商用のDC-DCアプリケーションにおいて、MOSFETの置き換えとして窒化ガリウム（GaN）・デバイスを製品化して以来、3年が経ちました。GaNデバイスの出現によって、これまでMOSFETベースのFETでは達成できなかったアプリケーションが実現可能になると共に、ほとんど想像もつかず、利用されなかった潜在的な新しいアプリケーションを利用可能にするために、GaNデバイス開発者にとって好都合な舞台が設定されています。

EETimes Asia誌
2013年5月16日
http://www.eetasia.com/ART_8800684828_480200_TA_f13f883a.HTM