LiDAR（光による検出と距離の測定）は、関心のある必要な範囲にわたってパルス光を送信できるレーザー（またはアレイ）と、反射信号分析用の高速、低雑音の受信器で構成されています。この光の一部は、対象物の反射率に従って受信器に反射または散乱されて戻ります。

米EDN Network誌
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ゲーマーは、Efficiency Power Conversion（EPC）のCEO（最高経営責任者）で、パワーのパイオニアであるAlex Lidow（アレックス・リドウ）によって伝道された窒化ガリウム（eGaN）チップの微細な点は気にしないかもしれません。しかし、彼らは、これらのチップが、これまでよりもはるかに小さい電源を備えた新世代ゲーム機を可能にすることには気になるでしょう。

米ニュース・サイトVenture Beat
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最良の設計手法は、プリント回路基板のレイアウトや熱管理も含めて、eGaN FETの利点を利用しています。GaNトランジスタのスイッチング電荷が削減され続けるにつれて、システムの寄生要素も低減されなければなりません。これによって、最大スイッチング速度が得られ、パワー・コンバータで一般的な寄生のリンギングを最小化できます。

米Power Electronics誌
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EPCが無線充電用途向けeGaN FETとパワーキットに関するデータ一覧

日経BP社
2017年6月15日
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この科学者は、40年前に博士号を取得し、世界のエネルギー消費の15％を一度に節約しました。彼は現在、人類のために、シリコンの代替材料を発見するための革新の旅を続けています。

私の父はいつも、個人の真の価値は、社会への貢献に基づいて評価されると私に教えてくれました。私が1975年に大学院に入学したとき、自分の情熱が半導体分野にあることに気付きました。社会への私の最高の貢献がシリコンの後継者を見つけることから生まれると感じました。私はガリウム砒素で卒業しましたが、1977年に博士号を取得した時点で、ガリウム砒素の見通しは、基本的な材料特性によって、半導体としては限界があるので、私が学んだことのすべてを、シリコンのより良いデバイスを作ることに応用する仕事につぎ込むことにしました。

中国のFortune China誌
2017年6月15日
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APEC 2017で、Efficient Power Conversion社によって実証されたGaNアプリケーションの一部を見てください。

米EDN Network
2017年4月3日
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APEC 2017で、Efficient Power Conversion（EPC）は、もうすぐ私たちの生き方が変わることを証明しようとして、eGaN技術を使ったアプリケーションを展示しました。

オンライン・ニュースの米Electronics360
2017年3月29日
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光による検出と距離の測定（lidar）は、近年、大きく注目されている汎用の光ベースのリモート・センシング技術です。それは、数多くのメディアに登場し、良く知られた電気自動車会社である米テスラモーターズ社のエンジニアリングの選択についての一般的な議論にもつながっています。この記事では、この論争に参加するつもりはありませんが、lidarについてのいくつかの背景を説明し、パワー・エレクトロニクス技術との強いつながりについて議論します。

発行：IEEE Power Electronics Magazine誌 ( Volume: 4, Issue: 1, March 2017 )
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Efficient Power Conversion（EPC）社は、入手可能な窒化ガルウム・トランジスタのコストを削減し、チップ面積と実装面積を縮小すると同時に、性能を向上させた第5世代（Gen5）プロセスへの強化によって、シリコンMOSFETのパワー素子に一段と大きな打撃を与えました 。

EPC社のCEO（最高経営責任者）／共同設立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）と彼のチームは、再度、努力して彼らの専門知識を活用し、シリコン・デバイスが実現できる以上の性能を必要とする新しい市場に向けて、ユニークなパワー・ソリューションの選択肢を提供します。このチームの技術力と深い理解度は、プロセスの量子力学にまで及び、ソリューションのサイズとコストを削減するだけでなく、より優れた性能も実現しています。

米EDN誌
2017年3月15日
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3300億米ドルのシリコン・チップ業界は、あらゆる電子機器の基盤となっています。しかし、多くの合併や買収を促している成熟の新しいレベルに達しているので減速しています。

このため、シリコンの代替材料 ―― 窒化ガリウム（GaN）の業界のパイオニアであり、主たる提唱者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、彼の時代が来たように感じています。彼の会社であるEfficient Power Conversion（EPC）社は、以前のチップの半分の面積で、大幅に高性能化したeGaNチップの新しい世代を発表しています。

米VentureBeat誌
2017年3月15日
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このシリーズの前回の論文では、EPCの eGaNウエハー・レベルのチップスケール・パッケージの熱機械的信頼性を取り巻く故障の物理に焦点を当てました。電圧バイアス下での潜在的な故障モードの基本的な理解も重要です。この論文では、窒化ガリウム（GaN）電界効果トランジスタ（FET）のゲート電極に対する電圧バイアスに関連する故障の物理の概要を説明します。ここでは、ゲート制御電圧を指定された限界以上にして、eGaN FETが予想寿命にわたってどのように動作するかを調べる場合について検討します。

米Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年11月29日
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将来的に、自動運転車は、レーザーに基づく検出技術が必要になり、これらのシステムには、シリコンを打ち負かすことができる新しいタイプの高速トランジスタやチップが必要になります。

