米テスラモーターズ社の「半」自動運転機能「オートパイロット」の運転技術を可能にする技術の供給会社の最高技術責任者（CTO）は、自動車メーカーが安全なボディへと強く推進すると信じています。
「それは、安全な方法で、すべての可能な衝突の状況を網羅するように設計されていません」とイスラエルのMobileye社のCTOでエグゼクティブ・チェアマンのAmnon Shashua氏が水曜日に通信社のロイターに語りました。
米Computerworld誌 2016年9月15日 記事を読む
将来的に、自動運転車は、レーザーに基づく検出技術が必要になり、これらのシステムには、シリコンを打ち負かすことができる新しいタイプの高速トランジスタやチップが必要になります。
これは、Alex Lidow（アレックス・リドウ）の主張です。同氏は、スタンフォード大学で博士号を取得した物理学者、起業家、および、米国カリフォルニア州エルセグンドにある企業Efficient Power Conversion（通称EPC）の共同創立者でCEO（最高経営責任者）です。この会社は、シリコンよりも、より高速に、より効率的に動作する安価な材料によるトランジスタやチップを作っています。
米フォーチュン誌 2016年9月8日 記事を読む
このシリーズの最初の3回は、EPCのエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）電界効果トランジスタ（FET）と集積回路（IC）のフィールド信頼性の実績とストレス・テストにおける品質を扱いました。文書にまとめられた優れたフィールド信頼性は、デバイスがアプリケーション内で遭遇するとみられる動作条件を網羅するストレス・テストを実施した結果です。同様に重要なのは、予想された動作条件（例えば、データシートのパラメータと安全動作領域）を超えてストレスが加えられたとき、eGaNデバイスにどのように不具合が起こるかの根本的な物理を理解することです。今回は、eGaNのウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ（WLCSP）の熱機械的な信頼性を中心とする故障の物理学を深く掘り下げるものになります。
米Planet Analog誌 Chris Jakubiec 2016年9月7日 記事を読む
EPCの信頼性レポートのフェーズ8は、合計800万GaNデバイス-時間を超えて不具合ゼロだったことをまとめたものです。このレポートは、EPCのデバイスが品質認定された製品として発表される前に実施されるストレス・テストを詳細に調べたもので、故障の物理を分析しています。
Bodo’s Power Systems誌 2016年9月1日 記事を読む
Efficient Power Conversion（EPC）社は、受信機器で使われる任意の規格に対応できる高効率でマルチモードのワイヤレス・パワー充電システム向けにeGaN FETとICを利用するための評価プロセスを単純化するため、完全な実証としてマルチモードのワイヤレス・パワー充電キットEPC9121を素早く利用する方法を説明します。 eGaN®FETとICの優れた特性によって、受信機器に使われるワイヤレス・パワー規格にかかわらず、機器を無線で充電することができる低コストで単一の送信アンプ・ソリューションを実現できます。 PCIM Asia 2016におけるエンジニアによる最新デモ・キットEPC9121のビデオを見る、および関連インタビュー
窒化ガリウムIC：サーバーの電力効率を向上 ―― 無駄な電力、冷却、スペースを削減することは、データセンターのサイズに対する関心事だけにとどまりません。各ラックの範囲内での争いでもあります。そして、ときに、1つの小さな変化でも、大きな違いを生むことがあります。
米TechBeacon 2016年8月2日 記事を読む
GaNベースのFETは、電力変換市場を破壊し、シリコン・ベースの金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を置き換え続けています。MOSFETに比べて、GaN FETは、はるかに高速に動作し、可能な限り小さな体積で、より高いスイッチング速度を実現できます。GaNの可能性は、任意の電源のサイズと重さを劇的に削減できることです。その潜在性能を引き出すためには、この高性能GaNトランジスタに最適化されたゲート・ドライバが必要です。 米Peregrine Semiconductor社 2016年７月12日 記事を読む
このシリーズの最初の2回では、Efficient Power Conversion（EPC）社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）FETと集積回路（IC）のフィールドにおける信頼性の実績を詳細に報告しました。ストレスに基づく品質試験で、顧客のアプリケーションにおける信頼性を確保することが可能であり、eGaNデバイスの優れたフィールド信頼性が実証されています。この回では、製品を品質認定する前に、EPC社のデバイスに実施されるストレス・テストを検討します。 米Planet Analog Chris Jakubiec 2016年７月9日 記事を読む
シリコン・バレーという名称の元になった原料に、有望な新しいライバルが立ちはだかっています―― 窒化ガリウム（GaN）。この新参者は、300億米ドルの半導体電源市場に突入する用意が整っていると言われています。米アップル社（AAPL）のiPhoneの充電器からテスラモーターズ社（TSLA）の高級電気自動車に至るまで「壁にプラグを差し込まない」という市場です。 米Investor's Business Daily紙 2016年7月 July 2016 記事を読む
