新しいeGaN^®パワー集積回路である EPC2107とEPC2108は、ワイヤレス給電の業界団体A4WPの規格クラス2およびクラス3準拠のソリューション向けに、ハーフブリッジとブートストラップ機能を集積化したモノリシックICです。さらに、これらの部品を素早く、簡単に評価するために、開発基板と、完全なワイヤレス・パワー（無線充電）のソリューション、すなわち送信デバイスと受信デバイスも用意しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年7月14日、ブートストラップFET も集積したeGaNのハーフブリッジ・パワー集積回路の「EPC2107（耐圧100 V）」と「EPC2108 （60 V）」を製品化しました。ハイサイド・クランプの必要がなく、逆回復損失を生じるゲート・ドライバも不要です。eGaNパワー回路にブートストラップFETも集積したデバイスは今回が初めてです。

消費者は、好きなときに、好きな場所へ、ワイヤレスで行くことができるようにしたいと思っています。タブレット端末、携帯電話、ノート・パソコン、自動車などとテレビをシームレスに同期させたいと思っています。すべての通信、情報、エンターテインメントを、高解像度でいつでも、すぐに利用したいと思っています。ここにきて、自動車産業は、このトレンドに目を付けており、完全に移動性のあるライフスタイルの将来ビジョンを示し始めています2。

消費者は、電池が切れる心配もしたくありませんし、空港で空いているコンセントを探し回りたくもありません。この縛られない生活を「モビリティ・インペラティブ」と呼び、これが消費者向け製品のイノベーションを牽引し、そして、シリコン・ベースの半導体技術を限界に近づけています。

Nikkei Business Publications
2015年7月10日
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最新の窒化ガリウムの技術は、ワイヤレス・パワー伝送のアプリケーション開発を推進しています。特に、標準化団体の A4WPとPMAが合併した直後の時期なので、エンジニアの関心を集めています。このインタビューは、GaNデバイスの差異、コストの低減、最新デバイスの革新、高速で小型のデバイス動作、熱管理、どのようにGaNの市場がシリコンの市場を上回るのか、窒化ガリウム技術開発の将来展望など、半導体業界によるGaNデバイスの採用拡大への質問に答えるという形で、さまざまな興味深い領域を網羅しています。

中国Power System Design China誌
2015年6月24日
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拡大する産業が活況を呈している場合、通常、買収や統合のレースは、一般的に反対側の反映です ―― 成熟における緩やかな成長期は、しばしば、いったん高度飛行の領域になります。多くの産業は、スターダムの期間を経験し、急で着実な降下へと続きます。一方で、私たちの社会経済の活力に対する中心的な基幹産業でこれが発生した場合、私たちは非常に懸念すべきです。

米フォーブス誌
2015年6月26日
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窒化ガリウムを活用するための努力は、シリコン・ベースの半導体チップによって改善が遅れていた技術的および経済的な要因に部分的に応えます。企業は、まだシリコンに小さいトランジスタを形成する方法を探っていますが、コストや消費電力の削減を達成することが、ますます難しくなってきています。しかし、窒化ガリウム回路は、オンとオフのスイッチングが、シリコンよりもはるかに高速で、より高い電圧を扱うことができます、とEPC社のCEO （最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。特に、電力変換を伴う仕事には、最適な材料を言えます。

米ウォール・ストリート・ジャーナル誌
2015年6月22日
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電力変換には、さまざまな電気機器を機能させるために、電気をある形態から別の形態に変換する非常に小型のデバイスを生み出す必要があります。今までは、シリコンが、電力変換処理の好ましい媒体となっていましたが、その効果の限界に達するにつれ、新しい材料への関心が高まってきています。

