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電動キックボード駆動システム向けのGaNベースの低電圧インバータ

電動キックボード駆動システム向けのGaNベースの低電圧インバータ

このホワイト・ペーパーでは、電気マイクロモビリティの分野におけるモーター駆動用途向けの最新世代の低電圧(最大80 V)窒化ガリウム(GaN)・デバイスの用途について説明します。電力が1500 Wの軽い電動牽引(電動キックボードなど)向けの2レベル・インバータ構成が検討されています。インバータのレッグの各スイッチに2個のGaN FETを並列接続した実験用基板を用意しました。デバイス固有のパラメータの広がりと、回路とプリント回路基板の両方の漏れインダクタンスによる過渡状態と定常状態の両方での電流配分への影響を評価しました。この論文では、いくつかのシミュレーションを実行し、説明します。さらに、インバータの実験基板を使って、さまざまな負荷条件での相の電圧と電流を評価しました。最後に、温度制限対相電流の変動を評価しました。

IEEE 2022 AEIT International Annual Conference (AEIT)
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注:このサイトで完全な論文にアクセスするには、IEEEのメンバーシップが必要です。

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次世代のGaN技術が電力密度を2倍に

次世代のGaN技術が電力密度を2倍に

この記事で、EPCは、第6世代GaN FETの性能の向上と、その結果として得られるデバイスが前世代のデバイスと同じオン抵抗RDS(on)を半分のチップ・サイズで実現する方法について説明します。

米オンライン・ニュースサイトHow2Power
2022年11月
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世界のエネルギーの真のコスト

世界のエネルギーの真のコスト

EPCの使命は、シリコンに比べて高性能で低コストのGaNパワー・デバイスを作ることです。GaNデバイスは、電力密度を高め、効率を改善し、新しいアプリケーションを可能にします。世界的にエネルギー・コストが上昇しているため、同社のGaNデバイスの採用率が劇的に加速していることは驚くに値しません。

独Bodo’s Power Systems
2022年11月
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マイルドハイブリッド車の電化を支えるGaNパワー

マイルドハイブリッド車の電化を支えるGaNパワー

より高い燃料効率基準を目的とした法律の増加に伴い、自動車メーカーは、増え続ける電子駆動機能に必要な電力を提供すると同時に、これらの要求を満たすための費用対効果の高いソリューションを探しています。この記事では、500 kHzのスイッチング周波数で48 Vから14.3 Vに変換するときに、GaN FETを使って96%を超える効率を実現するマイルド ハイブリッド車およびバッテリー・バックアップ・ユニット向けの双方向大電力コンバータについて詳しく説明します。

英Power Electronics Europe誌
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ポッドキャスト:electronica 2022のプレビュ

ポッドキャスト:electronica 2022のプレビュ

11月15日~18日に、electronica 2022では、ドイツのミュンヘンの展示会場で国際的なエレクトロニクス産業を一堂に会します。ワイド・バンドギャップ半導体、再生可能エネルギー、スマート・グリッド、およびエネルギー貯蔵は、electronica 2022のパワー・エレクトロニクス・フォーラムで取り上げられる主要なトピックです。このポッドキャストでは、米オン・セミコンダクターの社長兼CEO(最高経営責任者)のHassane El-Khoury、米Silanna Semiconductor North AmericaのCEOのMark Drucker、Efficient Power Conversion(EPC)のCEOのAlex Lidow(アレックス・リドウ)が、パワー・エレクトロニクス・フォーラムについて紹介します。Alex Lidowへのインタビュは31:55から始まります。

米EETimes誌
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神話を払拭する:eGaN FET用のバイポーラ・ゲート駆動が必要だと言う人がいても、それを信じてはいけません

神話を払拭する:eGaN FET用のバイポーラ・ゲート駆動が必要だと言う人がいても、それを信じてはいけません

GaNデバイスは、過去15年間で、初期の研究開発段階から主流の設計に移行しました。残念ながら、これらの初期段階のバイポーラ駆動回路の開発、または行き止まりの技術分岐からの多くの誤解が残っています。最も有害なものの1つは、バイポーラ駆動の話題です。実際には、ユニポーラ駆動がeGaN® FETを駆動する最良の方法です。

英オンライン・ニュースPower Electronics Tips
2022年10月
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光速を追う

光速を追う

機械の自動化レベルが進むにつれて、周囲の細かな認識が必要になってきています。飛行時間TOF(Time-of-flight)ベースの3次元画像システムは、機械の目になりました。eGaN®技術は、これらのシステムのレーザー・ドライバの主力製品であり、この解像度がインテリジェントな決定を下すことに貢献します。

独Bodo’s Power Systems
2022年10月
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チップスケール・パッケージ封止GaN FETのプリント回路基板のパワー・ループのレイアウトが電気的性能や熱的性能を最適化

チップスケール・パッケージ封止GaN FETのプリント回路基板のパワー・ループのレイアウトが電気的性能や熱的性能を最適化

この記事では、さまざまなパワー・ループのレイアウトを分析し、熱管理と電気的寄生要素を同時に考察します。

この結果は、レイアウトの改善によって、電気的性能の利点を維持しながら、動作温度の上昇を大幅に削減できることを示しています。

米オンライン・ニュースEE Power
2022年10月
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神話を払拭する:GaNとモーター・ドライバ

