面向大電流、高頻的負載點應用的EPC9059開發板內含業界第一種單個半橋式增強型氮化鎵(eGaN^®)積體電路，可實現更高功率密度。

宜普電源轉換公司（EPC）推出半橋式開發板（EPC9059），專為大電流、高頻的負載點（POL）應用而設，目的是利用氮化鎵積體電路（eGaN IC）的優勢，縮小功率轉換系統的尺寸。該板具有30 V最高元件電壓、50 A 最大輸出電流。在這應用中，兩個30 V的 eGaN IC（EPC2100）並聯工作並配備板載驅動器，從而可以實現更高的輸出電流。與矽基MOSFET相比，由於氮化鎵元件具有卓越的均流能力，因此更適合並聯操作。

宜普電源轉換公司（EPC）推出由業界專家製作合共九個教程單元的高級教學視頻系列，內容涵蓋設計基礎、DC/DC轉換應用、無線充電應用、元件的可靠性元件的可靠性及氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）及積體電路的各種其它應用。

宜普電源轉換公司（EPC）增加合共九個教程單元的教學視頻系列，擴大它的視頻資源以拓展氮化鎵技術的知識庫，為功率系統設計工程師提供高級技術教程，包括應用範例，教授如何使用氮化鎵電晶體及積體電路設計出更高效的功率轉換系統。

宜普電源轉換公司（EPC）的全新開發板幫助功率系統設計師容易並且快速地 對應用於E類放大器、電流模式D類放大器及push-pull轉換器的200 V氮化鎵電晶體進行評估，其工作效率可以高達30 MHz。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出高頻、基於氮化鎵電晶體並採用差分模式的開發板，可以在高達30 MHz下工作。 推出開發板的目的是幫助功率系統設計師利用簡易方法對氮化鎵電晶體的優越性能進行評估，使得他們的產品可以快速量產。

Award Recognizes Innovation in Power Device Technology for Enabling the Commercialization of GaN

EL SEGUNDO, Calif, — January 2016 — Today, Efficient Power Conversion (EPC) announced that its CEO Alex Lidow was selected as the recipient of the 2015 SEMI Award for North America for the innovation of power device technology, enabling the commercialization of GaN. Dr. Lidow is being honored for his work in the area of Process and Technology Integration.

張遠哲博士將為業界的波峰追蹤應用創建設計基準及幫助客戶利用氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）實現高頻、高性能的電源轉換系統。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈張遠哲（Yuanzhe Zhang）博士加入EPC的應用工程團隊，擔任應用工程總監。

氮化鎵場效應電晶體--EPC2035/36被評選爲《EDN》雜誌2015年度最熱門產品百强榜單。EPC2035/36氮化鎵場效應電晶體的價格低、具備更高的性能、更小的尺寸及與等效矽基解決方案相比，其成本更低。這是5年內EPC氮化鎵產品第3次榮登該雜誌最熱門產品百强榜單。

矽基增强型氮化鎵場效應電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司(www.epc-co.com.tw ) 宣佈其高頻、低價格的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）- EPC2035（60 V）及 EPC2036（100 V） 被評選爲《EDN》雜誌2015年度最熱門產品百强之一。

《無線電源手冊》第二版是全新增訂本，旨在幫助工程師如何發揮氮化鎵功率電晶體的卓越性能以設計出面向無線電源傳送系統的高效放大器。

宜普電源轉換公司（www.epc-co.com.tw）宣佈推出《無線電源手冊》第二版。出版本實用工程手冊的目的是為功率系統設計工程師提供寶貴設計經驗及參考資料以瞭解如何利用氮化鎵電晶體設計出高效無線電源系統。

作為宜普電源轉換公司的教科書《氮化鎵電晶體—高效功率轉換元件》的增刊及一本新增了內容的實用指南，本書提供詳細分析如何逐步設計完成基於氮化鎵電晶體的無線電源傳送系統，內容涵蓋如何比較元件，例如在放大器設計中，對氮化鎵場效應電晶體（eGaN^®FET）與MOSFET進行比較，並配以實驗證明在這種高性能的應用中，採用eGaN FET如何比採用MOSFET的放大器更為卓越。

