問題がパワー半導体、すなわちトランジスタ、ダイオード、または集積回路のパッケージに向けられると、常に、改善の要求は6つの分野に分類されます。
1. パッケージを小型化できますか?
2. パッケージのインダクタンスを減らすことができますか?
3. 導通損失が小さい製品を作ることができますか?
4. パッケージの熱効率を高めることができますか?
5. より低価格で製品を売ることができますか?
6. パッケージの信頼性の高くできますか?
この記事では、GaNオン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスのパッケージに焦点を当てます。これは、パワー・システムの設計者が、効率と電力密度を高めると同時に、システムのサイズとコストを削減するために最も強く求めていることです。