航天工业正在经历向“新空间”的变革，受到普遍连接需求的增加和创新商业模式出现的推动。这一变革的关键元素之一是氮化镓（GaN）技术在航天应用中的采用。由于其出色的抗辐射能力、高系统效率和轻量化特性，GaN具有巨大的潜力。

在与EE Times Europe的讨论中，Yole Group旗下Yole Intelligence的技术和市场分析师Taha Ayari和Aymen Ghorbel解释了新空间——低地球轨道（LEO）任务段，卫星的典型寿命为三到五年，可靠性要求较低——如何成为GaN应用的焦点。因此，电力GaN器件正在被用于各种卫星系统，包括DC/DC转换器、负载点系统、电机驱动和离子推进器。

EE Times Europe
2023年10月
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影响氮化镓技术在各种电源管理应用中的快速渗透普及有哪些因素？在本文中，我们将深入探讨在过去 13 年中我司访问过、已投入批量生产的客户的反馈。

Power Electronics News
2023 年 10 月
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由电池供电的工业车辆，例如叉车、手动搬运车或仓库内的自动汽车，需要大电流逆变器来驱动电机。 氮化镓技术有助于提高这些应用中的功效和简化逆变器的设计。

Bodo System
2023 年 10 月
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宜普电源转换公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow表示，GaN的成本竞争力亦与Si MOSFET并驾齐驱，潜在爆发力更有过之而无不及，目前最关键就是得重塑诸多研究者的老旧观念，认为GaN昂贵到碰不得。GaN的技术正迎来转捩点，在先进运算、车用电子、太空电子及消费电子等新型应用设计多数采GaN技术，而非Si MOSFET……

DIGITIMES Asia
2023年9月
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宜普电源转换公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow接受DIGITIMES专访，提到GaN主要会被应用在650V及以下市场。反之碳化硅则是主导650V以上的市场，它可望取代硅基绝缘栅极双极性晶体管。宜普也在开发对速度及尺寸特性极为要求的400V以下市场。且致力于制造比Si功率元件拥有更高性能、更具成本竞争力的GaN元件。

DIGITIMES Asia
2023年9月
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将GaN带入最后的边疆，EPC Space推出了两款新的辐射加固GaN晶体管，用于空间应用中的高电流开关。随着商业卫星数量的不断增加，设计人员需要更多选项来满足具有改进电流处理能力的空间电力电子设备的需求。

《All About Circuits》
2023年9月
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在功率转换、电机驱动和激光雷达等应用中，15 V至350 V范围内的氮化镓（GaN）异质结场效应功率晶体管显示出比硅具有显著优势的，无论是在效率、尺寸、速度和成本方面。这些优势源于关键电场的数量级比硅高出一个数量级，具体而言，尤其是高三倍的带隙方面有3倍的优势，和高1.3倍的电子迁移率方面有1.3倍的优势。

Bodo’s Power Systems
2023年9月
读过的文章

随着处理能力的增强和更复杂的负载被放置在轨道上或深空任务中，有时需要并联两个或多个电源开关。然而，传统的电源设备封装，如FSMD-A/B/C/D及其I/O垫片设置，使得在性能敏感的情况下实现这些设备的并联变得困难。当并联时，这些封装上的栅极和源感垫片要么阻挡了从封装到封装的漏极和源极连接的最有效/最短互连，要么阻挡了栅极和源感垫片的连接。因此，在并联配置中，总是在优化漏极-源极负载电路性能和栅极-源感驱动环路性能之间做出妥协。本文介绍了FSMD-G离散HEMT封装，并解释了其I/O垫片的重新配置如何在并联GaN HEMT时克服这些限制。

How2Power
2023年9月
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EPC Space 推出了用于太空电源转换器和其他恶劣环境的抗辐射氮化镓设备。

电子周刊
2023年8月
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氮化镓（GaN）器件提供了众多优势，非常适合空间工业的需求，解决了与可靠性、辐射生存能力和空间遗产相关的挑战。

电力电子新闻
2023年8月
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微型逆变器和功率优化器在现代太阳能电池板中被广泛使用，以最大限度地提高能源效率和转换。这些拓扑结构和实施通常需要至少25年的使用寿命，这已成为市场采用的一个关键挑战。低电压氮化镓 (GaN) 功率器件（VDS 额定值 < 200 V）是一个有前景的解决方案，越来越多的太阳能制造商正在广泛使用它们。

在本文中，采用了一种测试到失败的方法，并将其应用于研究 GaN 晶体管的内在磨损机制。该研究使得基于物理的寿命模型得以开发，这些模型可以准确地预测在太阳能应用的各种任务配置下的寿命。

How2Power
2023年8月
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As the revolution of renewable energy as well as transportation electrification progresses, the need for residential energy storage systems is increasing. A high efficiency DC-to-DC converter is usually required to exchange energy generated from renewable sources, such as solar panels, with a battery. The fast-switching speed and low R_DS(on) of gallium nitride (GaN) FETs can help save energy by reducing power consumption inside the DC-to-DC converter. This article shows how to design a high efficiency 100 – 250 V to 40 - 60 V DC-to-DC converter.

