EPC9016開發板內含40 V增強型氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET），是一種25 A最大輸出電流並採用並聯配置的電路設計，可提高電流能力達67%，其最優版圖技術可實現最優化效率。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC9016採用半橋式配置的開發板，專為採用氮化鎵場效應電晶體的大電流、高降壓比、降壓中間匯流排轉換器(IBC)應用而設。與採用單一高側（控制）場效應電晶體相比，我們並聯了兩個低側（同步整流器）場效應電晶體使得傳導時間更長。

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宜普公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow 將與工程師分享專為工作在10 MHz頻率範圍而設的全新增強型氮化鎵（eGaN^®）高電子遷移率電晶體系列，由於這些電晶體在經過輻射照射後仍然具高可靠性，因此它們是高可靠性應用的理想器件。

矽基增強型功率氮化鎵場效應電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將在四月三日於美國南卡羅來納州的Charleston市舉行的第39屆GOMACTech年度研討會演講。

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宜普公司專家將于三個業界技術研討會演講：第十三屆慕尼克上海電子展 - 國際電力電子創新論壇、IIC電子工程盛會 - 2014年春季論壇及臺灣寬能隙電力電子研發聯盟舉辦的寬能隙電力電子國際研討會。

矽基增強型功率氮化鎵(eGaN^®)功率電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將於亞太區業界技術研討會進行三場技術演講。

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於2014年IEEE的APEC功率電力電子業界研討會中，宜普電源轉換公司的應用技術專家將分享氮化鎵場效應電晶體技術如何于應用中比矽功率MOSFET器件優勝。

矽基增強型功率氮化鎵場效應電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將於2014年APEC技術研討會以應用為主題進行三場技術演講，與參與者分享高頻諧振轉換器及高頻、硬開關功率轉換器設計。研討會將於3月16日至20日在德克薩斯州的Fort Worth舉行。

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EPC8010 100 V gallium nitride FET is optimized for high frequency applications with positive gain into the 3 GHz range.

EL SEGUNDO, Calif. – January 2014 – Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN^®) power FETs extends its family of high-speed, high performance transistors with the EPC8010 power transistor. Sold in die form, the EPC8010 is a mere 1.75 mm² with 100 V_DS. Optimized for high speed switching, the EPC8010 has a maximum R_DS(on) of 160 milliohms and input gate charge in the hundreds of pico-coulombs.

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EPC9013開發板內含100 V氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET），是一種35 A最大輸出電流並採用四個半橋式配置的電路設計及配備一個板載柵極驅動器。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出全新開發板 EPC9013 ，內含100 V增強型氮化鎵場效應電晶體（EPC2001），使用四個半橋式並聯配置及一個板載柵極驅動器，以降壓模式工作在達35 A最大輸出電流。這種創新設計可增加輸出功率之同時並不會降低效率。

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宜普電源轉換公司的元件模型被納入國家儀器公司最新推出的Multisim 13.0，已為數千名工程師提供一個易於使用的環境，用以模擬採用EPC元件的功率轉換系 統，從而提高功率系統效率、縮小產品尺寸及降低設計功率轉換系統的開發成本。

矽基增強型功率氮化鎵場效應電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司宣佈其增強型功率氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）SPICE模型被收納入國家儀器（NI）最新 推出的 Multisim 電路類比及設計軟體。Multisim提供全方位的電路分析工具，幫助工程師從先進功率轉換系 統的應用中易於計算、改變及查尋參數。

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基於40Ｖ氮化鎵場效應電晶體（EPC2014）的EPC9005開發板旨在幫助工程師于短時間內設計具備高頻開關性能的電源轉換系統

宜普公司宣佈EPC9005開發板在中國榮獲兩個媒體頒發2013年度獎項，分別為今日電子雜誌頒發2013年度十大電源產品獎的“優化開發獎”及EDN China雜誌頒發2013年度中國創新獎的“優秀產品獎”。

“我們感到非常榮幸我司的產品得到今日電子雜誌及EDN China雜誌頒發業界年度獎項，表彰我們在技術創新方面所做出的努力。基於40 V氮化鎵場效應電晶體（EPC2014）的EPC9005開發板可幫助工程師于短時間內設計具備高頻開關性能的電源轉換系統。EPC9005開發板是一種已製作好及易於連接的開發板，並備有完善歸檔的技術支援資料，使工程師可輕鬆地利用氮化鎵場效應電晶體設計產品。在此我們再次感謝媒體朋友及工程師一直以來對我們的支持！”宜普公司首席執行長 Alex Lidow說。

