宜普電源轉換公司(EPC) Alex Lidow於2015年APEC研討會上展示由氮化鎵元件推動的無綫電源傳送應用

Power Systems Design
2015 年3月19日
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Last week, El Segundo, Calif.-based Efficient Power Conversion, announced that its offering two types of power transistors made from gallium nitride that it has priced cheaper than their silicon counterparts. “This is the first time that something has really been higher performance and lower cost than silicon,” CEO Alex Lidow says. “Gallium nitride has taken the torch and is now running with it.”

IEEE Spectrum
May 8, 2015
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宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow與Power Systems Design雜誌編輯Alix Paultre分享全新eGaN FET系列，實現具備優越性能、更小的尺寸、高可靠性及低成本的元件。價格是封阻可替代矽MOSFET元件的氮化鎵電晶體的普及化的最後一個壁壘，而價格已經下降。

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Power Systems Design
2015年4月29日

宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow一直專注於製造創新產品，目的在延長摩爾定律的壽命。Intel及業界認為傳統矽晶片技術已經達到頂峰 --不久有公司將製造出一種矽材料可以實現的低成本及高效的晶片。Lidow說他找出一種比矽在很多方面都更為優勝的半導體材料--氮化鎵材料（GaN）。氮化鎵晶片無論是在實驗室或實際上的多個範例都比矽晶片優越、具備更低的製造成本及使用現有製造矽晶片的基礎設施，而且氮化鎵元件更為穩固及需要更少的保護性元素。

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PandoDaily
2015年4月21日

摩爾定律的預測已經變成自我應驗的預言。晶片的運算性能不僅僅是已經在每兩年/24個月得以倍升，它必需在每24個月內倍升才可以使科技業界及整個經濟不致陷入苦境、阻遏創新及經濟發展進程。

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re/code
Alex Lidow
2015年4月17日

Dean Takahashi at VentureBeat profiles Alex Lidow. Silicon chips have had a decades-long run as the foundation for modern electronics. But a new kind of chip, based on the compound material gallium nitride (GaN), promises to unseat silicon because it has higher performance, less power consumption, and lower cost.

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VentureBeat
April 2, 2015

Enhancement-mode gallium nitride (GaN) transistors have been commercially available for over five years. Commercially available GaN FETs are designed to be both higher performance and lower cost than state-of-the-art silicon-based power MOSFETs. This achievement marks the first time in 60 years that any technology rivals silicon both in terms of performance and cost, and signals the ultimate displacement of the venerable, but aging power MOSFET.

EDN
Alex Lidow
February 18, 2015

宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow在他的職涯中用了大部份時間開發一種可以替代矽技術的超高效技術。詳情請線上觀看Bloomberg TV的訪問。

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Bloomberg TV
2015年2月17日

Bloomberg Business的Ashlee Vance 剖析宜普電源轉換公司（EPC）的發展。一直以來，矽保留了它對半導體行業發展的影響力。在過去的六十年裡，電晶體所使用的半導體材料以矽為首選。電晶體就是細小的開關，它是驅動資訊時代發展的動力。矽谷也以此材料而命名，而且許多公司藉著它打造出價值十億元的王國。現在我們把眼光移離矽元素 -- 它最終有可能處於被取替的邊緣。

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Bloomberg Business
2015年2月12日

60年以來業界首次見證全新的半導體技術以更低的成本製造出比矽元件具備更高的性能的電晶體。氮化鎵（GaN）技術展示了它顯著提升了電晶體的性能之外，氮化鎵元件的製造成本比矽元件可以更低。由於氮化鎵電晶體具備快速開關特性，在高壓及大電流工作時它比任何前代的電晶體都更為優越，支援開發全新的應用。這些特性非常優越，可推動全新並改寫未來的應用的出現。但是氮化鎵技術的發展還是剛剛開始，它的發展前景將無可限量。

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EDN雜誌
作者：Alex Lidow
2015年1月

In this installment of the ‘How to GaN’ series we will discuss the 4th generation of eGaN FETs in 48 VIN applications and evaluate the thermal performance of the chipscale packaging of high voltage lateral eGaN FETs.

EEWeb
By: Alex Lidow
December, 2014

DesignCon 2015’s Thursday (January 29th) keynote speaker will be Dr. Alex Lidow, CEO and co-founder of Efficient Power Conversion Corporation (EPC). For most of his career, Alex has focused on improving the efficiency of power conversion in hopes of reducing the environmental impact of energy production and consumption. As an R&D engineer at International Rectifier, he co-invented the HEXFET power MOSFET. The patents from this invention brought in more than $900M. Alex holds numerous additional patents in power semiconductor technology, including basic patents in power MOSFETs as well as in GaN FETs. He recently co-authored the first textbook on GaN transistors, “GaN Transistors for Efficient Power Conversion”. You can catch Alex’s keynote speech at DesignCon 2015 on Thursday, January 29, 12:00 PM – 12:30 PM.

EDN
December 3, 2014
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In this installment of the ‘How to GaN’ series we will discuss a new family of eGaN FETs that is keeping Moore’s Law alive with significant gains in key switching figures of merit that widen the performance gap with the power MOFET in high frequency power conversion.

EEWeb
By: Alex Lidow
October, 2014

在下一代功率電晶體當中，氮化鎵（GaN）技術爲可替代矽MOSFET元件的其中一種技術。 當矽技術在性能上已經達到它的極限時，氮化鎵元件具更卓越的傳導性能及更快速開關性能。Alex Lidow在本播客將討論氮化鎵與矽功率元件的差异。

Power Electronic TIPS
2014年９月

本章展示在10 MHz频率開關、採用氮化鎵場效應電晶體的硬開關降壓轉換器的結果及提供轉換器功耗的細數。此外，我們將展示採用氮化鎵場效應電晶體的轉換器目前所取得無可匹敵的高頻性能及如果要推動器件工作在更高頻率時所面對的限制。

EEWeb
作者：Alex Lidow
2014年8月

Intent on flooding power device markets with GaN-on-silicon FETs, Alex Lidow, EPC, talks to Compound Semiconductor about future market opportunities.

Compound Semiconductor
July, 2014
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本章將討論我們設計的氮化鎵場效應電晶體（eGaN^®FET）模組使得電源轉換系統設計師很容易可對具超卓性能的氮化鎵電晶體進行評估

EEWeb
作者：Alex Lidow
2014年6月

IEEE功率電子協會（PELS）將於6月4日舉行線上研討會，屆時Alex Lidow及Michael de Rooij將討論eGaN®功率電晶體如何提高無線電源傳送系統的效率。

氮化鎵電晶體設計及應用專家宜普電源轉換公司（EPC）將於6月4日在美國東部夏令時間（EDT）早上10時30分至11時30分舉行一小時線上研討會，由IEEE學會的功率電子協會（PELS）贊助。

Electronic Design雜誌編輯Don Tuite訪問Alex Lidow，內容涵蓋EPC公司的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的最新及新穎應用。

Electronic Design雜誌
2014年3月
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本章我們回到討論硬開關轉換器，但不同的是電晶體在更高頻率的條件下工作，超越矽技術的實際限制。

EEWeb
作者： Alex Lidow
2013年12月