開発基板のEPC9059は、電力密度を高めるために大電流化、高周波化したPOL（負荷点）コンバータの用途向けに、業界で初めてモノリシックのハーフブリッジ・エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）集積回路を搭載しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2016年1月27日、電力変換回路のサイズを小型化するために、eGaN ICを使って大電流化、高周波化したPOL（負荷点）コンバータ用のハーフブリッジ開発基板「EPC9059」を製品化しました。開発基板EPC9059は、最大デバイス電圧が30 Vで、最大出力電流は50 Aです。大きな出力電流を得るために、基板上の1個のゲート・ドライバで、2個の30 VのeGaN IC（EPC2100）を並列動作させています。GaNデバイスは、シリコンMOSFETと比べて、優れた電流分割能力を備えているので、並列動作に向いています。

EPC社は、窒化ガリウムのFETと集積回路による設計の基礎、DC-DC変換、無線充電、信頼性、および、この他のアプリケーションに関して、業界の専門家が作成した9部構成の教育ビデオ・シリーズを公開しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2016年1月22日、窒化ガリウムに基づくトランジスタと集積回路を使って、より効率的な電力変換システムを設計する方法についての先進的な技術情報や応用例を電源システムの設計者に提供するために、9部構成の教育ビデオ・シリーズを追加し、GaN技術のビデオ・ライブラリを拡張しました。

EPC社の新しい開発基板によって、電源システムの設計者は、最高30 MHzまで動作するE級アンプ、電流モードD級アンプ、およびプッシュプル・コンバータにおいて、200 Vの窒化ガリウム・トランジスタによって達成できる高効率を簡単かつ迅速に評価することができます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2016年1月15日、最高30 MHzまで動作するGaNベースで高効率の差動モード開発基板を製品化しました。この基板は、電源システムの設計者に、窒化ガリウム・トランジスタの優れた特性を評価し、自分の製品を迅速に量産化するための使いやすい方法を提供します。

GaNの商用化を可能にするためのパワー・デバイス技術の革新を認める受賞

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2016年1月14日、CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、GaNの商用化を可能にするパワー・デバイス技術の革新によって、北米の2015年SEMI賞の受賞者として選ばれたと発表しました。Lidow博士は、プロセスと技術の統合の分野での業績に対する栄誉を与えられます。

Zhang博士は、包絡線追跡の設計のベンチマークを作成し、高周波、高性能の電力変換システムにeGaN^® FETを利用する顧客を支援します。

Eエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2016年1月11日、Yuanzhe Zhang博士がアプリケーション・エンジニアリング部門のディレクタとしてEPC社のエンジニアリング・チームに参加すると発表しました。

米EDN誌の2015年Hot 100 Productとして認められた低価格の窒化ガリウムFET のEPC2035/36は、同等のシリコン・ソリューションよりも高性能、小型、低コストです。EPC社のeGaN技術がHOT100として認められたのは、5年間で3回目になります。

エンハンスメント・モード窒化ガリウムFET技術のリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年12月16日、当社の高速、低価格のeGaN FETであるEPC2035（60 V）とEPC2036（100 V）が米EDN誌の2015年100 Hot Productsのリストに掲載されたと発表しました。

ワイヤレス・パワーのハンドブック『Wireless Power Handbook』の第2版では、窒化ガリウム・パワー・トランジスタの優れた特性を利用して、ワイヤレス・パワー伝送システム向けの高効率アンプを設計するための指針を改訂し、拡張しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年12月15日、ワイヤレス・パワーのハンドブック『Wireless Power Handbook』の第2版を発行したと発表しました。この第2版は、窒化ガリウム・トランジスタを用いた高効率ワイヤレス・パワー・システムを理解し、設計するために重要な参考事項や貴重な経験を、電源システムの設計エンジニアに提供するために企画した実用的な工学ハンドブックです。