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EPC9106 D類音頻放大器參考設計使用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體，展示在提升效率、縮小產品尺寸及不需散熱器之同時可實現具專業消費類水準的高質音響效果。

宜普電源轉換公司推出150 W、8 Ω D類音頻放大器的參考設計（EPC9106）。該演示板使用 Bridge-Tied-Load (BTL)設計，配置四個具接地連接的半橋輸出級電路，為可升級及可拓展的設計。在這個基於氮化鎵場效應電晶體的系統中，我們把所有可影響D類音頻系統音質的元素減至最少或完全去除。

EPC9106演示板含EPC2016氮化鎵場效應電晶體及德州儀器公司的100 V半橋柵極驅動器（LM5113）。該板展示了使用具備高頻開關性能的氮化鎵場效應電晶體並配備專有驅動器LM5113，可以實現小尺寸、高音質的理想效果。EPC9106演示板的設計由於高效，因此可以完全不用散熱器，因此也可以減低發生EMI/EMC發射的機會。

EPC9106開發板的超小型電源模組（11 mm x 11 mm）包含氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET）、驅動器、電感器及輸出／輸入電容。尺寸雖小，EPC9106參考設計在150 W、8 Ω可實現96%效率，並在250 W、4 Ω實現92%效率。

客戶如果對我們的D類音頻放大器中的氮化鎵場效應電晶體及以上的演示板有興趣，我們可以安排FAE工程師與您會面。請聯繫：

• 美國地區: Renee Yawger, +1.908.475.5702 or [email protected]
• 亞洲地區: Stephen Tsang, +852.9408.8351 or [email protected]

氮化鎵場效應電晶體器件的設計資訊及技術支援：

• 現場示範EPC9106演示板： http://youtu.be/AokgH9AO9eA?t=22m3s
• 應用於D類音頻放大器的氮化鎵場效應電晶體的視頻： http://www.youtube.com/watch?v=g0dZIgfF0-s&feature=youtu.be
• 速查指南： http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9106_qsg.pdf
• 下載EPC2016及所有宜普公司氮化鎵器件的資料表： http://epc-co.com/epc/products/gan-fets-and-ics
• 開發板及其他設計支援： http://epc-co.com/epc/products/demo-boards
• 氮化鎵場效應電晶體的應用技術資料： http://epc-co.com/epc/DesignSupport.aspx

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、以太網供電、太陽能微型逆變器及D類音頻放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。

客戶在Twitter的網址http://twitter.com/#!/EPC_CORP 可以找到EPC，而面書在http://www.facebook.com/EPC.Corporation，也可以在我們的網頁 www.epc-co.com.tw 註冊，定期收取EPC公司的最新產品資訊。

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體聯絡人

Winnie Wong ([email protected])[email protected])

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宜普公司的增強型氮化鎵場效應電晶體備受推薦，其商用高鉛含量的EPC2801、EPC2815及EPC2818器件現在可以在網上購買。

宜普公司（www.epc-co.com.tw）推出帶高鉛含量焊錫端子的器件，非常適合要求更高焊接溫度的應用。EPC2801、EPC2815及EPC2818器件的焊接端子中鉛含量為95%，而錫含量為5%。

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Power systems and RF designers now have access to high performance GaN power transistors capable of amplification into the low GHz range, enabling innovative designs not achievable with silicon.

EL SEGUNDO, Calif. — September 2013 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN®) power FETs extends its family of high-speed, high performance transistors with the EPC8000 family of products.

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EPC2018 氮化鎵功率電晶體於直流-直流電源轉換及D類音頻放大器的應用發揮卓越性能及實現高頻開關

宜普電源轉換公司2013年9月宣佈推出增強型氮化鎵功率電晶體系列產品中的最新成員- EPC2018。

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EPC9107 演示板展示如何使用具備高開關頻率的氮化鎵功率電晶體以縮小尺寸及提高電源轉換效率

宜普公司在二零一三年五月宣佈推出全功能降壓電源轉換演示板（EPC9107）。該板展示輸入電壓為9V至28V、當電源電壓為3.3V時可提供15 A的電流的1 MHz降壓轉換 器，內含 EPC2015氮化鎵場效應電晶體，並配合德州儀器公司的100 V半橋柵極驅動器（LM5113）。當使用了這個專為驅動氮化鎵電晶體而設的驅動器，EPC9107 展示具有高開關頻率的氮化鎵場效應晶體可實現 縮小尺寸及提高性能等優勢。

