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Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム(GaN)統合パワー段を搭載した300 Wの双方向1/16ブリックを製品化、高密度コンピューティングやデータセンター向け

Efficient Power Conversion(EPC)、窒化ガリウム(GaN)統合パワー段を搭載した300 Wの双方向1/16ブリックを製品化、高密度コンピューティングやデータセンター向け

パワー段ePower™ StageのEPC2152は、パワー・モジュールのEPC9151で実証された高電力密度、低コストのDC-DC変換向けに、より高い性能とより小型なソリューションを実現可能にします。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は12月15日、わずか33 mm×22.9 mm(1.3×0.9インチ)と非常に小型の1/16ブリック形状の300 Wの双方向DC-DC電圧レギュレータ「EPC9151」を製品化したと発表しました。パワー・モジュールのEPC9151は、EPCのePower™ Stage集積回路であるEPC2152と、米マイクロチップ・テクノロジーのデジタル・シグナル・コントローラ(DSC)であるdsPIC33CKを搭載し、48 Vから12 Vへの降圧(または、12 Vから48 Vへの昇圧)の300 W のコンバータ設計で、効率95%以上が得られます。このスケーラブルな2相設計に、相を追加すれば、さらに電力を増やすことができます。

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宇宙用途のGaN

宇宙用途のGaN

窒化ガリウム・パワー・デバイス技術は、これまでに達成できなかったより高い周波数、より高い効率、およびより高い電力密度で動作する宇宙での新世代のパワー・コンバータを可能にします。GaNパワー・デバイスは、デバイスの設計によって、シリコンMOSFETと比べて優れた放射線耐性が得られる可能性があります。

英Power Electronics Europe誌
2020年12月
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GaNとSiCは、電力変換の次の最前線です

GaNとSiCは、電力変換の次の最前線です

炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのワイド・バンドギャップ(WBG)半導体は、電力変換の新しい最前線であり、設計技術者に、まったく新しい周波数スペクトルだけでなく、電力密度や形状の新たなチャンスを提供します。

EDN編集諮問委員会
2020年12月
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Efficient Power Conversion(EPC)、2020年のContributor of the Yearとして、調査会社の米ASPENCOREのWorld Electronics Achievement Awardを受賞したと発表

Efficient Power Conversion(EPC)、2020年のContributor of the Yearとして、調査会社の米ASPENCOREのWorld Electronics Achievement Awardを受賞したと発表

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN®)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は11月23日、権威あるWorld Electronics Achievement Awards(WEAA)2020のContributor of the Year賞をCEO(最高経営責任者)で共同創立者であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)が受賞したと発表しました。

WEAAの構想は、世界中のエレクトロニクス産業の革新と発展に卓越した貢献をした製品、企業、個人に栄誉を授けることです。調査会社の米 ASPENCOREのグローバル・シニア業界アナリストと、アジア、米国、欧州のオンライン・ユーザーで構成される委員会が受賞者を選出します。ASPENCOREは、世界最大のエレクトロニクス業界メディアで、米EE Times誌や米EDN誌などの世界を対象とするメディアの米SaaSグループに属します

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Efficient Power Conversion(EPC)、最高クラスの同期整流性能と、ハイエンド・サーバーや民生用電子機器向け電源のアプリケーションを獲得できるコストを実現可能な170 VのeGaN FETを発売

Efficient Power Conversion(EPC)、最高クラスの同期整流性能と、ハイエンド・サーバーや民生用電子機器向け電源のアプリケーションを獲得できるコストを実現可能な170 VのeGaN FETを発売

EPCは、170 V、6.8 mΩのeGaN® FETであるEPC2059を製品化し、高性能の48 V同期整流用に、現在利用可能なデバイスよりも小型、高効率で、信頼性が高く、低コストのデバイスを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は11月10日、eGaN FET の「EPC2059」(6.8 mΩ、170 V)を発売し、既製品の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。このデバイスは、幅広い電力レベルと価格帯に適した100 V〜200 Vソリューション・ファミリーの最新の製品です。これらは、48 V〜56 Vのサーバーやデータセンター向け製品の需要の高まり、および、ゲーム用パソコンなどのハイエンド・コンピューティング、液晶/LED(発光ダイオード)のテレビ、LED照明といった一連の民生用電子機器の電源用途に対応するように設計されています。

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Efficient Power Conversion(EPC)、欧州のセールス・チームを強化へ

Efficient Power Conversion(EPC)、欧州のセールス・チームを強化へ

Stefan WerkstetterがEMEA(欧州、中東、アフリカ)の新しいセールス・ディレクタに任命され、DC-DC、Lidar(光による検出と距離の測定)、モーター制御、その他の最先端の電力変換システムなどのアプリケーションでのeGaN® FETと集積回路の採用を支援することに注力します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は11月5日、欧州市場での窒化ガリウム(GaN) FETと集積回路の継続的な採用をサポートするために、Stefan WerkstetterをEMEA(欧州、中東、アフリカ)セールスのディレクタに任命したと発表しました。

