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Efficient Power Conversion(EPC)、モーター駆動の新しいセンター・オブ・エクセレンスを開設へ

Efficient Power Conversion(EPC)、モーター駆動の新しいセンター・オブ・エクセレンスを開設へ

Efficient Power Conversion(EPC)は、ユーザーが拡大しているモーター駆動用途にGaNの力を活用できるよう支援するために、イタリアのトリノにモーター駆動の新しいセンター ・オブ ・エクセレンス(CoE)・デザイン・センターを開設しました。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は9月14日、イタリアのトリノ近郊に、イーモビリティ、ロボット、ドローン、および産業オートメーションの市場におけるGaN技術に基づくモーター駆動用途の拡大に焦点を当てた新しいデザイン・アプリケーション・センターを開設したと発表しました。このスペシャリスト・チームは、ユーザーの設計サイクルの加速をサポートし、400 W~数10 kWまでの用途をテストするための最先端の機器を使って、パワー・マネージメント(電源管理)用の将来の集積回路の設計に貢献します。

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パッケージ封止のGaN FETは、フットプリント互換のソリューションを提供し、費用対効果を最適化します

パッケージ封止のGaN FETは、フットプリント互換のソリューションを提供し、費用対効果を最適化します

熱的に強化されたQFNパッケージ封止のGaN FETは、DC-DC変換、AC/DC充電器、太陽光発電用のオプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動、D級オーディオなどの高電力密度用途向けに、より高性能で小型のソリューション・サイズを提供します。

米Power Electronics News誌
2022年9月
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Efficient Power Conversion(EPC)、パッケージ封止のGaN FETファミリーを拡大へ、フットプリントの互換性があり、電力密度を高めて熱特性を改善すると同時に費用対効果を最適化

Efficient Power Conversion(EPC)、パッケージ封止のGaN FETファミリーを拡大へ、フットプリントの互換性があり、電力密度を高めて熱特性を改善すると同時に費用対効果を最適化

Efficient Power Conversion(EPC)は、耐圧100 V、オン抵抗3.8 mΩのGaN FETであるEPC2306 を発売し、DC-DC変換、AC/DC充電器、太陽光発電用オプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動、 D級オーディオなどの高電力密度用途向けに高性能で小型なソリューション・サイズを提供へ。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は9月8日、耐圧100 Vの「EPC2306」を発売したと発表しました。熱的に強化されたQFNパッケージの市販のGaN FETの選択肢を拡大します。高密度コンピューティング用途で使う48 VのDC-DC変換、イーモビリティやロボット向けの48 VのBLDCモーター駆動回路、太陽光発電用 オプティマイザとマイクロインバータ、D級オーディオなどに向けて設計しています。

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独BRC Solarが次世代ソーラー・オプティマイザにEPCの100 VのeGaN FETを選択

独BRC Solarが次世代ソーラー・オプティマイザにEPCの100 VのeGaN FETを選択

100 VのGaN FETであるEPC2218は、BRCの新しいパワー ・オプティマイザ M500/14で、スペースの制限を緩和し、より高い周波数と電力定格を達成しています。

BRC Solar GmbHは 8月23日、太陽光の発電所とシステムのエネルギー収量と性能を向上させるパワー ・オプティマイザで、太陽光発電市場に革命をもたらしています。Efficient Power Conversionの 100 VのFETであるEPC2218を次世代のパワー ・オプティマイザM500/14の設計に組み込むことで、低消費電力で小型なGaN FETによって、重要な負荷回路をより小型にできるので、より高い電流密度が可能になりました。GaN FETは、寄生の容量とインダクタンスが小さいため、クリーンなスイッチング特性が得られ、フィールドで良好なEMI(電磁干渉)雑音特性が得られます。GaN FETのもう 1 つの利点は、逆回復損失がゼロであることです。

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Efficient Power Conversion(EPC)、35 AのGaN ePower Stage ICを製品化、電力密度を高め、設計を単純化

Efficient Power Conversion(EPC)、35 AのGaN ePower Stage ICを製品化、電力密度を高め、設計を単純化

Efficient Power Conversion(EPC)は、1 MHz動作で最大 35 Aの能力を備えた完全な GaN ハーフブリッジ ・パワー段を集積した最新の ePower™ Stage ICを製品化し、DC-DC変換、モーター駆動、 D級オーディオ・アンプなどの高電力密度アプリケーション向けに高性能で小型ソリューション・サイズを実現できます。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は8月10日、高密度コンピューティング用途や、イーモビリティ、ロボット、ドローン向けの48 VのBLDC モーター駆動で使われる48 VのDC-DC変換用に設計された100 V、35 Aの集積回路を製品化したと発表しました。

