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EPC2100氮化鎵功率電晶體爲系統設計師提供具更高效率及功率密度的全降壓轉換器系統在500 kHz、12 V轉1.2 V、10 A時實現接近93%峰值效率，以及在25 A時效率可高于90.5%。
宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2100- 第一個可供商用的增强型單片式半橋氮化鎵電晶體。透過集成兩個eGaN功率場效應電晶體形成單一元件可以去除互連電感及印刷電路板上的空隙。這樣可以提高效率（尤其是在更高頻率時）及功率密度幷同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。
在EPC2100半橋元件內每一個元件的額定電壓是30 V。 上面的場效應電晶體的導通電阻（RDS(on)）典型值是6 mΩ，下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是1.5 mΩ。 高側場效應電晶體的尺寸大約是低側器件的四分之一，具高VIN/VOUT比，在降壓轉換器可取得最優直流-直流轉換效率。EPC2100使用晶片尺寸封裝以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是6 毫米(mm) x 2.3 毫米，功率密度更高。
宜普電源轉換公司創始人兼首席執行長稱「現在設計師可利用氮化鎵技術所帶來的第一個範例 - 單片式eGaN 半橋元件系列，可節省空間、提高效率及降低系統成本。當功率轉換系統延伸至數MHz的領域，集成多個分立器件變得更爲重要以實現高系統效率及高功率密度。」
開發板
EPC9036開發板 的尺寸爲2英寸 乘 2英寸，包含一個EPC2100集成半橋元件，採用德州儀器的閘極驅動器（LM5113）、電源及旁路電容。電路板的版圖設計可實現最優開關性能幷設有多個探孔使得用戶可易于測量簡單的波形及計算效率。
價格及供貨
EPC2100單片式半橋元件的價格在一千批量時的單價爲$5.81美元。
EPC9036開發板的單價爲$137.75美元。
以上産品已經可以供貨，可透過Digikey公司購買，網址爲http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht
關於氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的設計信息及支持
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。
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商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
傳媒聯絡
Winnie Wong ( [email protected])
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Long talked about, wide bandgap gallium nitride-on-silicon (GaN-on-Si) transistors are now commercially available. They are being touted for replacing silicon-based MOSFETs, which are turning out to be inefficient for many high-performance power supply designs. Recently, several suppliers of GaN-on-Si-based HEMTs and FETs have emerged in the marketplace, among them Efficient Power Conversion (EPC). To expedite the evaluation of eGAN FETs for power supply designs transitioning from silicon MOSFETs to eGaN FETs, EPC has released several development boards in the last few years.
By Ashok Bindra
Digi-Key Article Library
July 15, 2014
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EPC9013開發板內含100 V氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET），是一種35 A最大輸出電流並採用四個半橋式配置的電路設計及配備一個板載柵極驅動器。
宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出全新開發板 EPC9013 ，內含100 V增強型氮化鎵場效應電晶體（EPC2001），使用四個半橋式並聯配置及一個板載柵極驅動器，以降壓模式工作在達35 A最大輸出電流。這種創新設計可增加輸出功率之同時並不會降低效率。
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EPC9106 D類音頻放大器參考設計使用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體，展示在提升效率、縮小產品尺寸及不需散熱器之同時可實現具專業消費類水準的高質音響效果。
宜普電源轉換公司推出150 W、8 Ω D類音頻放大器的參考設計（EPC9106）。該演示板使用 Bridge-Tied-Load (BTL)設計，配置四個具接地連接的半橋輸出級電路，為可升級及可拓展的設計。在這個基於氮化鎵場效應電晶體的系統中，我們把所有可影響D類音頻系統音質的元素減至最少或完全去除。
EPC9106演示板含EPC2016氮化鎵場效應電晶體及德州儀器公司的100 V半橋柵極驅動器（LM5113）。該板展示了使用具備高頻開關性能的氮化鎵場效應電晶體並配備專有驅動器LM5113，可以實現小尺寸、高音質的理想效果。EPC9106演示板的設計由於高效，因此可以完全不用散熱器，因此也可以減低發生EMI/EMC發射的機會。
EPC9106開發板的超小型電源模組（11 mm x 11 mm）包含氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET）、驅動器、電感器及輸出／輸入電容。尺寸雖小，EPC9106參考設計在150 W、8 Ω可實現96%效率，並在250 W、4 Ω實現92%效率。
客戶如果對我們的D類音頻放大器中的氮化鎵場效應電晶體及以上的演示板有興趣，我們可以安排FAE工程師與您會面。請聯繫：
氮化鎵場效應電晶體器件的設計資訊及技術支援：
宜普公司簡介
宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、以太網供電、太陽能微型逆變器及D類音頻放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。
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商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
媒體聯絡人
Winnie Wong ([email protected])[email protected])
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EPC9006開發板可幫助設計工程師快速開發基於100V EPC2007的高頻開關型電源轉換系統。這是一種已製作好和易於連接的開發板，我們更備有完善歸檔的技術支援資料，可供用户使用。
宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9006開發板，這種開發板能使使用者更方便地使用宜普100V增強型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體設計產品。受益于eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。
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EPC9005開發板可幫助設計工程師快速開發基於40V EPC2014的高頻開關型電源轉換系統。這是一種已製作好和易於連接的開發板， 我們更備有它的技術支援資料，並已完善歸檔。
宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9005開發板，這種開發板能使使用者更方便地使用宜普40V增強型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體設計產品。受益于eGaN FET性能的應用包括高速DC/DC電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、硬開關和高頻電路。
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The EPC9004 has been recognized by Bodo’s Power Systems as the Product of the Month in the September, 2011 issue of the magazine. The EPC9004 facilitates rapid design of high frequency switching power conversion systems based on the 200 V EPC2012 with a ready-made, easy to connect development board.
Bodo's Power Systems
September, 2011
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EPC9004開發板可幫助設計工程師快速開發基於200V EPC2012的高頻開關型電源轉換系統。這是一種已製作好及易於連接的開發板，並備有完善歸檔的技術支援資料。
宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9004開發板，這種開發板能使客户更方便地使用宜普200V增強型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體設計產品，其應用範圍廣泛，如太陽能微型逆變器、D類音訊放大器、以太網供電(PoE)系統和同步整流器。
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EL SEGUNDO, Calif.--(BUSINESS WIRE)—Efficient Power Conversion Corporation (EPC) today announced the introduction of the EPC9002 development board to make it easier for users to get started designing with EPC’s 100V enhancement-mode GaN transistor products.
The EPC9002 development board is a 50 V maximum input voltage, 7 A maximum output current, half bridge with onboard gate drives, featuring the EPC1001 100V GaN Power Transistor. The purpose of this development board is to simplify the evaluation process of the EPC1001 GaN power transistor by including all the critical components on a single board that can be easily connected into any existing converter. The EPC9002 development board is 2” x 1.5” and contains not only two EPC1001 GaN transistors in a half bridge configuration with gate drivers, but also an on board gate drive supply and all critical components and layout for optimal switching performance. There are also various probe points to facilitate simple waveform measurement and efficiency calculation.
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