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GaNによる電力変換

GaNによる電力変換

GaN技術は、大幅に改善されており、MOSFETの置き換えに最適なコストに達しました。2017年以降、48 V入力のDC-DCコンバータでのGaNの採用率は、市場で重要な暗示的な意味合いを帯び始めました。マルチフェーズやマルチレベルのバック(降圧型)などのさまざまな回路構成が、IT市場や自動車市場のエネルギー需要に応えるためのより高効率な新しいソリューションを提供しています。

米Power Electronics News誌
2020年11月
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間接飛行時間ToF型レーザー・ドライバ向けの統合ゲート・ドライバを備えたGaNのePower™超高速スイッチ

間接飛行時間ToF型レーザー・ドライバ向けの統合ゲート・ドライバを備えたGaNのePower™超高速スイッチ

窒化ガリウムFETは、パワー・エレクトロニクスの多くのアプリケーションで牽引力となり続けていますが、GaN技術はまだ、ライフ・サイクルの初期段階にあります。FETの基本的な性能指数FOM(figure of merit)を改善する余地はたくさんありますが、さらに有望な手段はGaNパワーICの開発です。

独Bodo’s Power Systems
2020年11月
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2020年にフォローすべき自動運転車に影響する25の要因

2020年にフォローすべき自動運転車に影響する25の要因

人工知能の究極の目的は、機械が自律的に動作する能力を備えることです。今後10年間で、指数関数的に成長すると予測されているそのような分野の1つは、自動運転車です。人口知能と、エレクトロニクスやコンピュータの技術の急速な進歩が相まって、無人運転という言葉が、まもなくこの道を引き継ぐでしょう。

米AI Time Journal誌
2020年10月
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米Digi-Key Electronics、eGaNモーター駆動ウエビナを主催するためにEfficient Power Conversion(EPC)と協力へ

米Digi-Key Electronics、eGaNモーター駆動ウエビナを主催するためにEfficient Power Conversion(EPC)と協力へ

世界をリードする電子部品販売業者である米Digi-Key Electronicsは、Efficient Power Conversion(EPC)と協力して、モーター駆動にeGaN FETとICの力を利用する方法に関するウエビナを主催すると発表しました。このウエビナは10月28日午前8時(太平洋標準時)に開催されます。

EPCのウエビナ・ページで、より小型・軽量で、より高精度なモーター駆動のためのGaNの力を利用するウエビナに登録してください

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Efficient Power Conversion(EPC)、eGaN FET搭載デモ・ボードを2品種製品化、250 Wで48 V入力の複数の DC-DCソリューションで効率98%を実現、超薄型で高密度のコンピューティング向け

Efficient Power Conversion(EPC)、eGaN FET搭載デモ・ボードを2品種製品化、250 Wで48 V入力の複数の DC-DCソリューションで効率98%を実現、超薄型で高密度のコンピューティング向け

EPC(Efficient Power Conversion)の超高効率eGaN® FETを使った高電力密度DC-DC変換の2つのソリューションによって、超薄型ノート・パソコン、ディスプレイ、ハイエンドのゲーム・システム、その他の物理的に薄い家庭用民生用電子機器向けの高効率ソリューションが可能になります。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は10月13日、48 V入力のDC-DC変換向けデモ・ボード2品種「EPC9148」と「EPC9153」を製品化したと発表しました。 EPC9153は、シンプルで低コストの同期整流型バック(降圧)構成を採用した250 Wの非常に薄いパワー・モジュールです。部品の高さは最高6.5 mmで、ピーク効率98.2%を実現しています。EPC9148は、ピーク効率98%を維持すると同時に、部品の高さを4 mm以下にできるマルチレベル構成を採用しています。

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GaNが浮上:GaNオン・シリコンの集積回路で電力変換を再定義へ

GaNが浮上:GaNオン・シリコンの集積回路で電力変換を再定義へ

シリコン・ベースであろうと、GaNオン・シリコンであろうと、ディスクリート・パワー・トランジスタは最終章に入っています。GaNオン・シリコンの集積回路は、大幅にコストを低減し、必要な作業を減らし、より小さな実装面積で、より高い性能を提供します。この記事では、GaNの浮上が電力変換をどのように再定義しているかについて詳しく説明します。

独Bodo’s Power Systems
2020年10月
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Efficient Power Conversion(EPC)、最新の耐圧100 VのeGaN FETファミリーを製品化、シリコンMOSFETに対するベンチマーク性能を向上へ

Efficient Power Conversion(EPC)、最新の耐圧100 VのeGaN FETファミリーを製品化、シリコンMOSFETに対するベンチマーク性能を向上へ

