EPCの信頼性レポートのフェーズ8は、合計800万GaNデバイス-時間を超えて不具合ゼロだったことをまとめたものです。このレポートは、EPCのデバイスが品質認定された製品として発表される前に実施されるストレス・テストを詳細に調べたもので、故障の物理を分析しています。

Bodo’s Power Systems誌
2016年9月1日
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Efficient Power Conversion（EPC）社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）のFETと集積回路（IC）は、LiDAR（光による検出と距離の測定）、無線充電、DC-DC変換、RF基地局の送信、衛星システム、オーディオ・アンプなどの多くの最終ユーザーのアプリケーションへの道筋を見つけています。

フィールドの信頼性は、顧客のアプリケーションに採用されているeGaN^® FETとICの品質レベルを裏付ける究極の評価基準です。最初の採用については、量産出荷の6年間、および全体で170億デバイス時間以上の記録を含めて、eGaN FETのフィールド信頼性の概要を公表しました。その後の計算された故障件数（FIT：109時間の故障数）が約0.24 FITだったことは、これまでの優れたフィールド信頼性特性を示しています。

米Plant Analog誌
Chris Jakubiec
2016年5月1日
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このシリーズは、eGaN^®技術の信頼性が確認されたさまざまな方法や、故障の物理学の理解からモデルを開発する方法を調べて、ほぼすべての動作条件の下で故障率を予測する助けにすることです。この最初のパートと次のパートで、自動車のヘッドライトから、医療システムや4G/ LTEの通信システムまで、さまざまな用途で使うGaNトランジスタの過去6年間の現場経験を見ていきます。各パートの失敗談は、学習した貴重な教訓を導き出します。

米Planet Analog誌
Chris Jakubiec、Robert Strittmatter博士、Alex Lidow博士
2016年3月１日
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この記事では、eGaN FETの高い電子密度と非常に低い温度係数が、今日の高性能アプリケーションに必要とされるパワーMOSFETを超える主な優位性となることを示します。高電子密度が優れたオン抵抗RDS(ON)につながり、正の温度係数がチップ内のホット・スポットの発生を抑制し、この結果、優れた安全動作領域（SOA）特性が得られます。

By Yanping Ma博士、EPC社、品質部門のディレクタ
Bodo's Power Systems誌

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Efficient Power Conversion’s (EPC) enhancement-mode gallium-nitride (eGaN) power transistors, although similar to standard power MOSFETs, deliver performance unattainable by silicon-based devices.

Yanping Ma, PhD, Efficient Power Conversion, El Segundo, Calif.
How2Power
October, 2010

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