EPC9107演示板的面積為3平方英寸，內含全閉環降壓轉換器，並具備經過優化的控制環路，而放置在僅半英寸x半英寸極緊湊的版圖上的全功率級，包含了氮化鎵 場效應電晶體、驅動器、電感及輸入/輸出電容，以展示使用氮化鎵場效應電晶體並在配備驅動氮化鎵器件的驅動器LM5113的條件下可實現的卓越性能。

演示板雖然細小，其最大電源效率超過96%，當電源電壓為3.3V時可以提供15A的電流。為幫助設計工程師， 我們設計這個易於安裝的演示板並具備多個探測點， 以便測量簡單的波形和計算效率。

隨EPC9107演示板一起提供的還有一份供使用者參考的速查指南 http://epc- co.com/epc/documents/guides/EPC9107_qsg.pdf， 配備安裝步驟、電路圖表、性能曲線及BOM等資料， 幫助使用者可以更容易使用演示板。

EPC9107演示板的單價為195.94美元，客戶可以透過DigiKey公司在網上購買，網址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援

• 速查指南：http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9107_qsg.pdf
• EPC2015及所有宜普氮化鎵器件的數據表，可在這個網頁下載: http://epc- co.com/epc/Products.aspx
• 關於開發板及其他設計支援的資料： http://epc- co.com/epc/products/demo-boards
• 參看宜普公司氮化鎵器件的應用支援資料： http://epc- co.com/epc/DesignSupportbr/Applications/DesignBasics.aspx

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的電源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、 無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。

客戶在Twitter的網址http://twitter.com/#!/EPC_CORP及Facebook的網址http://www.facebook.com/EPC.Corporation找到EPC，也 可以在我們的網頁http://bit.ly/EPCupdates註冊,定期收取EPC公司的最新產品資訊。

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EPC9010開發板採用專為驅動氮化鎵場效應電晶體而設的柵極驅動器，幫助工程師利用100 V的EPC2016氮化鎵場效應電晶體快速設計出高頻開關電源轉換系統。

宜普電源轉換公司(EPC)在2013年3月宣佈推出EPC9010開發板。這種開發板能使工程師更方便地使用宜普100 V增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體（FET）來設計產品。受益于eGaN FET性能的應用包括高速直流-直流電源、負載點轉換器、D類音訊放大器、硬開關和高頻電路。

EPC9010開發板是一種100 V峰值電壓、7 A最大輸出電流的半橋電路設計，內含EPC2016增強型氮化鎵場效應電晶體，並同時配合板載柵極驅動器。推出EPC9010開發板的目的是簡化評估氮化鎵場效應電晶體的過程，因為板上集成了所有關鍵元件，因此易於與目前任何轉換器連接。

EPC9010開發板尺寸為2英寸x1.5英寸，不僅包含了帶柵極驅動器且採用半橋配置的兩個EPC2016 氮化鎵場效應電晶體及德州儀器的柵極驅動器（LM5113），而且包含電源和旁路電容。EPC9010開發板集成了所有關鍵元器件及佈局，以實現最優開關性能。電路板上還備有多個探測點，以便測量簡單的波形和計算效率。

隨開發板一起提供的還有一份供使用者參考的速查指南 http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9010_qsg.pdf，使用戶可以更容易使用開發板。

EPC9010開發板的單價為99.18美元，客戶可以透過DigiKey公司在網上購買，網址為http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援

• EPC2016及所有宜普氮化鎵器件的資料表，可在這個網頁下載:
  http://epc-co.com/epc/products/gan-fets-and-ics
• 關於開發板及其它設計支援的資料：
  http://epc-co.com/epc/products/demo-boards
• 關於產品培訓視頻：
  http://epc-co.com/epc/DesignSupport/eGaNFETBasics.aspx
• 宜普氮化鎵器件的應用筆記：
  http://epc-co.com/epc/Applications/ApplicationBasics.aspx

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的电源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追踪、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com。

客戶在Twitter的網址http://twitter.com/#!/EPC_CORP及Facebook的網址http://www.facebook.com/EPC.Corporation找到EPC，也可以在我們的網頁http://bit.ly/EPCupdates註冊,定期收取EPC公司的最新產品資訊。

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EPC is honored to be recognized as a 2012 All Star by Constant Contact. This status is an annual designation that only 10% of Constant Contact customers achieve. It is awarded to companies making extra efforts to engage customers. We would like to thank all who have supported us. If you are not already receiving our newsletter please join our list @ http://bit.ly/qr28tu

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宜普公司首席執行長及應用專家將於業界IEEE APEC2013年電力電子研討會舉行為期半天的關於氮化鎵場效應電晶體的技術及應用研討會。