米Los Angeles Business Journal誌
2015年6月21日
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ZVSのD級またはE級のアンプを使って共振動作をするとき、eGaN^®FETは、疎結合のワイヤレス・パワー伝送のソリューションにおいて、高い効率が得られることを以前に示しました。ただし、実際のワイヤレス・パワー・システムは、システムの利便性の要素に対処する必要があり、この結果、負荷や結合の変化に従って、共振から大きく離れることができる反射コイル・インピーダンスになります。これらのシステムは、依然として負荷に電力を供給する必要があるので、アンプは、広いインピーダンス範囲にわたってこのコイルを駆動しなければなりません。A4WPクラス3などの規格は、利便性の要素に対処するためにコイルの広いインピーダンス範囲を規定しており、アンプの特性を比較するための出発点として使うことができます。ZVSのD級やE級のアンプへのこの実装は、固有の動作範囲の制限を決めるために、インピーダンス範囲を縮小したA4WPクラス3規格に対して6.78 MHzでテストされるでしょう。デバイスの温度や電圧の制限などの要素が、各アンプが駆動することができる負荷インピーダンスの範囲の境界を決定するでしょう。

中国のBodos China誌
2015年6月
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先週、米国カリフォルニア州エルセグンドに本拠を置くEfficient Power Conversion社は、窒化ガリウムで作ったパワー・トランジスタ2品種を製品化し、シリコンの対応品よりも安価であると発表しました。「シリコンに比べて、本当に高性能で低コストなデバイスは、これが初めてです」とCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。さらに、「窒化ガリウムは、聖火を受け取り、今、それを持って走っています」とも語りました

IEEE Spectrum誌
May 8, 2015
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EPC社の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidowが、優れた性能、小型化、高い信頼性、低価格であるeGaN FETの新しいファミリーについて、米Power Systems Design誌のAlix Palutre氏に語りました。この内容は、シリコンMOSFETの代替品として、GaNトランジスタが普及するための最後の壁が崩壊していることます。

インタビューを聞く
米Power Systems Design誌
2015年4月29日

Efficient Power Conversion社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、ムーアの法則の寿命を延ばすために、ライフワークとなる仕事をしています。どうして？　米インテル社などが見つけたように、かなり天井に近づいてきているシリコンに依存している伝統的なチップ技術では、誰かが、その材料が許す限り安価で強力なシリコン・チップを作ろうとしています。Lidowは、多くの方法でシリコンよりも優れている半導体材料を見つけたと語っています。それが窒化ガリウム（GaN）です。実験室でも、実用でも、GaNチップは、利用した多くの事例でシリコンを上回り、製造もより安価で、より弾力性があり、より少ない保護要素で済むと同時に、シリコン・チップを作るために必要なインフラで形成できます。

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米PandoDaily誌
2015年4月21日

「ムーアの法則は、新しい素材について何かにモーフィング（ある物体から別の物体へと自然に変形する映像をみせること）しています」と半導体業界に長く身を置き、Efficient Power Conversion（EPC）社のCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。EPC社は、電子のより良い導電体である窒化ガリウム（GaN）を、シリコンとの置き換えが可能なレベルにし、シリコンを上回る特性と電力効率のメリットを提供しています、とも語りました。GaNは、すでに電力変換と無線通信に使われており、いつかデジタル・チップへの道をたどることができます。「60年ぶりに初めて、小型化というよりも、優れた材料としての有力な候補になります」と語っています。

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米Network World誌
2015年4月17日

ムーアの予測は、自己達成的予言となりました。チップの計算能力は、24カ月ごとに2倍になっただけでなく、24カ月ごとに2倍にならなければならなくなり、ハイテク産業、そして経済全体は、悲惨な結末に苦しみ、イノベーションと経済の発展を抑圧しています。

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米re/code誌
Alex Lidow
2015年4月17日

チップの進歩は、次々と起こる技術革新の原動力となっています――パソコン、インターネット、スマートフォン、スマートウォッチ、そして、すぐに自動運転車。III-V族の材料に未来を賭けている1つの企業がEfficient Power Conversion社で、最高経営責任者（CEO）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が率いる34人のスタートアップ企業です。EPC社は、すでに窒化ガリウム（GaN）で作ったIII-V族の層を組み込んだデバイスからの収益で安定に成長しています。2016年か2017年には、コンピュータ・プロセッサで思考を行う論理回路として動作するように、窒化ガリウムの製造プロセスを対応させようとしています。窒化ガリウムの電気的特性のため、従来のシリコンを超えて、「すぐに、何1000倍もの潜在的な改善を実現できます」とも語っています。

