Consumers want to be able to go wirelessly where they want, when they want. They want televisions to be seamlessly synchronized with tablets, phones, laptops, and automobiles. They want all their communication, information, and entertainment to be available immediately, with high resolution, all the time. Recently the automobile industry has caught on to this trend and has begun to show its vision of the future for the fully mobile lifestyle.

Consumers also do not want to worry about running out of battery life – no more looking for an open outlet at the airport. This untethered life is the Mobility Imperative and it is driving innovation in consumer products, which in turn, is pushing the limits of silicon-based semiconductor technology.

Nikkei Business Publications
July 10, 2015
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全新氮化鎵技術推動了無綫電源傳送應用的發展。近來在A4WP及PMA的合併下，工程師們對該發展尤感興趣。 本訪問涵蓋了饒富興味的問題並解答了氮化鎵元件何時會備受半導體業界廣泛採納。訪問的內容包括氮化鎵元件的優勢、成本如何可以更低、最新元件的創新性、元件可以工作在高頻的條件下而具備小尺寸、優越的散熱管理、氮化鎵的市場如何可以超越矽元件的市場及氮化鎵技術的未來發展等。

功率系統設計
2015年6月24日
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If expanding industries typically indicate vibrancy, a race to acquire and consolidate is generally reflective of the opposite – a period of slowed growth in mature, often once high-flying categories. And while many industries experience a period of stardom, followed by a sharp and steady decline, we should be extremely worried when they occur in industries that are fundamentally central to our socio-economic vitality.

Forbes
June 26, 2015
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矽基晶片的發展因爲受到技術及經濟因素的影響而變得緩慢。業界利用全新的氮化鎵材料所具備的優勢解決這個問題。雖然各家公司致力於找出可製造尺寸更小的矽電晶體的方法，但是未能減低成本及解决在功耗方面的問題。宜普電源轉換公司的首席執行長Alex Lidow認爲相比矽元件，由於氮化鎵元件的開關可以更快速及在更高壓的條件下工作，因此氮化鎵材料在功率轉換應用中尤爲優勝。

華爾街日報
2015年6月22日
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功率轉換需要製造細小的元件以從電力的一種形式轉換至另外的一種形式，從而使得所有電子設備運行順暢。 直至目前爲止，矽元件是功率轉換的首選元件，但是當它的效率達到極限時，業界轉而關注全新材料的發展。

Los Angeles Business Journal
2015年6月21日
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宜普電源轉換公司(EPC) Alex Lidow於2015年PCIM研討會上展示由氮化鎵元件推動的X-ray藥丸及各種氮化鎵元件。

Power Systems Design
2015年6月2日
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宜普電源轉換公司(EPC) Alex Lidow於2015年APEC研討會上展示由氮化鎵元件推動的無綫電源傳送應用

Power Systems Design
2015 年3月19日
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氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）之前在鬆散耦合式無綫電源傳送解決方案中，展示了在採用零電壓開關(ZVS)D類或E類放大器拓撲並工作在on-resonance條件下，該些電晶體具有較高的效率。然而，可行的無綫電源系統需要滿足這些系統的易用性的要求，結果是反射式綫圈阻抗在負載和耦合變化時顯著偏離諧振。由於這些系統仍然需要向負載供電，因此放大器需要在寬阻抗範圍內驅動綫圈。諸如A4WP第三等級的規範定義了可以滿足易用性因素、寬泛的綫圈阻抗範圍，並且可以用作比較放大器的性能的起點。

本章根據A4WP第三等級的標準對ZVS D類及E類放大器拓撲在6.78MHz頻率下進行測試並通過縮小了的阻抗範圍來判斷固有的工作範圍極限。諸如元件的溫度和電壓極限等因素將確定每個放大器能够驅動綫圈的負載阻抗範圍。

Bodos China
宜普電源轉換公司應用工程執行總監Michael de Rooij博士
2015年6月
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eGaN^®功率電晶體在功率轉換領域繼續實現更高的性能。該電晶體系列具備更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及優越的散熱性能，從而實現具備更高的功率密度的轉換器。

宜普電源轉換公司宣佈推出兩個可以提高電源轉換效率的eGaN FET。這些產品的工作溫度最高達150°C。150 V的EPC2033的脉衝電流爲260 A及200 V的EPC2034的脉衝電流爲140 A。應用範圍包括DC/DC轉換器、DC/DC與AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器、LED照明及工業自動化等應用。

Integrated Device Technology, Inc. ((IDT^®) (美國納斯達克上市代號: IDTI)宣佈與宜普電源轉換公司（EPC）合作開發基於氮化鎵（GaN）技術的全新方案。氮化鎵被公認爲在速度及效率方面極具優勢的一種半導體材料。這合作謀求探索結合兩家公司的技術——EPC的eGaN^®技術及IDT領先業界的解决方案。

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宜普電源轉換公司(EPC)推出採用高性能、寬間距的晶片規模封裝的全新氮化鎵(eGaN^®)功率電晶體，進一步擴大其功率電晶體系列、易於實現高產量並與成熟的製造工藝及組裝生產線相容。

宜普電源轉換公司宣佈推出3個採用具有更寬間距連接的佈局的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）。這些產品採用具有1 mm間距的焊球，進一步擴大EPC的“寬間距”元件系列。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔，使得元件以超小型尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）實現大電流承載能力。

Last week, El Segundo, Calif.-based Efficient Power Conversion, announced that its offering two types of power transistors made from gallium nitride that it has priced cheaper than their silicon counterparts. “This is the first time that something has really been higher performance and lower cost than silicon,” CEO Alex Lidow says. “Gallium nitride has taken the torch and is now running with it.”