Power Electronics Europe
May, 2023
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汽车电子在过去30年内经历了几个时代的演变。 从主要采用机械或发动机驱动系统的纯内燃机 (ICE)，到添加电力动力的轻度混合动力 (MHEV)，再到全电池电动汽车 (BEV)应用。 在这三个时代中，用于转换和分配电力的架构甚至基本半导体元件都发生了重大的变化。 本文讨论了这个进化过程和对将来进化的方向做出了一些推测。

Power Systems Design
2023年8月
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在本文中，瑞萨电子解释了在ISLVERSALDEMO2Z参考设计中使用基于GaN的离散电源为核心的电源管理在空间航空电子系统中带来的若干优势。

电力电子新闻
2023年7月
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低压 GaN FET 可实现更小、冷却要求最小化和效率更高的解决方案

与采用传统的硅基功率 MOSFET的应用相比，低压 GaN FET（即 100 V）可实现更小，冷却要求最小化和效率更高的解决方案。 本文讨论了氮化镓器件如何应对动态性能需要重复且可靠的表征的挑战。 定制氮化镓夹具和测试板的机械和电气设计仔细、周全，就可以克服其中许多挑战，使您能够在设计功率转换器时，自信地使用这些新型宽能隙器件。

Power Electronics News
2023年7月
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瞬态电压过冲是氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMTs）在高斜率开关条件下的常见现象。在这种压力下的动态参数不稳定性是氮化镓应用的关键问题。这项工作首次准确表征了在重复电压过冲高达数十亿次开关周期下氮化镓HEMTs动态导通电阻（R_DS(on)）的演变。发现动态R_DS(on)的增加是过压开关下主要的器件退化原因。这些发现是通过高频、重复、未钳位电感开关（UIS）测试，结合主动温度控制和准确的原位R_DS(on)监测获得的。提出了一个基于物理的模型，将动态R_DS(on)漂移与峰值过压相关联，并与实验数据达成了良好的一致性。该模型进一步用于预测氮化镓HEMTs的寿命。对于在100 kHz和120 V尖峰下切换的100 V额定氮化镓HEMTs，模型预测在连续运行25年内动态R_DS(on)漂移不到10%。这项工作解决了氮化镓HEMTs过压开关可靠性的主要问题，并提供了电子俘获机制的新见解。

IEEE Xplore
张瑞哲，Ricardo Garcia，Robert Strittmatter，张宇浩，张盛科
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事实证明，15 V ~ 350 V 氮化镓异质结场效应功率晶体管在功率转换、电机驱动和激光雷达等应用中，无论是在效率、尺寸、速度和成本方面都比硅器件更具优势 。氮化镓集成电路为许多高频应用提供了多方面的系统级优势。 氮化镓集成电路才刚刚发展，其优势肯定会随着其技术发展而不断增强。

Bodo’s Power Systems
2023年6月
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宜普电源转换公司(EPC)是增强型氮化镓 (GaN) FET 和 IC产品的领导者，在纽伦堡举行的 PCIM Europe 2023展会上分享了关于氮化镓技术的发展和其应用的演示。 我们与该公司的联合创始人兼首席执行官 Alex Lidow 就电力电子行业和氮化镓技术对行业的影响进行了深度交流。

Electronic Design
2023年5月
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在本期《Spirit: 幕后揭秘》节目中，Spirit Electronics 的 CEO Marti McCurdy 与 EPC 的 CEO Alex Lidow 和市场总监 Renee Yawger 聊天，讨论了氮化镓（GaN）的进展。他们讨论了 GaN 在高辐射下的性能，以及 EPC 的第 15 阶段可靠性报告中详细介绍的大量测试、失效模式和器件寿命。随着 GaN 的全部潜力尚待发掘，并且 EPC 新产品频繁发布，包括新的半桥驱动器、低侧驱动器和完整的功率阶段，GaN 在新空间和商业空间应用中尤为有用。

Spirit: 幕后揭秘
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Monolithic GaN integration has matured to the point that complex circuits such as a half bridge gate driver with various features can now be realized. This article will cover DC-to-DC and BLDC motor drive application examples that benefit from monolithic half-bridge integration.

Power Electronics News
May, 2023
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