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米CNET.com誌
2015年4月17日

米VentureBeat誌のDean Takahashi氏がAlex Lidow（アレックス・リドウ）を紹介：シリコン・チップは、現代のエレクトロニクスの基盤として数10年の長きにわたって利用されています。しかし、化合物材料の窒化ガリウム（GaN）に基づく新しい種類のチップは、高性能、低消費電力、低コストなので、シリコンの座を奪うとみられています。

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米VentureBeat誌
2015年4月2日

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）トランジスタは、5年以上も前から市販されています。市販のGaN FETは、最先端のシリコン・ベースのパワーMOSFETよりも、より高性能でより低コストになるように設計されています。この成果は、あらゆる技術が、性能とコストの両方に関してシリコンと対抗してきた60年の歴史で初めてのことであり、これは、尊敬に値するが成熟しているパワーMOSFETの究極の置き換えとなる兆しです。

米EDN誌
Alex Lidow
2015年2月18日

金融情報サービス大手の米ブルームバーグ・ビジネスのAshlee Vance氏がEPC社を分析。シリコンは、いくつかの大きな耐久力を享受してきました。60年にわたって、トランジスタ、すなわち、情報化時代を駆動した小さなスイッチの心臓部で選ばれてきた半導体でした。バレーは、それにちなんで命名されました。数10億ドル規模の大国は、そこから作り出されています。そして今、向うを見ると、シリコンは、最終的に置き換えられる瀬戸際にきているかもしれません。

業界の観点から言えば、技術は、人間に一定の御利益を約束するメリットや能力が得られる限り存在します。とはいえ、主流のシリコンCMOS技術は、そこから徹底的に恩恵を受けている業界に計り知れない利益を与えています。さて、ここで質問です。太陽の輝きは、CMOSの上に降り注ぐ準備ができていますか？　新たに出現したデバイスGaNパワー・チップは、それらを採用するための最後の障害であるコストをノックダウンしています。DesignConでの基調講演によると、このチップは、自動運転車への無線充電や、より効率的なセルラー通信などの幅広いアプリケーションを可能にするでしょう。

EETimes Asia誌
2015年2月

60年ぶりに出現した新しい高性能の半導体技術は、対抗するシリコンよりも安価に製造することができます。窒化ガリウム（GaN）は、トランジスタ性能の飛躍的な向上と、シリコンよりも低コストで製造できることの両方が実証されています。GaNトランジスタは、従来のいかなるトランジスタよりも、高電圧、大電流を高速にスイッチングできる能力によって、新しいアプリケーションへの束縛を解き放ちます。この並はずれた特性は、未来を変えることができる新しいアプリケーションを牽引しています。これは、ほんの始まりにすぎません。

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米EDN誌
By: Alex Lidow
2015年1月

「GaNの利用法」シリーズのこの回では、48 V入力のアプリケーションにおける第4世代eGaN FETについて議論し、チップスケール・パッケージ封止の高耐圧の横型eGaN FETの熱特性を評価します。

米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年12月

テクニクスが帰ってきた。パナソニックは、6年ぶりに、この高く評価されたブランドから最初の新しいハイファイ製品を発表しました。この新しいリファレンス・クラスのシステムは、ステレオ・パワー・アンプ、ネットワーク・オーディオ制御プレーヤ、スピーカ・システムの3つのコンポーネントで構成されています。このアンプは、初期のジッターやニップ・ノイズを除去するJENO（Jitter Elimination and Noise-shaping Optimization）Digital Engine と、周波数位相特性を平坦化するスピーカ負荷適応処理を行うLAPC（Load Adaptive Phase Calibration）を使っています。信号の損失を低く抑え込み、独自のデジタル・リンク入力、アナログXLR入力、アナログRCA入力、バイ・ワイヤリング（Bi-wiring）のスピーカ端子、および、安定化電源（silent linear power supply）を備え、高速スイッチング用のGaNを搭載しています。

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