半導體行業的革命者、宜普電源轉換公司（EPC）首席執行長及共同創始人Alex Lidow博士分享高通併購恩智浦半導體有可能面臨文化衝擊

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Bloomberg
2016年10月28日

捷佳科技股份有限公司（JJPlus）與宜普電源轉換公司（EPC）宣佈攜手合作，為客戶設計創新的無線充電解決方案

捷佳科技股份有限公司（JJPlus）與宜普電源轉換公司（EPC）宣佈全力支持台灣資通產業標準協會(TAICS)採納AirFuel™聯盟的共振無線充電標準，攜手利用氮化鎵技術設計創新的無線電源解決方案。除了面向台灣市場，這些設計將應用於全球無線充電系統。

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半導體與微型發動機的新穎結合將使得世界很快被機器吞沒而影響到我們的生活空間、身體，以至對光和聲音的體驗。簡單如對智慧手機充電或煮蛋，以至複雜如檢查大腸癌或對長征的無人機供電，完成這些任務的方式都將會改變。

Barron’s
2016年10月22日
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IEEE電力電子學會（ PELS）將於2016年11月3日（星期四）舉行線上研討會，屆時將由Alex Lidow及Michael de Rooij主講並與參加者分享採用晶片級封裝的氮化鎵功率元件的設計及PCB製造方法。

氮化鎵技術領袖宜普電源轉換公司（EPC）的專家將於美國東部夏令時間（EDT）11月3日（星期四）早上11時至中午12時於IEEE電力電子學會（ PELS）線上研討會中與工程師分享如何設計及使用氮化鎵電晶體。

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Tesla Motors is releasing a new version of Autopilot overnight, adding features the company says will make it safer and more reliable. Investigators are probing what role the self-driving system played in a pair of fatal crashes in Florida and China.

Silicon Beat
September 21, 2016
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數十年以來，音響愛好者一直認為A類功放是黃金標準。可是，目前剛剛開始的大趨勢是D類功放廣受音響發燒友青睞。為什麼呢？這是因為全新D類放大器發展快速，其性能接近A類放大器，而A類並沒有具備D類的優勢。一種全新的電晶體技術 -- 氮化鎵（GaN）技術 -- 正在改變世界高質音響領域。基於氮化鎵元件的D類放大器比傳統、基於MOSFET的D類放大器的功效更高，而且前者的性能改進可達數個數量級之多。

Audiophile Review
2016年9月19日
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提供驅動Tesla半自動Autopilot駕駛技術的供應商的首席技術官相信，汽車製造商的設計超過了安全極限。

總部設於以色列的Mobileye NV公司首席技術官及執行主席Amnon Shashua在星期三跟Reuters說“目前汽車設計並沒有預計所有會導致車禍的情況，確保其安全性”。

Computerworld
2016年9月15日
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具備優越特性的eGaN^® FET與積體電路可以實現較低成本、採用單個功率放大器及採用任何標準的接收器的無線充電解決方案

宜普電源轉換公司（EPC）多模無線充電演示系統（EPC9121）榮獲《今日電子》與21IC中國電子網頒發2016“年度Top10電源產品--技術突破獎”。該獎項表彰在技術或應用方面有重大進步，並且能夠引領業界的技術發展趨勢。該獎項在2016年9月8日於北京舉行的電源技術研討會上頒發。

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自動駕駛汽車將來需要基於鐳射感應技術，而這些系統則需要比矽基元件的性能更優越的全新並具備高速開關的電晶體及晶片。

以上是Alex Lidow所聲稱的技術發展進程。Lidow是史丹福大學的物理學家並擁有物理學博士學位、創業家、宜普電源轉換公司（EPC）首席執行長及共同創辦人。該公司的總部位於加州的El Segundo市，是一家利用一種全新材料來製造電晶體及晶片的公司，該材料比矽材料具備更快速開關、更高效及成本更低等優勢。

《財富》雜誌
2016年9月8日
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在本系列的第一、二及第三章中，我們詳細講解了關於EPC增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)及積體電路(IC)的現場可靠性及它們被認證通過應力測試。在應用中，我們把元件置於預期的工作條件下並施加應力，其測試結果引證了氮化鎵元件的現場可靠性。同樣重要的是明白eGaN元件固有的物理特性，它如何在被施加應力後並超出預期工作條件時（例如數據表的參數及安全工作區(SOA)）而失效。本章將進一步深入探討失效的物理原因 -- 採用晶圓級晶片尺寸封裝（WLCSP）的eGaN元件的熱機械可靠性。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年9月7日
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宜普電源轉換公司（EPC）第八階段可靠性測試報告表明，氮化鎵元件經過超過8百萬元件小時的應力測試後，沒有失效元件。該報告詳細探討EPC在推出通過認證的產品之前所進行的應力測試，以及分析元件失效的物理原因。