IEEE Spectrum
May 8, 2015
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宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow與Power Systems Design雜誌編輯Alix Paultre分享全新eGaN FET系列，實現具備優越性能、更小的尺寸、高可靠性及低成本的元件。價格是封阻可替代矽MOSFET元件的氮化鎵電晶體的普及化的最後一個壁壘，而價格已經下降。

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Power Systems Design
2015年4月29日

全新eGaN^®功率電晶體系列以MOSFET元件的價格實現更優越的性能、更小的尺寸及高可靠性。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2035（60 V）及EPC2036 （100 V）eGaN功率電晶體，專爲在價格方面競爭而設計並且在性能上超越矽元件。 價格是封阻可替代矽MOSFET元件的氮化鎵（GaN）電晶體的普及化的最後一個壁壘，而價格已經下降。這些全新產品可以替代矽半導體及爲業界續寫摩爾定律的輝煌。

宜普電源轉換公司首席執行長Alex Lidow一直專注於製造創新產品，目的在延長摩爾定律的壽命。Intel及業界認為傳統矽晶片技術已經達到頂峰 --不久有公司將製造出一種矽材料可以實現的低成本及高效的晶片。Lidow說他找出一種比矽在很多方面都更為優勝的半導體材料--氮化鎵材料（GaN）。氮化鎵晶片無論是在實驗室或實際上的多個範例都比矽晶片優越、具備更低的製造成本及使用現有製造矽晶片的基礎設施，而且氮化鎵元件更為穩固及需要更少的保護性元素。

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PandoDaily
2015年4月21日

半導體業界資深人士及宜普電源轉換公司（EPC）首席執行長Alex Lidow說：「摩爾定律現正蛻變為預測全新的半導體材料的性能定律。EPC氮化鎵（GaN）電晶體有機會替代矽元件。氮化鎵材料是一種更好的電子導體，在性能及功效方面比矽更為優越。」氮化鎵元件已經用於電源轉換及無線通訊等領域，它將有一天成為數位晶片。Lidow說：「60年以來首次出現採用優越材料的元件而不只是在更小尺寸方面發展。」

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Network World
2015年4月17日

摩爾定律的預測已經變成自我應驗的預言。晶片的運算性能不僅僅是已經在每兩年/24個月得以倍升，它必需在每24個月內倍升才可以使科技業界及整個經濟不致陷入苦境、阻遏創新及經濟發展進程。

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re/code
Alex Lidow
2015年4月17日

晶片的發展推動了一個又一個的技術大變革：個人電腦、互聯網、智慧手機、智慧手錶及即將推出的自動駕駛汽車。 宜普電源轉換公司（EPC）是一間把它的將來押注在III-V氮化鎵材料上的創始公司，其首席執行長Alex Lidow帶領著一支34人的專業團隊創建公司。該公司的業績繼續保持穩定增長，產品是採用III-V氮化鎵（GaN）材料層的電晶體。 在2016或2017年，Lidow預計氮化鎵元件的製程可以包含電腦處理器內負責思考的邏輯電路。Lidow認為「與傳統的矽元件相比，氮化鎵元件所具備的電力特性使你立即可以取得1000倍改進產品性能的機會。」

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CNET.com
2015年4月17日

採用全新100 V EPC2104半橋式元件的全降壓轉換器在48 V轉12 V、22 A輸出電流及300 kHz開關頻率下，系統效率可超過97%；而在22 A、500 kHz開關頻率下，系統效率則接近97%。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC2104(100 V)增强型單片式氮化鎵半橋元件。透過集成兩個eGaN^®功率場效應電晶體而成爲單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及所需的空隙，使電晶體的佔板面積減少50%。這樣可以提高效率（尤其是元件在更高頻工作時）及增加功率密度並同時减低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。

全新氮化鎵(eGaN^®)功率電晶體（EPC2029）進一步擴大宜普電源轉換公司的功率電晶體系列 – EPC2029 氮化鎵電晶體使用高效、具有寬間距的芯片規模封裝，可易於實現高産量並與成熟的製程及組裝生産綫兼容。

宜普電源轉換公司宣佈推出採用更寬間距連接的佈局的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）-- 80 V、31 A並具有1 mm間距的焊球的EPC2029電晶體是這種全新産品系列的首個電晶體。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔，使得小尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）的元件可以具備大電流承載能力。