このeGaN IC「EPC23102」 は、最大耐圧100 Vで、最大35 Aの負荷電流を供給でき、スイッチング速度は1 MHz以上です。

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Efficient Power Conversion(EPC)、要求の厳しい宇宙用途向けに、市場で最高の密度と効率を提供する耐放射線GaNトランジスタを製品化へ

Efficient Power Conversion(EPC)、要求の厳しい宇宙用途向けに、市場で最高の密度と効率を提供する耐放射線GaNトランジスタを製品化へ

Efficient Power Conversion(EPC)は、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性が要求される環境での電力変換ソリューション向けの耐放射線(rad-hard)窒化ガリウム(GaN)製品のファミリーを拡張し、この製品ファミリーに5番目の耐放射線デバイスを追加します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月30日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7004」を製品化すると発表しました。EPC7004は、耐圧100 V、オン抵抗7 mΩ、パルス電流160 APulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は6.56 mm2と小型です。EPC7004の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm2)のLETに対するSEE耐性があります。EPC7004、および、この他の耐放射線ファミリーであるEPC7014EPC7007EPC7019EPC7018は、市販のeGaN® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。

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Efficient Power Conversion(EPC)、要求の厳しい宇宙用途向けの100 Vの耐放射線GaNトランジスタを製品化、市場で最も低いオン抵抗のソリューションを提供へ

Efficient Power Conversion(EPC)、要求の厳しい宇宙用途向けの100 Vの耐放射線GaNトランジスタを製品化、市場で最も低いオン抵抗のソリューションを提供へ

Efficient Power Conversion(EPC)は、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性が要求される環境での電力変換ソリューション向けの耐放射線(rad-hard)窒化ガリウム(GaN)製品のファミリーを拡張し、現在市場に出回っている100 Vの耐放射線トランジスタの中で最もオン抵抗が小さい100 Vのデバイスを製品化します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月14日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7018」を製品化すると発表しました。EPC7018は、耐圧100 V、オン抵抗3.9 mΩ、パルス電流345 APulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は13.9 mm2と小型です。EPC7018の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm2)のLETに対するSEE耐性があります。EPC7018、および、この他の耐放射線ファミリーであるEPC7014、EPC7007、EPC7019は、市販のeGaN® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。

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Efficient Power Conversion(EPC)、高性能窒化ガリウム(GaN)・ベースのパワー・システム設計の市場投入までの時間を短縮するために「GaNの話のサポート・フォーラム」を立ち上げたと発表

Efficient Power Conversion(EPC)、高性能窒化ガリウム(GaN)・ベースのパワー・システム設計の市場投入までの時間を短縮するために「GaNの話のサポート・フォーラム」を立ち上げたと発表

Efficient Power Conversion(EPC)は、技術者が製品サポートを受けたり、質問したり、GaN技術の利用に関するアイデアを共有したりするためのフォーラムを立ち上げました。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月8日、技術者が製品と設計サポートにアクセスし、窒化ガリウム(GaN)・ベースのパワー技術の利用に関するアイデアを共有するための環境として、ユーザー・コミュニティ「GaNの話のサポート・フォーラム」を立ち上げたと発表しました。このフォーラムは、技術者、技術系学生、および、すべてのGaNの支援者のために立ち上げられ、ユーザーがGaN関連の質問を送信し、ユーザー・コミュニティとアイデアを共有する機会を提供します。質問は、トピック分野、トップ・トピック、最新の投稿で検索できます。ユーザーは、質問を送信するだけでなく、投稿の「共有」リンクを介してフォーラム内から過去の質問と回答を共有できます。

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ポッドキャスト:GaNは、どのように無線充電を進歩させているか?

ポッドキャスト:GaNは、どのように無線充電を進歩させているか?