これらの新世代の100 VのeGaN® FETは、48 V出力の同期整流、D級オーディオ、インフォテインメント、Lidarに最適です。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は9月22日、耐圧100 VのeGaN FETである「EPC2218」と「EPC2204」を製品化し、市販の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。これらの最先端デバイスのアプリケーションには、同期整流D級オーディオ、インフォテインメント・システム、DC-DCコンバータハードスイッチと共振)に加え、自動運転車や、ロボット、ドローン向けのLidar(光による検出と距離の測定)などがあります。

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電圧と電流の極端なストレス下で窒化ガリウム・デバイスの故障を試験

電圧と電流の極端なストレス下で窒化ガリウム・デバイスの故障を試験

半導体の標準的な認証試験では通常、デバイスのデータシートで指定された制限値またはその近くで、長期間、または特定のサイクル数のストレスをデバイスに加え、故障ゼロを実証します。故障する所まで部品を試験することによって、データシートの制限を超えるマージン量を理解することができますが、さらに重要なのは、半導体の本質的な故障メカニズムを理解することができるということです。

独Bodo’s Power Systems
2020年9月
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GaN HEMTは、主要な成長用途でMOSFETよりも優れています

GaN HEMTは、主要な成長用途でMOSFETよりも優れています

シリコン・パワーMOSFETは、効率、電力密度、小型形状などの要素がコミュニティの主な要求であるパワー・エレクトロニクス業界の革新的な変化に対応できていません。シリコンMOSFETは、パワー・エレクトロニクスの理論上の限界に達しており、基板スペースが限られているため、パワー・システムの設計者は代替品を必要としています。窒化ガリウム(GaN)は、高電子移動度トランジスタ(HEMT)半導体であり、新たに出現したアプリケーションに真の付加価値を提供しています。

米EETimes誌
2020年8月
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Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧200 VのeGaN FETファミリーを2倍高性能へ

Efficient Power Conversion(EPC)、耐圧200 VのeGaN FETファミリーを2倍高性能へ

これらの新世代の200 VのeGaN® FETは、48 V出力の同期整流、D級オーディオ、太陽光発電用マイクロインバータやオプティマイザ、マルチレベルの高電圧AC / DCコンバータに最適です。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は8月20日、耐圧200 VのeGaN FETである「EPC2215」と「EPC2207」を製品化し、既製の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。これらの最先端デバイスの用途には、D級オーディオ、同期整流、太陽光発電用MPPT(最大電力点追跡)、DC-DCコンバータ(ハードスイッチおよび共振)、マルチレベル高電圧コンバータなどがあります。

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ポッドキャスト:Yes、We GaN:窒化ガリウムと、パワーICにおけるその役割

ポッドキャスト:Yes、We GaN:窒化ガリウムと、パワーICにおけるその役割

この最初のエピソードでは、ゲストはEfficient Power Conversion Corp.のCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)と、米NexGen Power Systemsの共同CEOであるDinesh Ramanathan氏です。EPCとNexGenはいずれも、窒化ガリウム技術とGaNパワー・デバイスに関する専門知識を持っています。米EETimes誌は、技術とGaNパワー・デバイスの市場の両方について語っています。

米EETimes誌
2020年8月
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車載品質規格AECを超えたGaN信頼性テストで自動車用Lidarアプリケーション向けの丈夫さを証明

車載品質規格AECを超えたGaN信頼性テストで自動車用Lidarアプリケーション向けの丈夫さを証明

窒化ガリウム(GaN)のパワー・デバイスは2010年3月から量産されており、優れたフィールド信頼性の記録を樹立しています。GaNパワー・デバイスを大量に使う自動車アプリケーションは、自動運転車向けLidar(光による検出と距離の測定)です。Lidar技術は、車両の周囲に関する情報を提供するため、安全性と性能を確保するには高い精度と信頼性が必要です。この記事では、Lidarの特定のユース・ケースに対する車載用電子部品信頼性の標準化団体であるAECの認定要件を超えてeGaNデバイスをテストするために、Efficient Power Conversion(EPC)が開発した新しいテスト・メカニズムについて説明します。

ベルギーのeeNews Europe誌
2020年7月30日
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GaNがシリコンを引退に追い込む

GaNがシリコンを引退に追い込む

人生の現実と同じように、高齢者がより若い人たちの中心ステージを去るときのように、シリコンがお辞儀をします。古くて信頼性の高いシリコンは徐々に引退し、窒化ガリウム(GaN)の登場と採用によって引き継がれてきています。40年以上にわたって、パワーMOSFETの構造、技術、および回路構成の革新が増大する電力ニーズに対応していたため、パワー・マネージメント(電源管理)の効率とコストは着実に改善されてきました。しかし、新しいミレニアムでは、シリコンのパワーMOSFETが理論上の限界に近づくにつれて、改善率は劇的に鈍化しました。同時に、新しい材料であるGaNは、老朽化したシリコンMOSFETの6000倍、現在市場に出ている最高のGaN製品の300倍という理論的な性能限界に向けて着実にその旅を続けて進化しています。

米オンライン・ニュースEEWeb
2020年7月16日
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