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Why GaN circuits make better Lidar

Why GaN circuits make better Lidar

In this short video, EPC's Alex Lidow explains why GaN FETs can comprise circuits able to deliver Lidar resolutions down to a couple inches. Conventional silicon FETs performing the same tasks would be able to resolve images only down to a few feet. The secret is in the super-fast rise and fall times made possible by the GaN FETs.

Design World
April 11, 2016
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為何氮化鎵元件比矽元件"優勝6000倍"?

為何氮化鎵元件比矽元件"優勝6000倍"?

宜普電源轉換公司的首席執行長Alex Lidow說矽材料是半導體的主要材料,它一直以來是電子行業背後的推動力。可是,它的性能已經到了極限。位於美國洛杉磯的宜普公司正在探究以具備更高的性能的氮化鎵(GaN)元件顛覆市場並且取得矽元件價值4000億美元(2770億英鎊)的市場份額。Alex說:「這是業界首款比矽元件的成本更低並且具備更高的性能的半導體。」

Wired Magazine
Emma Bryce
2016年3月31日
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Highlights from APEC 2016 – GaN, 48V POL, wireless charging and more!

Highlights from APEC 2016 – GaN, 48V POL, wireless charging and more!

Emerging applications such as 48V-to-point-of-load (POL), wireless power and USB Type-C had a lot of interest. Google joined the Open Compute Project a few weeks ago and proposed a computer server-rack architecture based on a 48V power-distribution bus to improve overall system efficiency. While the 48V bus has been around for a long time, the push (and challenge) is for high-efficiency 48V-to-POL voltage regulators. EPC showcased TI’s 48V-to-1V EVM which uses the LMG5200 GaN module (driver and FETs), announced at APEC last year, and a new TI analog controller (TPS53632G).

TI E2E Community
Pradeep Shenoy
Mar 28, 2016
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2016年APEC研討會:在功率研討會上,工程師分享他們的真知灼見

2016年APEC研討會:在功率研討會上,工程師分享他們的真知灼見

您可能閱讀過ECN雜誌編輯(及新聞總監)所寫的關於幕後故事的推文,以及一張照片可比千言萬語表達得更好。可是,有的時候,聽聽工程師分享他們的感想及真知灼見可以是更有價值的體驗。

我就是這麼想,在加州Long Beach舉行的APEC會議上,與多位工程師及與會者見面以找出本屆APEC的內幕消息。我們比較了APEC與去年研討會的盛況、目前業界的主要發展方向及各公司對APEC研討會的評價。

ECNMag.com
作者:Kasey Panetta
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從2016年APEC研討會可以看到GaN的發展進程、更多關於電磁元件的討論內容及一個極具啟發性的全體會議

從2016年APEC研討會可以看到GaN的發展進程、更多關於電磁元件的討論內容及一個極具啟發性的全體會議

從本年的APEC研討會的各個討論題目顯然可以看到,氮化鎵功率技術的相關知識備受關注的程度,是前所未有的。採用氮化鎵技術的產品路演、全新產品及技術發佈、全體會議對氮化鎵技術的關注及其他討論題目都讓與會者感到氮化鎵功率元件已經來臨,而氮化鎵技術正在進駐市場。而且討論重點也稍微改變,從討論氮化鎵元件可以做什麼,改為討論需要其他什麼資源及支援,才可以實現基於氮化鎵功率電晶體的全新產品開發方案。

How2Power Today
David Morrison
2016年4月1日
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基於EPC的eGaN FET、採用高頻同步自舉拓撲結構及工作頻率可高達15 MHz的半橋式開發板

基於EPC的eGaN FET、採用高頻同步自舉拓撲結構及工作頻率可高達15 MHz的半橋式開發板

EPC公司的全新開發板可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器,展示出基於eGaN FET、採用同步自舉電路的閘極驅動器在高頻工作時可以減少損耗。

宜普電源轉換公司(EPC)推出EPC9066EPC9067EPC9068開發板,可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器。這些開發板專為功率系統設計師而設,對氮化鎵電晶體的優越性能進行評估方面提供了簡易方法,使得設計師的產品可以快速量產。三塊開發板都配備了具有零QRR、同步自舉整流器的閘極驅動器,從而在高達15 MHz的高頻工作條件下可以提高效率。該些開發板在降壓轉換器及D類放大器配置的最大輸出電流為2.7 A。在整個電流範圍都可以降低損耗。

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隨著「氮化鎵沙灘」的來臨,矽谷要當心了

隨著「氮化鎵沙灘」的來臨,矽谷要當心了

Alex Lidow是一个有使命感的人。他在美国加州成立的宜普电源转换公司(EPC)在全新应用中使用氮化镓(GaN)晶片而摒弃硅基技术。这些应用包括无线电源充电、4G LTE、扩增实景(AR)及全自动驾驶车辆等令人感到兴奋的应用领域。

可是,這種熱門新技術最後能否替代被普遍採用的矽基晶片及佔據其高達3000億美元的半導體市場份額嗎?

