雜誌：Bodo's Power Systems
作者：Steve Soffels, Denis Marcon, and Stefaan Decoutere （IMEC）
日期： 1/2/2013
摘要：在功率電子行業中，氮化鎵技術從小眾、專業市場擴展。第一代氮化鎵電晶體 現正擴大其在功率電子市場的份額。
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雜誌：Bodo’s Power Systems (www.bodospower.com)
日期：1/2/2013
作者：宜普公司首席執行長Alex Lidow博士、應用工程執行總監Michael deRooij博士及應用工程 總監David Reusch博士
摘要：本文展示了增強型氮化鎵場效應電晶體推動諧振拓撲在效率方面實現重大改善，以及工作 在6.78 MHz頻率範圍的無線電源傳送實用範例。
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作者 :Ashok Bindra
雜誌 :How2Power Today (2012年12月刊)
在過去的數年間雖然有很多討論關於基於氮化鎵的功率電晶體可以替代普遍使用的矽MOSFET器件，但矽基氮化鎵的功率場效應電晶體可能需要較長的時間才可以在電源轉換領域成為主流器件。目前數個全新應用的出現將有望實現氮化鎵技術所提供的優勢。除了具備商用及高可靠性的條件，氮化鎵器件的獨有特性正在促進全新應用的出現。
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本書由業界專家編寫, 為工程師提供關於氮化鎵電晶體的理論及應用範圍
宜普公司宣佈出版了“氮化鎵電晶體 - 高效電源轉換器件”的簡中版教科書，旨在為功率系統設計工程師提供氮化鎵電晶體的基本技術及相關應用的知識，從而幫助工程師使用氮化鎵電晶體設計更高效的電源轉換系統。
清華大學李永東教授評論這書時說“本書回顧了電力電子材料與器件的發展歷程,，並以新型氮化鎵材料作為主要研究項目，深入研究該類功率半導體材料的特點與應用。本書的分析縝密，內容新穎，論述詳實，既具有很高的理論水準，又兼顧工程應用實例，具有大量詳實的實驗資料作為驗證理論分析的依據。作為電力電子行業的讀者，我覺得這是一本難得的、兼顧理論、實踐與可讀性的好書”。
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宜普公司(www.epc-co.com) 宣佈獲得電子設計技術雜誌頒發2012年度創新獎(電源器件與模組組別)之優秀產品獎。今年是電子設計技術雜誌紮根中國第八個年頭，它通過全球電子設計工程師網友及經理的投票與專家選評取得結果，為電子產業內最具影響力和權威的獎項。
宜普公司首席執行長Alex Lidow 說“我們非常榮幸獲得電子設計技術雜誌頒發獎項,並得到業界工程師的支援,作為在市場的主導產品,EPC2012是我們氮化鎵場效應電晶體系列中成員之一，為客戶所採用的更高性能並能替代矽基MOSFET器件的產品”。
EPC2012器件為第二代200 V、具高頻開關及增強性能的增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)，並使用無鉛以及符合RoHS (有害物質限制) 條例的封裝。
EPC2012 场效应晶体管是一款面積為1.7 x 0.9 mm的200 VDS器件、 RDS(ON) 最大值是100 mΩ，閘極電壓為5 V，脈衝額定電流為15 A、 因此在較低閘極電壓時， 其性能得以全面增強。
与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比，EPC2012体积小很多，而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、无线电源传送、射频包络跟踪、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。
與具有相同導通電阻的先進矽功率MOSFET相比,EPC2012體積小很多,而開關性能卻高出許多倍。受益於eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、無線電源傳送、射頻波峰追蹤、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。
eGaN FET 的設計資訊及支援
關於電子設計技術雜誌（EDN China）
全球70多家公司的128項產品參加了本屆電子設計技術雜誌2012年度創新獎「最佳產品獎」的角逐，技術分類包括9 大技術類別 :電源器件與模組、嵌入式系統、微處理器與 DSP、可程式設計器件、類比與混合信號 IC、測試與測量、開發工具 與軟體、無源器件與感應器，以及通訊與網路IC。此外還頒發了“工程師最喜愛的分銷商獎”、“本土創新公司獎”和“創新工程師”獎項。電子設計技術雜誌于超過20年前始創為國內第一本專注電子設計及知識交流的平臺，目前其網站擁有超過400,000註冊使用者。詳情請瀏覽www.ednchina.com.