Cataldo先生帶領宜普電源轉換公司（EPC）的銷售及市場行銷團隊，幫助客戶採用氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）及積體電路實現領先的功率轉換系統。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈Nick Cataldo加入EPC的管理團隊，擔任全球銷售及市場行銷高級副總裁職位，以配合宜普公司正在加速發展的步伐。Cataldo先生在半導體業界擁有超過35年的市場行銷及銷售營運的經驗。他的主要職責是制定及執行銷售及市場行銷策略，從而達到公司的全球銷售目標。

EPC2037增强型氮化鎵功率電晶體（100 V、1 A、550 mΩ）由一個數字驅動器直接驅動，於採用D類及E類放大器拓撲的無綫充電應用中可以實現高頻開關及特別優越的性能。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com.tw )推出增强型氮化鎵功率電晶體（eGaN^®FET）系列的最新成員 -- EPC2037。

EPC2037（100 V_DS、1 A）非常小型（1.82 mm²）及在閘極上施加5 V電壓時的最大導通阻抗爲 550 mΩ。 由於它具備超高開關頻率、低導通阻抗值、異常低的Q_G值及採用超小型封裝，因此它在電源轉換系統具備高性能優勢。EPC2037由一個數字邏輯集成電路直接驅動，因此不需額外及高成本的驅動器集成電路。

宜普公司的《DC/DC轉換手册》與工程師分享如何在數據通訊設備及其他功率轉換應用中利用氮化鎵（GaN）功率電晶體提高效率及功率密度。

現今世界對訊息的需求史無前例地快速增長，而社會對通訊、計算及下載技術的渴求進一步驅使我們對訊息的需求量上升。新興技術諸如雲端運算及物聯網的出現，加上全球每分鐘估計有高達300小時的錄像被上載至YouTube平臺，可見要求更多、更快速的信息存取的趨勢不會慢下來。這個挑戰推動了我們編撰這本實用工程知識手册--《DC/DC轉換 -《氮化鎵電晶體—高效功率轉換元件》的增刊 》。

本書闡述功率轉換系統如何持續改善，從而跟上正在快速提升的運算能力的發展步伐，以及應對社會對高效數據中心的需求。此外，本書的焦點是如何發揮高效氮化鎵技術並逐步分析如何利用氮化鎵元件設計出高效的功率轉換解決方案。該分析對用於功率轉換系統中的傳統先進矽功率電晶體和氮化鎵電晶體進行比較。

雙路增強型120 V、60 mΩ氮化鎵積體電路(EPC2110)可實現超高頻開關,從而推動採用E類放大器拓撲的無線電源傳送應用實現優越性能。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com.tw )推出增強型氮化鎵IC系列的最新成員-- EPC2110。

EPC2110是一種具有120 V_DS、20 A的雙路共源極元件，它採用非常纖薄的封裝(1.35 mm x 1.35 mm)，於閘極施加5 V電壓時的最高R_DS(on)為60 mΩ。由於EPC2110具備超高開關頻率、超低R_DS(on)、異常低的Q_G及採用非常纖薄的封裝，因此這種氮化鎵IC可以實現高性能。

全新eGaN^® FET (EPC2039 eGaN^®)具備優越性能、大功率及採用超小型封裝的優勢，其價格也可以支付得起。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2039功率電晶體。該產品是一種具備高功率密度的增强型氮化鎵(eGaN^®)功率電晶體，其尺寸只是1.82 mm²、80 V_DS、6.8 A及在閘極上施加5 V電壓時的最大阻抗爲 22 mΩ。 由於它在超小型封裝內具備高開關性能，因此它在電源轉換系統具備高性能優勢。

氮化鎵功率電晶體 -- EPC2106爲功率系統設計師提供的解决方案可以在2 MHz以上頻率開關，從而不會干擾AM頻段及降低過濾成本，因此是具備低失真性能的D類音頻放大器的理想選擇。