Fox Business
作者:Steve Tobak
2016年3月18日
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追求高功效的伺服器

追求高功效的伺服器

備受關注的議題諸如能源採集及無線電源傳輸將很大機會於下星期舉行的APEC會議亮相。與會者將關注並監控氮化鎵電晶體的發展。可是,持續提高數據中心的電能傳輸的效率將會是多家公司的“bread-and-butter”重要目標。

EE Times
半導體產業分析師、顧問Stephan Ohr
2016年3月16日
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浴火重生:企業家如何挑戰矽谷

浴火重生:企業家如何挑戰矽谷

Alex Lidow獲得Stanford大學應用物理學博士學位後,於國際整流器公司(IR)工作了30年。IR公司是半導體製造商,是他的父親Eric Lidow於1940年代成立的上市公司。

Alex開拓IR公司的功率管理技術、共同發明該公司的主要產品的共有專利權,以及在1995年與Derek Lidow 兩兄弟擔任IR公司的共同首席執行長。於1999年,Derek離開IR公司並成立iSupply市場調查研究公司後,Alex成為IR公司的首席執行長。

Entrepreneur
Steve Tobak
2016年3月
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宜普電源轉換公司(EPC)的可靠性測試報告記錄了超過170億小時測試元件的可靠性的現場數據,結果表明元件的失效率很低

宜普電源轉換公司(EPC)的可靠性測試報告記錄了超過170億小時測試元件的可靠性的現場數據,結果表明元件的失效率很低

EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN®FET非常可靠,為工程師提供可信賴及可 替代採用傳統矽基元件的解決方案。

宜普電源轉換公司宜普電源轉換公司發佈第七階段可靠性測試報告,展示出在累計超過170億元件-小時的測試後的現場數據的分佈結果,以及提供在累計超過700萬元件-小時的應力測試後的詳盡數據。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度迴圈及靜電放電等測試。報告提供受測產品的複合0.24 FIT失效率的現場數據。這個數值與我們直至目前為止所取得的現場評估的結果是一致的,證明在商業化的功率開關應用中,eGaN FET已經準備好可以替代日益老化的等效矽基元件。

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Rethinking Server Power Architecture in a Post-Silicon World

Rethinking Server Power Architecture in a Post-Silicon World

The demand for information in our society is growing at an unprecedented rate. With emerging technologies, such as cloud computing and the Internet of Things, this trend for more and faster access to information is showing no signs of slowing. What makes the transfer of information at high rates of speed possible are racks and racks of servers, mostly located in centralized data.

EEWeb
Alex Lidow, Ph.D., David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
March, 2016
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eGaN Technology Reliability and Physics of Failure

eGaN Technology Reliability and Physics of Failure

In this series we will look at the various ways the reliability of eGaN® technology has been validated, and how we are developing models from our understanding of the physics of failures that can help predict failure rates under almost any operating condition. In this first installment and the next, we will look at the field experience from the past six years of GaN transistors use in a variety of applications from vehicle headlamps to medical systems to 4G/LTE telecom systems. Diving into the failure of each and every part leads to some valuable lessons learned.

Planet Analog
Chris Jakubiec, Robert Strittmatter, Ph.D., and Alex Lidow, Ph.D.
March 1, 2016
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宜普電源轉換公司(EPC)將於APEC國際研討會展示基於eGaN技術的應用如何改變了我們的生活方式

宜普電源轉換公司(EPC)將於APEC國際研討會展示基於eGaN技術的應用如何改變了我們的生活方式

宜普電源轉換公司將於國際著名2016年APEC®功率電子與應用研討會展示面向廣闊應用領域並基於卓越氮化鎵技術的20多種演示電路。氮化鎵技術切實改變了我們的生活方式。我們的技術專家將以最新技術為主題,舉行合共六場演講。