Cataldoは、EPCのグローバル・セールスとマーケティングの組織を監督し、最先端の電力変換システム向けのeGaN^® FETと集積回路を採用する顧客を支援します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年12月2日、当社の成長を加速するために、Nick Cataldoがグローバル・セールス・アンド・マーケティングのシニア・バイス・プレジデントとして、EPCのリーダーシップ・チームに参加したと発表しました。Cataldoは、半導体業界において、マーケティングと営業の業務経験が35年以上あります。EPCでの主要な責務は、当社のグローバルな販売目標を達成するために、営業およびマーケティングの戦略を作成し、実施することです。

100 V、1 A、550 mΩのエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタEPC2037は、デジタル論理ICで直接駆動でき、無線充電のD級アンプやE級アンプの用途において、優れた高周波スイッチング特性を実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年10月6日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタ（eGaN^® FET）・ファミリーの最新の製品として「EPC2037」を発売しました。

EPCのDC-DC Conversion handbookは、GaNパワー・トランジスタを用いたデータ通信機器や電力変換の用途において、効率や電力密度の向上を実現する方法を示す実用書です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年9月16日、DC-DC変換のハンドブック『DC-DC Conversion Handbook』を発行しました。情報への需要は、これまでにない速さで拡大し、通信、コンピューティング、ダウンロードへの社会の飽くなき要求がこの需要を牽引しています。クラウド・コンピューティングや、モノがインターネットにつながるIoT（internet of things）、言うまでもなくYouTubeに毎分、300時間もの動画が上げられることなど、新しい技術が出現し、もっと多くの情報にもっと高速にアクセスしたいというこのトレンドには、減速の兆候は見られません。これが、この実用的な工学ハンドブック『DC-DC Conversion: A Supplement to GaN Transistors for Efficient Power Conversion』執筆への動機づけとなり、挑戦となりました。

120 V、60 mΩでデュアルのエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー集積回路EPC2110は、ワイヤレス・パワー伝送のE級アンプの用途において、超高速スイッチングの優れた特性を実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年9月11日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム集積回路ファミリーの最新製品「EPC2110」を発売しました。

新しいeGaN^® FET のEPC2039は、超小型パッケージに封止し、高性能、大電力を非常に手頃な価格で提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年8月13日、電力密度が高いエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）デバイスのパワー・トランジスタ「EPC2039」を発売しました。EPC2039は、面積が1.82 mm²と小さく、耐圧80 V、最大電流6.8 Aで、ゲート電圧5 Vのときの最大オン抵抗R_DS(on) は22 mΩです。このGaNパワー・トランジスタは、超小型パッケージで高いスイッチング能力があるため、電力変換システムにおいて性能を向上できます。

GaNパワー・トランジスタのEPC2106は、2 MHz以上でスイッチングするソリューションを電源システムの設計者に提供します。この結果、AM帯域との干渉がなく、フィルタリングのためのコストを削減できるので、低歪みのD級オーディオ向けに最適です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年8月4日、エンハンスメント・モードGaNトランジスタのモノリシック・ハーフブリッジ「EPC2106」を発売しました。2個のeGaN®パワーFETを集積して単一のデバイスにすることによって、デバイス間の相互接続インダクタンスやプリント回路基板上に必要な間隔が排除されます。エンド・ユーザーの電力変換システムの組み立てコストを削減できると同時に、効率（特により高い周波数で）と電力密度の両方を向上できます。

eGaN^®パワー・トランジスタは、電力変換特性のバーを上げ続けています。低いオン抵抗、低い容量、大電流、および優れた熱特性によって、高い電力密度のコンバータを実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年5月28日、電力変換特性のバーを上げるeGaN FETを2品種発売しました。2品種とも最大動作温度は150℃で、パルス電流能力は200 A（耐圧150 Vの「EPC2033」）と140 A（200 Vの「EPC2034」）です。用途は、DC-DCコンバータ、DC-DCコンバータやAC- DCコンバータの同期整流、モーター駆動、LED（発光ダイオード）照明、産業用オートメーションなどです。

米Integrated Device Technology（IDT^®）社（NASDAQ：IDTI）は本日、高速、高効率で広く知られている半導体材料である窒化ガリウム（GaN）に基づく技術を開発するために、Efficient Power Conversion（EPC）社との協業を発表しました。この協業の下で、両社は、業界をリードするIDT社のソリューションとEPC社のeGaN^®技術の統合について検討します。