增強型矽基氮化鎵功率場效應電晶體的全球領先供應商宜普電源轉換公司將於3月17日至21日在美國加州Long Beach舉行的2013年APEC會議的學術研討會及多個以應用為主題的技術論壇演講。

在功率電子應用響負盛名™的APEC會議專注功率電子的實用及應用方面，備受各界功率電子專家關注。APEC會議與在職工程師分享所有不同功率電子元件及設備的用途、設計、製造及推廣，詳情請瀏覽http://www.apec-conf.org/ 。

宜普公司創辦人及首席執行長Alex Lidow說：“我們的專家非常榮幸獲得2013年APEC會議技術評委會推薦我們在其學術研討會演講，並與工程師分享關於氮化鎵的技術論文。委員會對我們的支持進一步強化我們的信念 -- 功率系統設計工程師對具備卓越性能的氮化鎵技術感到興趣並且認同。”

學術研討會： 實現高效電源轉換的氮化鎵電晶體
日期：3月17日（星期日）（S.7：下午2時30分至6時）

是次研討會將講解“氮化鎵電晶體- 高效功率轉換器件” 教科書所涵蓋的議題，並闡釋氮化鎵高電子遷移率電晶體（HEMT）的性能，以及討論如何使用這些器件，包括解釋在高性能、高頻的電源轉換應用中需要考慮驅動器、版圖及熱管理等因素。 為展示氮化鎵技術在現實世界裡的價值，我們將討論多個應用包括高頻波峰追蹤（ET）、中間匯流排轉換器（IBC）及無線電源傳送。此外，我們將在研討會的總結部分討論這個嶄露頭角、替代MOSFET技術的未來發展。

宜普專家討論關於氮化鎵場效應電晶體的技術演講
圓桌座談會

專題討論 ：寬頻隙的半導體 - 時機成熟還是有待實現的承諾？
講者 ：Alex Lidow
日期 ：3月19日（星期二）（Session 2：下午5時至6時30分）

技術研討會

減小了寄生電感的高頻及低損耗eGaN轉換器設計
講者 ：David Reusch 及 Johan Strydom
日期 ：3月20日（星期三）（直流-直流轉換器 Session ：下午2時至5時30分）

在包絡跟蹤應用採用氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）
講者 ：Johan Strydom
日期 ：3月20日（星期三）（IS 2.2.4：上午8時30分至10時15分）

氮化鎵場效應電晶體推動低功耗及高頻無線能量轉移轉換器的應用
講者 ：Michael de Rooij
日期 ：3月20日（星期三）（IS 2.2.3：上午8時30分至10時15分）

基於氮化鎵場效應電晶體的諧振式高頻電源轉換器
講者 ：David Reusch
日期 ：3月21日（星期四）（IS 1.4.5：上午8時30分至11時30分）

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EPC9004開發板內含氮化鎵場效應電晶體及採用德州儀器公司專為驅動氮化鎵場效應電晶體而設的閘極驅動器

宜普電源轉換公司(EPC)在2013年2月5日宣佈推出採用增強型氮化鎵場效應電晶體的EPC9004開發板, 展示最新推出、專為驅動氮化鎵場效應電晶體而優化的積體電路閘極驅動器,可幫助設計工程師簡單地及以低成本從矽功率電晶體改為採用更高效的氮化鎵場效應電晶體。

EPC9004開發板是一種200 V峰值電壓、2 A最大輸出電流的半橋電路設計，內含EPC2012氮化鎵場效應電晶體，並同時配合德州儀器公司的快速閘極驅動器（UCC27611），從而縮短設計高頻及高效電源系統的時間及減少設計的複雜性。

推出EPC9004開發板的目的是簡化評估高效氮化鎵場效應電晶體的過程,因為這種開發板是塊2英寸x1.5英寸單板,板上集成了所有關鍵元件,因此易於與目前任何轉換器連接。此外，電路板上還備有多個探測點,以便測量簡單的波形和計算效率。隨開發板一起提供的還有一份供客户參考的速查指南，使客户可以更容易使用開發板。

受益于200 V的EPC2012電晶體的應用包括無線電源充電、磁力共振掃描及具低射頻的應用如智慧型儀器表通信設備。

EPC9004開發板的單價為95美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上購買,網址為http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援

• EEPC9004速查指南： http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9004_qsg.pdf
• EPC2012及所有宜普氮化鎵器件的數據表,可在這個網頁下載: http://epc-co.com/epc/Products.aspx
• 關於開發板及其它設計支援的資料: http://epc-co.com/epc/products/demo-boards

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的电源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追踪、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com。