宜普電源轉換公司的團隊將於2016年3月20日至24日在美國加州Long Beach舉行的2016年APEC研討會,舉行以氮化鎵(GaN)技術及應用為主題的六場演講。此外,EPC將展示最新的eGaN® FET及積體電路,以及分享客戶的基於eGaN技術的最終產品。 在探究各個應用領域的發展之同時,即場演示包括與Qi及AirFuel標準相容並支援多模式解決方案的無線電源系統、單級48 V轉1 V DC/DC轉換器、利用LiDAR技術製作即時3D圖像的照相機及與LTE相容的波峰追蹤電源。歡迎蒞臨我們的展位(#2244)參觀。

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Thoughtful Board Design Unlocks the Promise of GaN

Thoughtful Board Design Unlocks the Promise of GaN

Power transistors with faster switching speeds will enable power supplies with smaller form factors and higher energy transfer efficiencies. Indeed, the elimination of heat sinks will give designers the ability to visualize entirely new form factors for power bricks and modules, including those enabling wireless power transfers. Gallium-nitride (GaN) transistors fabricated on silicon substrates can boost efficiencies and help shrink the footprint of power supplies.

Electronic Design
March, 2016
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採用eGaN FET設計的波峰追蹤電源支援20 MHz LTE頻寬

採用eGaN FET設計的波峰追蹤電源支援20 MHz LTE頻寬

本篇文章闡述面向使用第四代移動通信技術(4G)LTE頻寬的無線通訊基站基礎設施並採用EPC8004高頻氮化鎵場效應電晶體設計的波峰追蹤電源。基於eGaN® FET並採用四相位拓撲的軟開關降壓轉換器可以準確地跟蹤峰均比(PAPR)為7 dB的20 MHz LTE包絡信號,提供60 W以上的平均負載功率,而總效率可高達92%。這種設計的可擴展性能可以支援不同的功率級別,工程師只需選擇不同的EPC場效應電晶體設計不同的系統,從而可以滿足不同功率級別的要求。

Bodo’s Power Systems
張遠哲博士及 Michael de Rooij博士
2016年3月
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基於EPC eGaN FET 的100 W並可實現92%效率的開發板與工作頻率爲6.78 MHz的AirFuel無線充源標準相容

基於EPC eGaN FET 的100 W並可實現92%效率的開發板與工作頻率爲6.78 MHz的AirFuel無線充源標準相容

採用eGaN®FET、工作在6.78 MHz頻率並與AirFuel™無線電源標準相容的EPC9065開發板可以實現最高功率及最高效率

宜普電源轉換公司(EPC)推出EPC9065開發板,可作為面向AirFuel™聯盟的Class 4及Class 5無線電源傳送應用的放大器功率級。 該板的配置採用零電壓開關(ZVS)差分模式D類放大器拓撲,而且不只限於6.78 MHz工作頻率(最低ISM頻帶)。

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宜普電源轉換公司(EPC)推出面向擴增實景和全自動駕駛汽車應用 的全新eGaN FET,實現極高的解析度

宜普電源轉換公司(EPC)推出面向擴增實景和全自動駕駛汽車應用 的全新eGaN FET,實現極高的解析度

全新的EPC2040氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)具備超快速開關性能,可以支援需要更高解析度及準確性、使用脈衝式鐳射驅動器的應用,諸如在擴增實景(augmented reality)系統及全自動駕駛汽車中,利用光學遙感技術(LiDAR)、三維感測的導航系統。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2040功率電晶體,它是一種超小型、具備快速開關性能的氮化鎵功率電晶體,面向高速終端應用,可實現優越的解析度、更快速的反應時間及更高準確度。此外,由於在整個工作溫度範圍內,元件具有高準確度閾值,因此當鐳射受熱,可確保系統的穩定性。例如該電晶體在LiDAR技術所採用的脈衝式鐳射驅動器是理想的元件。LiDAR技術是全自動駕駛汽車的導航系統及擴增實景平臺的重要技術。EPC2040的優越性能在這些系統中可以實現更高準確度及解析度。

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Radiated EMI Filter Design for an eGaN FET Based ZVS Class D Amplifier in 6.78MHz Wireless Power Transfer

Radiated EMI Filter Design for an eGaN FET Based ZVS Class D Amplifier in 6.78MHz Wireless Power Transfer

In this installment, we present a method to design a suitable EMI filter that can reduce unwanted frequencies to levels within radiated EMI specifications, and do this without negatively impacting the performance of the wireless power coil. In addition, the overall radiated EMI design aspects will also be covered.

EEWeb - Wireless & RF Magazine
Michael de Rooij, Ph.D.
February, 1, 2016
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