プレスリリースの全文を読む

新しいeGaN^®パワー・トランジスタは、成熟した製造プロセスや組み立てラインとの互換性を強化し、大量生産が容易な高性能でワイド・ピッチのチップスケール・パッケージに収めたEPC社のパワー・トランジスタのポートフォリオを拡張します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年5月21日、ワイド・ピッチの接続レイアウトで設計したeGaN FETを3品種発売しました。これらの製品は、はんだボール・ピッチを1mmに広くしたことが特徴で、EPC社の「リラックス・ピッチ」のデバイス・ファミリーの拡張です。このワイド・ピッチは、実装面積が2.6mm×4.6mmと非常に小さいにもかかわらず、高い電流処理能力を可能にするために、デバイスの下により大きなビアを追加して配置することができます。

eGaN^®パワー・トランジスタの新しいファミリーは、優れた性能、小型化、高い信頼性を提供します――しかもMOSFETの価格で。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年4月29日、シリコンの性能を上回ると同時に、価格で競合できるように設計したeGaNパワー・トランジスタ2品種（耐圧60 Vの「EPC2035」と耐圧100 Vの「EPC2036」）を発売しました。価格、すなわち、シリコンMOSFETの代替品として、GaNトランジスタ普及への最後の壁が崩壊しました。これらの製品は、窒化ガリウムが、シリコン半導体を置き換えることが可能で、この業界がムーアの法則の成長曲線に戻ることに貢献できることを実証しています。

この新しい耐圧100 VのハーフブリッジEPC2104によって、EPC2104を使う完全なバック（降圧型）・コンバータのシステム効率は、48 Vから12 Vに変換するときに、スイッチング周波数300 kHz、22 A出力で97％以上、500 kHz、22 Aで97％弱が得られます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年4月16日、耐圧100 Vのエンハンスメント・モードGaNトランジスタのモノリシック・ハーフブリッジ「EPC2104」を発売しました。2個のeGaN^®パワーFETを単一のデバイスに集積することによって、相互接続インダクタンスとプリント回路基板上に必要になるスペースを削減できるので、トランジスタによって占有される基板面積を半分に減らすことができます。さらに、エンド・ユーザーの電力変換システムの組み立てコストを削減できると同時に、（特により高い周波数において）効率を改善し、出力密度を高められます。

新しいGaNパワー・トランジスタEPC2029は、大量生産を容易にするために、より広いピッチのチップスケール・パッケージに封止した高性能な製品で、EPC社のパワー・トランジスタのポートフォリオを拡張します。成熟した製造プロセス、および組み立てラインとの互換性を重視しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年4月13日、より広いピッチの接続レイアウトで設計されたeGaN^® FETを発売しました。「リラックス・ピッチ」・デバイスの新しいファミリーの最初の製品である「EPC2029」は、耐圧80 V、最大電流31 AのeGaN FETで、はんだボール・ピッチを1 mmに広げたことが特徴です。ピッチを広げたことによって、デバイスの下に、より大きな追加のビアを配置できるので、非常に小さい実装面積（2.6 mm×4.6 mm）にもかかわらず、大電流を処理することが可能になります。

評価基板DrGaNPLUSファミリーのEPC9201（30 V、40 A）とEPC9203（80 V、20A）は、高速スイッチング可能なeGaN®パワー・トランジスタを使って得られる非常に小型で高効率の電力変換を実証します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年3月17日、電源システムの設計者が窒化ガリウム・トランジスタの比類のない特性を評価し、その製品を迅速に大量生産するための使いやすい方法を提供する評価基板DrGaNPLUSのポートフォリオを拡大しました。これらの基板は、GaNトランジスタの電力変換ソリューションの優れた特性を実証するために、簡単に実装することができる極めて小型の単一プリント回路基板モジュールに、ハーフブリッジ回路に必要なすべての部品を統合した概念実証設計です。