火曜日、私は、米国カリフォルニア州エルセグンドの半導体企業EPC社の創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）と対談するという幸運に恵まれました。彼は、半導体の世界では、ちょっとした有名人です。Lidowは、1977年に、半導体売上高の何10億米ドルの基礎となったデバイス「パワーMOSFET」を思い付きました。 彼の新会社は、「Efficient Power Conversion」の頭文字をとった名称で、MOSFETの基礎となり、半導体の最も一般的な種類であるシリコンに対して、それと異なる材料である窒化ガリウム、一般的にGaNと略記されますが、これで置き換えを狙っています。Lidowは、同社が新たに改良したGaNを「eGaN」と呼んでいます。 米バロンズ紙 Tiernan Ray 2016年6月29日 記事を読む
ハードスイッチ、ソフトスイッチ、高周波といった電力変換など、さまざまなアプリケーションにおいて、eGaN FETとシリコンMOSFETとの比較がいくつか実施されています。これらの比較は、シリコンMOSFETを上回る高効率と高電力密度が得られるというeGaN FETの優位性を示しています。ここでは、同期整流器（SR）のアプリケーションへのeGaN FETの利用、およびデッドタイム管理の重要性に焦点を当てます。eGaN FETは、低オン抵抗RDS(on)で低電荷というメリットだけでなく、同期整流器におけるデッドタイムによる損失を劇的に低減できることを示します。 米Power Systems Design誌 By: John Glaser博士、David Reusch博士、Efficient Power Conversion 2016年6月13日 記事を読む
米国マサチューセッツ州アンドーバー発：米レイセオン社のIntegrated Air Defense Centerの正面玄関に非常に大きなマイクロ波電子機器があり、これが電子レンジの元祖として使われたことを思い出します。レイセオン社のエンジニアは、同社が開発していたレーダー・システムで使われたマグネトロンの近くに立っていたとき、彼のキャンディー・バーが溶けてしまうことを発見しました。その後、今日、どの家庭のキッチンにもある機器が発明されました。ほぼ冷蔵庫サイズの電子レンジの元祖は、金属の暖炉の内に置かれたものは何でも、とてもよく調理できたように見えます。これは、マグネトロンからのマイクロ波を包むように意図されました。 米Ars Technica 2016年6月9日 記事を読む
この半導体チップの巨人の幹部たちは、この企業がパソコンから離れて旋回するように、AirFuelアライアンスを去ろうとしていますが、米WiTricity社は、コンピュータ関連の展示会Computexで無線充電マットを使う米デル社のノート・パソコンを披露しました。 米ZDNet Sean Portnoy 2016年6月8日 記事を読む
この3年間、米インテル社は、新しいパソコンが完全に無線化されるのは確実として、次の大きな購買サイクルのパソコン需要に向けてかき立てられています。インテル社のシニアPC幹部であるKirk Skaugen氏は、「私たちは、たくさんの電線を持ち歩いています。電話、タブレット、パソコンに対して6本のケーブルを持ち歩いています。これらのすべてのケーブルを排除したい」とコンピュータ関連の展示会Computex Taipei 2015で語りました。 米Forbes誌 Elise Ackerman 2016年6月6日 記事を読む
より高い電力密度を要求するパワー・コンバータでは、トランジスタは、永遠に削減され続けている基板スペースに収容されなければなりません。電気的な効率を改善するための窒化ガリウム・ベースのパワー・トランジスタの能力に加えて、熱的な効率もより高めなければなりません。この記事では、チップスケール・パッケージ封止のeGaN® FETの熱特性を評価し、回路内での電気的および熱的特性を最先端のシリコンMOSFETと比較します。 Bodo’s Power Systems誌 David Reusch博士、Alex Lidow博士 2016年6月1日 記事を読む
カリフォルニア州ミルピタス発のPRNewswire：革新的なパワー・マネージメント（電源管理）と高精度アナログ・ソリューションのリーディング・プロバイダである米インターシル社（NASDAQ：ISIL）は本日、衛星や他の過酷な環境のアプリケーション向けに、窒化ガリウム（GaN）の電力変換ICを含めた市場をリードする耐放射線ポートフォリオを拡張する計画を発表しました。 米PR Newswire誌 2016年5月25日 記事を読む
スマートなウエアラブルやノート・パソコンからハンドヘルド・ツールや電気自動車まで――すべての電子製品を改善するための1番の障壁は、充電池技術です。現在の最先端の充電池であるリチウムイオンは、25年前から出回っています。ハイテクが進んでいますが、これは、かなり古いものです。何か新しいものが出てくる時期だと思いませんか？ 米Fortune誌 Steve Tobak 2016年5月13日 記事を読む
Efficient Power Conversion（EPC）社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）のFETと集積回路（IC）は、LiDAR（光による検出と距離の測定）、無線充電、DC-DC変換、RF基地局の送信、衛星システム、オーディオ・アンプなどの多くの最終ユーザーのアプリケーションへの道筋を見つけています。 フィールドの信頼性は、顧客のアプリケーションに採用されているeGaN® FETとICの品質レベルを裏付ける究極の評価基準です。最初の採用については、量産出荷の6年間、および全体で170億デバイス時間以上の記録を含めて、eGaN FETのフィールド信頼性の概要を公表しました。その後の計算された故障件数（FIT：109時間の故障数）が約0.24 FITだったことは、これまでの優れたフィールド信頼性特性を示しています。 米Plant Analog誌 Chris Jakubiec 2016年5月1日 記事を読む
クロード・シャノンが1と0、すなわち基本的な2進数に情報の伝達を削減し、1948年に『通信の数学的理論』を書いたとき、すべてが始まりました。その理論は、現実世界の雑音に満ちた環境で誤りなしにデータを伝送する能力につながりました。シャノンは、2016年4月30日に100歳になっていたでしょう。 米EDN Network誌 Steve Taranovich 2016年4月16日 記事を読む