客戶在Twitter的網址http://twitter.com/#!/EPC_CORP及Facebook的網址http://www.facebook.com/EPC.Corporation找到EPC，也可以在我們的網頁http://bit.ly/EPCupdates註冊,定期收取EPC公司的最新產品資訊。

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無線充電將於2013年成為於電力電子業界增長迅猛的應用,其主要的發展步伐從2012年起開始加快。PowerPulse.Net編輯評選出十大發展以反映無線充電應用在2013年及之後的重要發展歷程。

宜普在2012年8月宣佈推出高效無線電源展示系統,它採用了具備高頻開關性能的氮化鎵電晶體(eGaN® FET),由於該電晶體可以在高頻、高壓及高功率條件下有效率地工作,所以非常適用于高效無線電源系統。該系統由宜普及WiTricity公司共同開發,為一個在工作頻率為6.78 MHz的D類電源系統,能夠向負載提供高達15W的功率。使用這個展示系統的作用是可以簡化無線電源技術的評估流程。這個系統內的所有主要元件都是易於連接，可以展示無線電源傳送如何對器件充電。

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本書由業界專家編寫, 為工程師提供關於氮化鎵電晶體的理論及應用範圍

宜普公司宣佈出版了“氮化鎵電晶體 - 高效電源轉換器件”的簡中版教科書，旨在為功率系統設計工程師提供氮化鎵電晶體的基本技術及相關應用的知識，從而幫助工程師使用氮化鎵電晶體設計更高效的電源轉換系統。

清華大學李永東教授評論這書時說“本書回顧了電力電子材料與器件的發展歷程,，並以新型氮化鎵材料作為主要研究項目，深入研究該類功率半導體材料的特點與應用。本書的分析縝密，內容新穎，論述詳實，既具有很高的理論水準，又兼顧工程應用實例，具有大量詳實的實驗資料作為驗證理論分析的依據。作為電力電子行業的讀者，我覺得這是一本難得的、兼顧理論、實踐與可讀性的好書”。

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宜普公司(www.epc-co.com) 宣佈獲得電子設計技術雜誌頒發2012年度創新獎(電源器件與模組組別)之優秀產品獎。今年是電子設計技術雜誌紮根中國第八個年頭，它通過全球電子設計工程師網友及經理的投票與專家選評取得結果，為電子產業內最具影響力和權威的獎項。

宜普公司首席執行長Alex Lidow 說“我們非常榮幸獲得電子設計技術雜誌頒發獎項,並得到業界工程師的支援,作為在市場的主導產品,EPC2012是我們氮化鎵場效應電晶體系列中成員之一，為客戶所採用的更高性能並能替代矽基MOSFET器件的產品”。

EPC2012器件為第二代200 V、具高頻開關及增強性能的增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)，並使用無鉛以及符合RoHS (有害物質限制) 條例的封裝。

EPC2012 场效应晶体管是一款面積為1.7 x 0.9 mm的200 VDS器件、 RDS(ON) 最大值是100 mΩ，閘極電壓為5 V，脈衝額定電流為15 A、 因此在較低閘極電壓時， 其性能得以全面增強。

与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比，EPC2012体积小很多，而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、无线电源传送、射频包络跟踪、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。

與具有相同導通電阻的先進矽功率MOSFET相比,EPC2012體積小很多,而開關性能卻高出許多倍。受益於eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、無線電源傳送、射頻波峰追蹤、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。

eGaN FET 的設計資訊及支援

• 下載所有宜普eGaN數據表: http://epc-co.com/epc/Products.aspx
• 演示板及其他設計支援: http://epc-co.com/epc/products/demo-boards
• 下載宜普產品培訓視頻及資料： http://epc-co.com/epc/DesignSupportbr/Applications/DesignBasics.aspx

關於電子設計技術雜誌（EDN China）

全球70多家公司的128項產品參加了本屆電子設計技術雜誌2012年度創新獎「最佳產品獎」的角逐，技術分類包括9 大技術類別 :電源器件與模組、嵌入式系統、微處理器與 DSP、可程式設計器件、類比與混合信號 IC、測試與測量、開發工具 與軟體、無源器件與感應器，以及通訊與網路IC。此外還頒發了“工程師最喜愛的分銷商獎”、“本土創新公司獎”和“創新工程師”獎項。電子設計技術雜誌于超過20年前始創為國內第一本專注電子設計及知識交流的平臺，目前其網站擁有超過400,000註冊使用者。詳情請瀏覽www.ednchina.com.

宜普公司簡介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效LED照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。

宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、包络追蹤、射頻傳送、以太網供電、太陽能微型逆變器、高效LED照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com 。

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商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

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