神話を払拭する:GaNとモーター・ドライバ

業界では、GaNデバイスは、電気モーターのインバータに使われているという一般的な考えがあります。結局のところ、システムの性能が20 kHzのPWM(パルス幅変調)の使用によって制限されている場合、より高速なスイッチング速度からその利点の大部分を得る材料を使っても、わずかな利点しかない可能性があります。しかし、EPCのモーター駆動システムとアプリケーション部門ディレクタのMarco Palmaによると、GaNがその役割において、依然として効果的であることを証明できる方法がいくつかあります。

米Power Systems Design誌
2022年9月
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パッケージ封止のGaN FETは、フットプリント互換のソリューションを提供し、費用対効果を最適化します

パッケージ封止のGaN FETは、フットプリント互換のソリューションを提供し、費用対効果を最適化します

熱的に強化されたQFNパッケージ封止のGaN FETは、DC-DC変換、AC/DC充電器、太陽光発電用のオプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動、D級オーディオなどの高電力密度用途向けに、より高性能で小型のソリューション・サイズを提供します。

米Power Electronics News誌
2022年9月
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GaN対シリコンのつばぜり合い

GaN対シリコンのつばぜり合い

新しい技術が採用の転換点を過ぎたことを知る1つの方法は、現状を支持する声によるものです。より保守的な声は、転換点で発生する急速な軌道修正を考えると、新しい設計の不十分な決定につながる可能性がある古い情報を引用する傾向があります。GaNパワー・デバイスの世界では、過去2年間に転換点が発生し、新しいGaNベースの設計の割合が前年比で2倍になり、従来のMOSFET設計は、微調整されたために重大な供給不足、柔軟性の低いサプライ・チェーンに直面し始めました。一方、GaNデバイスは、古いシリコン・ファウンドリーを利用した比較的新しく柔軟なサプライ・チェーンのため、ほとんどの主要な販売代理店に在庫がありますが、これらのファウンドリーに新しく活気のある未来をもたらします。この記事では、記事や会議でまだ見られる一般的な誤解のいくつかに対処します。これらは通常、現状の支持者によって提示されています。

独Bodo’s Power Systems
2022年5月
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GaNの性能を決定するためのモデルの振る舞い

GaNの性能を決定するためのモデルの振る舞い

GaN FETとICのユーザーは、アプリケーションに必要な定格低減を決定し、電圧の低減係数を小さくするためのツールを利用できるようになりました。EPCは、ハード・スイッチング条件下でのGaNトランジスタのオン抵抗RDS(on) の上昇を説明するために、第一原理物理ベースのモデルを開発しました。この論文では、2つの同期整流用途の例の事例を提供します。

英Electronic Specifier誌
2022年5月
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GaNを備えたマルチフェーズのMHzコンバータ

GaNを備えたマルチフェーズのMHzコンバータ

この記事では、6.7 MHzで動作する120 VDC入力を備えた2相DC/DC GaNコンバータを紹介します。120 VDCは、国際宇宙ステーション(ISS)の2次電力システムの標準電圧レベルです。米Tell-i Technologiesの新しく開発されたSDK基板は、GaN FETの高電力密度と超高速スイッチングを使って、通常のスイッチング速度を超えるために2つのフェーズを使います。ISSなどのシステムで使われている標準の120 Vバス電圧をサポートするマルチフェーズ構成によって、インタリーブ・コンバータは3 MHz、5 MHz、および卓越した6.87 MHzで効果的なスイッチングを実現できます。最適で小型なレイアウトは、ゲート駆動回路とパワー・ループを小さくするために、4個のGaNトランジスタEPC2019と2個のゲート・ドライバLMG1210を使って実現しています。

米Power Electronics News誌
2022年4月
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ワイド・バンドギャップ(WBG)部品は、高効率で省エネのグリーン・ワールドを構築します

ワイド・バンドギャップ(WBG)部品は、高効率で省エネのグリーン・ワールドを構築します

ワイド・バンドギャップ(WBG)半導体パワー部品の主流の材料は、炭化ケイ素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)です。それらは、エネルギーの節約と持続可能性に対する意識の高まりと共に、今日、さまざまなパワー・システムのアプリケーションで最も好まれるデバイスになっています。Tech Taipei 2022 ConferenceがWBGをテーマに採用したのはこれが初めてでした。業界の主要なプレーヤーからの講演者が設計、製造、テストの各分野から招待され、会議の400人を超える参加者に最新の技術とアプリケーションのトレンドを紹介しました。

台湾のEE Times Taiwan誌
2022年3月25日
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GaNのePower Stageを使った1相当たり1 kWの高性能48 V/12 Vコンバータ

GaNのePower Stageを使った1相当たり1 kWの高性能48 V/12 Vコンバータ

自動車のエネルギーは、48 Vバスと12 Vバスの間で交換されるため、48 V/12 Vコンバータは、現代のハイブリッド電気自動車に不可欠です。この2電圧システムは、従来の12 Vシステムに対応し、さらに、真空ポンプや送水ポンプ、電動スーパーチャージャ、ステアリング、オーディオ・システムなどの負荷に48 Vで大電力を供給します。48 V/12 Vコンバータのすべての要求の中で、効率、電力密度、サイズ、コストがリストの上位にあります。この記事では、GaNのePower StageであるEPC23101を使って、これらの設計基準に取り組み、ディスクリートのEPC2206デバイスを使った以前の設計と比較します。

独Bodo’s Power Systems

2022年3月
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