宜普公司簡介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效LED照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。
宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、包络追蹤、射頻傳送、以太網供電、太陽能微型逆變器、高效LED照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com 。
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eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
媒體請與Winnie Wong ([email protected]) 聯繫。
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增強型氮化鎵場效應電晶體技術的領先供應商宜普電源轉換公司被評選為“電子工程專輯 Silicon 60”高新科技新創企業之一。這些公司是電子工程專輯的編輯團隊根據各公司所發展的技術、目標市場、成熟度、財政狀況、投資規模和行政人員的領導才能等多種考量標準而評選出來的。
宜普公司首席執行長Alex Lidow說非常榮幸被評選為最熱門的新興電子公司之一,及感謝電子工程專輯對宜普公司的評價為“一家值得闗注的新興企業”。
與先進的 矽功率MOSFET相比,宜普氮化鎵場效應電晶體的尺寸更小及器件的開關性能高出很多倍。受惠于氮化鎵場效應電晶體的增強性能的應用包括射頻波峰追踪、無線電源傳送、高效直流-直流電源、負載點轉換器及D類音頻放大器。宜普也發佈了氮化鎵技術的成本將低於矽功率MOSFET及可以替代日益受限、價值幾十億美元的功率MOSFET和IGBT市場的進程。
如欲取得宜普公司氮化鎵場效應電晶體產品系列的詳盡資料,請瀏覽 http://epc-co.com/epc/products/gan-fets-and-ics。
宜普公司簡介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的电源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追踪、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。
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作者:宜普公司應用副總裁Johan Strydom博士
雜誌:Power Electronics Technology
摘要:
在這一系列的文章中,我們展示了與矽MOSFET相比，氮化鎵場效應晶體在硬開關及軟開關應用中它在性能方面的改善。我們看到在所討論的每一個情況下，氮化鎵場效應電晶體的性能比MOSFET器件更為優越。第十一部分討論了晶片尺寸的優化工藝，並使用一個應用範例來展示其結果。
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宜普電源轉換公司(www.epc-co.com)宣佈EPC9102榮獲今日電子雜誌十大電源產品技術突破獎 。
EPC9102 是一個全功能八分之一磚式轉換器演示板。這塊電路板是一個36 V- 60 V 輸入、12 V輸出、375 KHz相移全橋式 (PSFB) 八分之一磚式轉換器, 最大輸出電流為17A。EPC9102演示板展示了基於氮化鎵場效應電晶體的直流-直流轉換器可幫助工程師在業界基準砖式轉換器的外形尺寸限制下提高輸出功率及功率密度。
宜普電源轉換公司首席執行官Alex Lidow說非常榮幸EPC9102獲得今日電子雜誌頒發十大電源產品技術突破獎 。相比等效商用八分之一磚式直流-直流轉換器，EPC9102可以在高出大約50%至100%的的工作頻率下实现優異性能。這是一個例證客戶為何採用宜普的一系列高性能氮化鎵場效應電晶體，並作為矽MOSFET的替代產品。
今日電子是領導業界的電子雜誌,二零一二年十大電源獎的評選規則包括產品在技術或應用方面取得顯著進步、具有開創性的設計或在性價比方面顯著提高。頒獎典禮在九月二十日於該雜誌主辦的北京電源研討會舉行。
宜普公司簡介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的电源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追踪、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。
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雜誌:Bodo's Power Systems
作者:宜普公司產品品質及可靠性總監馬豔萍博士
摘要:
本文討論了相比功率MOSFET器件,氮化鎵場效應電晶體具有高電子密度和非常低的溫度系數,使它能夠在目前的高性能應用中具有明顯的優勢。 電子密度產生優異的RDS(ON),而正溫度系數防止在晶片內產生發熱點,致使氮化鎵場效應電晶體可以在安全工作區域工作時具有更卓越的性能而不會發生故障。
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氮化鎵場效應電晶體具有正溫度係數, 因而在安全工作區域的電壓及電流等條件的範圍下,它具有更卓越的性能而能夠解決矽MOSFET器件在性能上的限制。
宜普公司將發佈所有氮化鎵場效應電晶體在安全工作區域的資料。該器件具有正溫度系數, 因而在安全工作區域範圍內只有一個小區域受限於器件的平均溫度。
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作者:宜普公司應用總監David Reusch 博士
雜誌:Power Electronics Technology
在過去的章節中,我們討論了氮化鎵場效應電晶體于硬開關、隔離及非隔離型轉換器應用中所具的優勢。 在第九部分,我們將展示氮化鎵器件在軟開關的應用中,相比目前的功率MOSFET器件,它可以改善效率及輸出功率密度。
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宜普公司的氮化鎵場效應電晶體具卓越開關速度，為具非常高的共振頻率的無線電源傳送提高功率電子的效率
宜普宣佈推出一個高效無線電源展示系統，內含具高頻開關性能的氮化鎵電晶體。使用宜普的氮化鎵場效應電晶體是這種系統的一個理想解決方案，因為它所具備的性能可以在高頻、高壓及高功率情況下有效率地工作。
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作者：宜普公司首席執行長Alex Lidow博士
日期：在2012年7月2日刊載於Power Pulse.NET網站
大約在2005年Eudyna 與Nitronex首次推出耗盡型射頻電晶體時，氮化鎵電晶體已經出現。之後有很多新的公司加入引進射頻電晶體（如RFMD, Triquint, Cree, 飛思卡爾, Integra, HRL, M/A-COM及其它公司)，以及在電源轉換應用為替代功率MOSFET而設計的電晶體（如Transphorm, 國際整流器公司, GaN Systems, microGaN及宜普電源轉換公司）。本論文主要在討論這個熱鬧的科研現象是代表氮化鎵電晶體已經準備好替代功率MOSFET嗎？如果是，原因是什麼呢？
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作者：宜普公司產品應用副總裁Michael de Rooij博士
日期：在2012年6月27日刊載於Power Electronics Technology 雜誌
無線電源產品的應用日益普遍，尤其是應用於通用產品如手機充電器。作為MOSFET技術的替代產品，增強型氮化鎵電晶體具備更快開關速度的性能，是無線電源應用的理想器件。這篇文章我們主要討論實驗性的評估一個內含氮化鎵場效應電晶體在6.78 MHz時工作的無線充電系統的感應線圈，適合用於多個輸出功率為5W的U盤充電負載。
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