エピソード5では、ホストのDr. Sanjay Guptaと、ゲストのEfficient Power Conversion(EPC)のCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)が対談し、GaNが無線充電の未来をどのように前進させているかを探ります。ワイヤレス・パワーの成熟と採用が進むにつれて、この業界は、性能、効率、ユーザー体験を向上させるソリューションを必要としています。窒化ガリウムは、従来のシリコンで実現できるよりも大電力のアプリケーションを可能にするために不可欠であり、ラップトップ、ドローン、ロボット、電動工具、電動自転車、産業機器など、複数の機器やより多様な機器を充電するための扉を開きます。GaNトランジスタを採用した無線充電回路も、同じ電力レベルを処理できるシリコン・デバイスよりも1/5〜1/10へと小型になっています。

ワイヤレス・パワー技術推進団体AirFuelアライアンス
2022年5月
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Efficient Power Conversion(EPC)、GaN ICが電動自転車やドローンのモーター駆動回路を小型化すると発表

Efficient Power Conversion(EPC)、GaN ICが電動自転車やドローンのモーター駆動回路を小型化すると発表

GaNベースのインバータのリファレンス・デザインEPC9173は、モーター・システムのサイズ、性能、範囲、精度、トルクを向上させるため、設計を簡素化して製品の市場投入までの時間を短縮します。このインバータのサイズが非常に小さいため、モーターのハウジングに統合でき、EMI(電磁干渉)雑音が最小になり、密度が最大になり、重さが最小になります。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月2日、ゲート駆動回路の機能が組み込まれたeGaN® IC のEPC23101と、オン抵抗3.3 mΩのフローティング・パワーGaN FETを使った3相BLDCモーター駆動用インバータ「EPC9173」の製品化を発表しました。EPC9173は、20 V〜85 Vの入力電源電圧で動作し、最大ピーク電流50 Apk(電流の実効値35 ARMS)を供給できます。この電圧範囲と電力レベルによって、このソリューションは、電動自転車、電動キックボード、シティ・カー、ドローン、ロボットなど、さまざまなモーター駆動用途に最適です。

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Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧40 V、オン抵抗1.1 mΩの世界最小FETを発売、最先端の電力密度が可能に

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧40 V、オン抵抗1.1 mΩの世界最小FETを発売、最先端の電力密度が可能に

EPCは、耐圧40 V、オン抵抗1.1 mΩのGaN FETであるEPC2066を発売し、スペースに制約のある高性能アプリケーション向けに、シリコンMOSFETよりも大幅に小型で高効率なデバイスを供給します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月25日、GaN FETの「EPC2066」(オン抵抗の標準値0.8 mΩ、耐圧40 V)を発売し、低電圧の既製の窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を広げたと発表しました。

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Efficient Power Conversion(EPC)、米Sensitron Semiconductorと協力して、窒化ガリウム(GaN)を使う高電力密度の350 Vハーフブリッジ・インテリジェント・パワー・モジュール(IPM)を製品化、同等のシリコン・ソリューションよりも60%小型で低コスト

Efficient Power Conversion(EPC)、米Sensitron Semiconductorと協力して、窒化ガリウム(GaN)を使う高電力密度の350 Vハーフブリッジ・インテリジェント・パワー・モジュール(IPM)を製品化、同等のシリコン・ソリューションよりも60%小型で低コスト

Sensitronは、Efficient Power Conversion(EPC)の350 VのeGaN® FETであるEPC2050を使ったGaNハーフブリッジ・モジュールSPG025N035P1Bを製品化しました。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月17日、米Sensitron Semiconductorが、従来のシリコンFETをEPCの350 VのGaN FET (EPC2050)に置き換えることで、ソリューションのサイズを60%小型化し、モジュールの接合部からパッケージへのすでに優れていた熱伝導も一段と改善することができたと発表しました。サイズとコストの削減は、最新世代のGaNパワー・モジュールを設計する際のSensitronの重要な関心事でした。同社のSPG025N035P1Bは、ゲート駆動回路を搭載した350 V、20 Aの高電力密度GaNハーフブリッジであり、浮遊インダクタンスと500 kHzでのスイッチング特性が最適化されています。この定格20 Aのモジュールは、3 kW以上の制御に使えます。超小型軽量の高電力密度パッケージ(1.10インチ×0.70インチ×0.14インチ、1インチは2.54 cm)での同社独自の上面冷却技術によって、最適な熱特性が得られています。SPG025N035P1Bは、商業、産業、航空宇宙用のアプリケーション向けに設計されました。