Bodo’s Power Systems
2016年9月1日
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最近まで、D級オーディオに利用できるトランジスタは、パワーMOSFETだけでした。MOSFETのスイッチング特性は、D級アンプの直線性を非常に劣化させます。さらに、全高調波歪みや雑音を低減するために、フィードバック・ループの利得を高くしなければなりません。このフィードバックによって古い音が存在し続けることになり、豊かさと微妙な音色が失われる原因になります。加えて、過大な電力消費は、MOSFETベースのD級アンプのスイッチング周波数を制限します。窒化ガリウムのD級アンプは、直線性が優れているので非常にきれいな波形であり、小さなフィードバックと豊かなサウンドを実現できます。窒化ガリウム・トランジスタは、MOSFETに比べて、はるかに消費電力が小さいのでスイッチング周波数を高くすることができ、より高い分解能、より小型化が実現でき、より安価なフィルタ部品を利用できます。 窒化ガリウム・ベースのD級オーディオ・アンプは、より小型なシステムで、より豊かなサウンドを提供します。 閱讀全文

具備優越特性的eGaN^® FET與積體電路可以實現的低成本解決方案是在發射端採用單個功率放大器，而在接收端無論是採用什麼標準，也可以實現無線充電。

關於在2016年亞洲PCIM展會與工程師分享最新的EPC9121演示套件的視頻及相關的訪問視頻，請瀏覽http://www.we-online.cn/web/zh/electronic_components_cn/news_4/News_Detail_Standard_Parts_101822.php。

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氮化鎵積體電路：提高伺服器的功效 --不論是大、小規模的數據中心都要面對減低功耗、冷卻及佔用空間等問題，而這些問題也是在伺服器內所面臨及需要解決的問題。有的時候，細微的改變也可帶來重大的效益。

TechBeacon
2016年8月2日
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宜普電源轉換公司（EPC）發佈第八階段可靠性測試報告。該報告表明，在累計超過800萬個元件-小時的應力測試後，沒有元件發生失效的情況。該報告詳細探討EPC元件在被確認為合格產品前所經受的各項應力測試，並且分析元件失效的物理原因。

宜普電源轉換公司宜普電源轉換公司的第八階段可靠性測試報告證明氮化鎵場效應電晶體（eGaN^®FET）及積體電路在被確認為合格產品前，經受各種非常嚴謹並符合JEDEC認證標準的應力測試。

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Ismosys now represents EPC’s European sales, marketing, and technical support to assist customers in adopting eGaN^® FETs and ICs for leading-edge power conversion systems using gallium nitride

EL SEGUNDO, Calif.—July 2016 — To support its accelerating growth throughout Europe, Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce the appointment of Ismosys as its sales, marketing, and technical support representative.  Ismosys, founded in 1994, provides support to design houses, designers and engineers across Europe. This is achieved through 10 regional offices covering the entire EMEA and a significant centralized resource, fostering sales, driving marketing and enabling technical support. 

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宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow在本PSDcast中與Power Systems Design 的Alix Paultre分享氮化鎵技術的發展趨勢。目前業界終於從多個製造商出發，開發出氮化鎵技術可以實現的各種解決方案，讓我們看到實際的design-in項目及基於氮化鎵功率元件的產品的出現。

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Power Systems Design
2016年7月21日

在本投影片，EPC公司的Alexander Lidow分享他的公司如何帶領業界採用氮化鎵（GaN）技術，實現革命性的突破。

由於氮化鎵元件比矽元件高效，因此使數據中心節省大量能源，並且極具潛力可以推動電腦產業超越摩爾定律。

insideHPC
2016年7月20日
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EPC與ASD公司啟動增值合作夥伴計劃，攜手為客戶共創美好未來，支援客戶利用基於eGaN^®技術，從概念開發到產品製造，共同開發出全新的無線充電應用及其他的新興應用。

總部位於美國洛杉磯市、開發替代MOSFET技術的氮化鎵(eGaN)技術的宜普電源轉換公司(EPC) 與總部位於香港的創徽科技有限公司(ASD)宣佈攜手合作，共創新里程，針對客戶的目標應用，利用最新的eGaN技術爲客戶提供最佳的解決方案。

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基於氮化鎵材料的場效應電晶體正在顛覆功率轉換市場和替代矽基MOSFET。 與MOSFET相比，更快速的氮化鎵場效應電晶體（GaN FET）可以在最細小的體積內實現更高的開關速度。 氮化鎵元件的承諾是可以大大縮減電源供應器的體積及重量。為了實現最高的潛在性能， 這些具備高性能的氮化鎵電晶體需要最優化的閘極驅動器。

Peregrine Semiconductor
2016年7月12日
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