これは、Alex Lidow（アレックス・リドウ）の主張です。同氏は、スタンフォード大学で博士号を取得した物理学者、起業家、および、米国カリフォルニア州エルセグンドにある企業Efficient Power Conversion（通称EPC）の共同創立者でCEO（最高経営責任者）です。この会社は、シリコンよりも、より高速に、より効率的に動作する安価な材料によるトランジスタやチップを作っています。

米フォーチュン誌
2016年9月8日
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このシリーズの最初の3回は、EPCのエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）電界効果トランジスタ（FET）と集積回路（IC）のフィールド信頼性の実績とストレス・テストにおける品質を扱いました。文書にまとめられた優れたフィールド信頼性は、デバイスがアプリケーション内で遭遇するとみられる動作条件を網羅するストレス・テストを実施した結果です。同様に重要なのは、予想された動作条件（例えば、データシートのパラメータと安全動作領域）を超えてストレスが加えられたとき、eGaNデバイスにどのように不具合が起こるかの根本的な物理を理解することです。今回は、eGaNのウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ（WLCSP）の熱機械的な信頼性を中心とする故障の物理学を深く掘り下げるものになります。

米Planet Analog誌
Chris Jakubiec
2016年9月7日
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窒化ガリウムIC：サーバーの電力効率を向上 ―― 無駄な電力、冷却、スペースを削減することは、データセンターのサイズに対する関心事だけにとどまりません。各ラックの範囲内での争いでもあります。そして、ときに、1つの小さな変化でも、大きな違いを生むことがあります。

米TechBeacon
2016年8月2日
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このシリーズの最初の2回では、Efficient Power Conversion（EPC）社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）FETと集積回路（IC）のフィールドにおける信頼性の実績を詳細に報告しました。ストレスに基づく品質試験で、顧客のアプリケーションにおける信頼性を確保することが可能であり、eGaNデバイスの優れたフィールド信頼性が実証されています。この回では、製品を品質認定する前に、EPC社のデバイスに実施されるストレス・テストを検討します。

米Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年７月9日
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シリコン・バレーという名称の元になった原料に、有望な新しいライバルが立ちはだかっています―― 窒化ガリウム（GaN）。この新参者は、300億米ドルの半導体電源市場に突入する用意が整っていると言われています。米アップル社（AAPL）のiPhoneの充電器からテスラモーターズ社（TSLA）の高級電気自動車に至るまで「壁にプラグを差し込まない」という市場です。

米Investor's Business Daily紙
2016年7月
July 2016
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カリフォルニア州ミルピタス発のPRNewswire：革新的なパワー・マネージメント（電源管理）と高精度アナログ・ソリューションのリーディング・プロバイダである米インターシル社（NASDAQ：ISIL）は本日、衛星や他の過酷な環境のアプリケーション向けに、窒化ガリウム（GaN）の電力変換ICを含めた市場をリードする耐放射線ポートフォリオを拡張する計画を発表しました。

米PR Newswire誌
2016年5月25日
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Efficient Power Conversion（EPC）社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）のFETと集積回路（IC）は、LiDAR（光による検出と距離の測定）、無線充電、DC-DC変換、RF基地局の送信、衛星システム、オーディオ・アンプなどの多くの最終ユーザーのアプリケーションへの道筋を見つけています。

フィールドの信頼性は、顧客のアプリケーションに採用されているeGaN^® FETとICの品質レベルを裏付ける究極の評価基準です。最初の採用については、量産出荷の6年間、および全体で170億デバイス時間以上の記録を含めて、eGaN FETのフィールド信頼性の概要を公表しました。その後の計算された故障件数（FIT：109時間の故障数）が約0.24 FITだったことは、これまでの優れたフィールド信頼性特性を示しています。

米Plant Analog誌
Chris Jakubiec
2016年5月1日
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私たちの社会の中で、情報への需要は、かつてない速度で拡大しています。より大量の情報に、より高速にアクセスしたいという傾向は、クラウド・コンピューティングや、あらゆるモノをインターネットでつなぐIoT（Internet of Things）のような技術の出現で、減速の兆しがありません。情報の高速な伝送を可能にするものは、ほとんどのデータが集中するラックやサーバーのラックにあります。

米EEWeb誌
Alex Lidow博士、David Reusch博士、John Glaser博士
2016年3月
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オン抵抗が小さく、スイッチング速度が速く、熱インピーダンスが小さく、物理的なサイズが小さいという利点を兼ね備えたeGaN FETは、パワー・トランジスタ特性の水準を上げ続けています。GaN技術が発展するにつれて、パワー・トランジスタの特性を急速に向上するだけでなく、コストの大幅な削減も実現しています。GaNデバイスは、新しいアプリケーションを可能にし続けるだけでなく、コスト重視のアプリケーションでもシリコン・パワー・トランジスタを置き換えるでしょう。実際、この最初の兆候は、すでにここにあります。

米Power Systems Design誌
By: Johan Strydom博士
2015年9月26日
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