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GaN対シリコンのつばぜり合い

GaN対シリコンのつばぜり合い

新しい技術が採用の転換点を過ぎたことを知る1つの方法は、現状を支持する声によるものです。より保守的な声は、転換点で発生する急速な軌道修正を考えると、新しい設計の不十分な決定につながる可能性がある古い情報を引用する傾向があります。GaNパワー・デバイスの世界では、過去2年間に転換点が発生し、新しいGaNベースの設計の割合が前年比で2倍になり、従来のMOSFET設計は、微調整されたために重大な供給不足、柔軟性の低いサプライ・チェーンに直面し始めました。一方、GaNデバイスは、古いシリコン・ファウンドリーを利用した比較的新しく柔軟なサプライ・チェーンのため、ほとんどの主要な販売代理店に在庫がありますが、これらのファウンドリーに新しく活気のある未来をもたらします。この記事では、記事や会議でまだ見られる一般的な誤解のいくつかに対処します。これらは通常、現状の支持者によって提示されています。

独Bodo’s Power Systems
2022年5月
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Efficient Power Conversion(EPC)、超低オン抵抗で耐圧200 Vの耐放射線トランジスタを製品化へ、要求の厳しい宇宙用途向け

Efficient Power Conversion(EPC)、超低オン抵抗で耐圧200 Vの耐放射線トランジスタを製品化へ、要求の厳しい宇宙用途向け

Efficient Power Conversion(EPC)は、耐放射線特性を強化した窒化ガリウム(GaN)製品のファミリーを拡張し、超低オン抵抗で超小型の200 Vデバイスを製品化し、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性環境での電力変換ソリューションを実現します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月3日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7007」を製品化すると発表しました。EPC7007は、耐圧200 V、オン抵抗25 mΩ、パルス電流80 APulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は5.76 mm2と小型です。EPC7007の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm2)のLETに対するSEE耐性があります。これらのデバイスは、市販のeGaN FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。

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GaNの性能を決定するためのモデルの振る舞い

GaNの性能を決定するためのモデルの振る舞い

GaN FETとICのユーザーは、アプリケーションに必要な定格低減を決定し、電圧の低減係数を小さくするためのツールを利用できるようになりました。EPCは、ハード・スイッチング条件下でのGaNトランジスタのオン抵抗RDS(on) の上昇を説明するために、第一原理物理ベースのモデルを開発しました。この論文では、2つの同期整流用途の例の事例を提供します。

英Electronic Specifier誌
2022年5月
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Efficient Power Conversion(EPC)、GaNがどのように電力供給を変革し、複数の業界にわたって高度な自律性を実現しているかをPCIM2022で紹介へ

Efficient Power Conversion(EPC)、GaNがどのように電力供給を変革し、複数の業界にわたって高度な自律性を実現しているかをPCIM2022で紹介へ

EPCのGaNのエキスパートたちが、PCIM Europe 2022に参加し、GaN技術の優れた性能が、コンピューティング、通信、イーモビリティなど、多くの業界にわたって、電力供給をどのように変革しているかを示すさまざまなデモを実施します。

EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は4月26日、EPCのチームが、5月10〜12日にドイツのニュルンベルクで開催されるPCIM Europe 2022で、窒化ガリウム(GaN)技術とアプリケーションに関する複数の技術プレゼンテーションを行うと発表しました(以下の詳細なスケジュールを参照)。加えて、最新のeGaN® FETとICを、ホール9、スタンド113でさまざまなユーザーの最終製品をデモします。

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Alex Lidowと金曜日にワインを飲んで

Alex Lidowと金曜日にワインを飲んで

このビデオでは、Alex Lidow(アレックス・リドウ)が、自身のキャリア、家族、大学生活、博士課程についての考えを語ります。もちろん、エネルギーのトレンド、パワー・エレクトロニクスのエコシステムの準備できているGaNへの移行についても語ります。そして次の週末には最高級のワインをお楽しみください!

米Power Electronics News誌
2022年4月22日
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Efficient Power ConversionのEPC2050は、SMPS、UPS、バッテリー管理システムなどに向けた最適なエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタです

Efficient Power ConversionのEPC2050は、SMPS、UPS、バッテリー管理システムなどに向けた最適なエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタです

Efficient Power ConversionのEPC2050は、エンハンスメント・モードのGaNパワー・トランジスタです。350 Vを超えるドレイン-ソース間電圧、55 mΩのドレイン-ソース間オン抵抗、1.3 Vのゲートしきい値電圧を備えています。

米オンライン・ニュースeverything PE
2022年4月
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