宜普電源轉換公司宣佈推出單片半橋式增强型氮化鎵電晶體 -- EPC2106。通過集成兩個eGaN^®功率場效應電晶體而成爲一個集成電路可以去除互感及PCB板上元件之間所需的間隙空間，從而提高效率（尤其是在更高頻時）及提高功率密度而同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。

eGaN^®功率電晶體在功率轉換領域繼續實現更高的性能。該電晶體系列具備更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及優越的散熱性能，從而實現具備更高的功率密度的轉換器。

宜普電源轉換公司宣佈推出兩個可以提高電源轉換效率的eGaN FET。這些產品的工作溫度最高達150°C。150 V的EPC2033的脉衝電流爲260 A及200 V的EPC2034的脉衝電流爲140 A。應用範圍包括DC/DC轉換器、DC/DC與AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器、LED照明及工業自動化等應用。

Integrated Device Technology, Inc. ((IDT^®) (美國納斯達克上市代號: IDTI)宣佈與宜普電源轉換公司（EPC）合作開發基於氮化鎵（GaN）技術的全新方案。氮化鎵被公認爲在速度及效率方面極具優勢的一種半導體材料。這合作謀求探索結合兩家公司的技術——EPC的eGaN^®技術及IDT領先業界的解决方案。

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宜普電源轉換公司(EPC)推出採用高性能、寬間距的晶片規模封裝的全新氮化鎵(eGaN^®)功率電晶體，進一步擴大其功率電晶體系列、易於實現高產量並與成熟的製造工藝及組裝生產線相容。

宜普電源轉換公司宣佈推出3個採用具有更寬間距連接的佈局的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）。這些產品採用具有1 mm間距的焊球，進一步擴大EPC的“寬間距”元件系列。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔，使得元件以超小型尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）實現大電流承載能力。

全新eGaN^®功率電晶體系列以MOSFET元件的價格實現更優越的性能、更小的尺寸及高可靠性。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2035（60 V）及EPC2036 （100 V）eGaN功率電晶體，專爲在價格方面競爭而設計並且在性能上超越矽元件。 價格是封阻可替代矽MOSFET元件的氮化鎵（GaN）電晶體的普及化的最後一個壁壘，而價格已經下降。這些全新產品可以替代矽半導體及爲業界續寫摩爾定律的輝煌。

採用全新100 V EPC2104半橋式元件的全降壓轉換器在48 V轉12 V、22 A輸出電流及300 kHz開關頻率下，系統效率可超過97%；而在22 A、500 kHz開關頻率下，系統效率則接近97%。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC2104(100 V)增强型單片式氮化鎵半橋元件。透過集成兩個eGaN^®功率場效應電晶體而成爲單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及所需的空隙，使電晶體的佔板面積減少50%。這樣可以提高效率（尤其是元件在更高頻工作時）及增加功率密度並同時减低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。

全新氮化鎵(eGaN^®)功率電晶體（EPC2029）進一步擴大宜普電源轉換公司的功率電晶體系列 – EPC2029 氮化鎵電晶體使用高效、具有寬間距的芯片規模封裝，可易於實現高産量並與成熟的製程及組裝生産綫兼容。

宜普電源轉換公司宣佈推出採用更寬間距連接的佈局的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）-- 80 V、31 A並具有1 mm間距的焊球的EPC2029電晶體是這種全新産品系列的首個電晶體。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔，使得小尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）的元件可以具備大電流承載能力。

EPC9201（30 V、40 A）及EPC9203（80 V、20 A）DrGaNPLUS評估板展示出採用具備高頻開關性能的eGaN功率電晶體可大大縮減電源轉換系統的尺寸及提高效率。

宜普電源轉換公司為功率系統設計工程師擴大簡單易用的DrGaNPLUS評估板系列，使工程師非常容易對他們所設計並採用卓越的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的功率系統進行評估，進而快速實現量產。這些評估板是概念性驗證的設計，它把所有半橋式電路所需的元件整合在單塊、超小型及基於PCB的模組內，可以隨時直接表面貼裝在PCB板上，展示出採用氮化鎵電晶體的卓越功率轉換解決方案。