EPC’s inverter reference design is based around a GaN chip to reduce powertrain sizes

E-mobility Engineering
September, 2022
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New Motor Drive Center of Excellence (CoE) design center in Turin, Italy, to help customers exploit the power of GaN for growing motor drive applications

EL SEGUNDO, Calif.— September, 2022 —   EPC has opened a new design application center near Turin, Italy, to focus on growing motor drive applications based on GaN technology in the e-mobility, robotics, drones, and industrial automation markets.  The specialist team will support customers in accelerating their design cycles and define future Integrated Circuits for power management with state-of-the art equipment to test applications from 400 W to 10’s of kW.

GaN FETs in thermally enhanced QFN packages offer higher performance and smaller solution size for high power density applications, including DC-DC conversion, AC/DC chargers, solar optimizers and microinverters, motor drives, and Class D Audio

Power Electronics News
September, 2022
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宜普電源轉換公司(EPC)新推100 V、3.8 mΩ 的氮化鎵場效應電晶體EPC2306，為高功率密度應用提供性能更高和更小的解決方案，包括 DC/DC 轉換、AC/DC 充電器、太陽能優化器和微型逆變器、馬達控制器和D類音頻放大器等應用。

宜普電源轉換公司是增强型氮化鎵 (eGaN^®) 功率 FET 和 IC 領域的全球領導者，新推100 V、採用耐熱增强型QFN封裝的EPC2306，用於高密度計算應用的48 V DC/DC轉換、電動汽車和機器人的 48 V BLDC 馬達控制器、太陽能優化器和微型逆變器，以及 D 類音頻放大器。

BRC Solar公司的新型M500/14功率優化器採用EPC公司的100 V 氮化鎵元件（EPC2218)，它的佔板面積小，可實現更高的頻率和額定功率。

BRC Solar公司憑藉其功率優化器徹底改變了光伏市場的發展、提高了光伏電站和系統的發電量和性能。其新一代M500/14 功率優化器採用了宜普電源轉換公司的EPC2218（100 V的場效應電晶體），實現了更高的功率密度，因為GaN FET的低功耗和小尺寸使關鍵負載電路更加緊凑。而GaN FET的小寄生電容和電感可實現沒有雜訊的開關和良好的EMI特性。GaN FET的另一個優點是沒有反向恢復損耗。

宜普電源轉換公司（EPC）推出ePower™功率級積體電路，它整合了整個半橋功率級，可在1 MHz工作時實現高達35 A的輸出電流，為高功率密度應用提供更高的性能和更小型化的解決方案，包括DC/DC轉換、馬達控制和D類音頻放大器等應用。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出100 V、35 A的積體電路，專爲48 V DC/DC轉換而設計，用於高密度運算應用和面向電動汽車、機器人和無人機的48 V BLDC馬達控制器。

EPC23102 eGaN 積體電路可實現100 V的最大耐受電壓、實現高達35 A的負載電流和高於1 MHz的開關速度。

宜普電源轉換公司(EPC)擴展了其抗輻射氮化鎵產品系列，新推的100 V產品用於要求嚴格的機載和其他高可靠性環境下的電源轉換解決方案，進一步爲這個產品系列添加第五個成員。

EPC公司宣佈推出100 V、7 mΩ、160 A_Pulsed的抗輻射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm²，其總劑量等級大於1 Mrad，綫性能量轉移（LET）的單一事件效應（SEE）抗擾度為85 MeV/(mg/cm²)。EPC7004與EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是採用晶片級封裝，這與其他商用的氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）和IC相同。封裝元件將由EPC Space提供。

宜普電源轉換公司(EPC)擴展了其抗輻射氮化鎵產品系列，新推的100 V元件用於要求嚴格的機載和其他高可靠性環境的電源轉換解決方案，與目前市場上的任何100 V耐輻射電晶體相比，它具有最低的導通電阻。

EPC公司宣佈推出100 V、3.9 mΩ、345 A_Pulsed的抗輻射GaN FET EPC7018 r，尺寸爲13.9 mm²，其總劑量等級大於1 Mrad，綫性能量轉移（LET）的單一事件效應（SEE）抗擾度爲85 MeV/(mg/cm²)。與EPC7014、EPC7007和EPC7019耐輻射產品系列相同，都是採用晶片級封裝。封裝元件由EPC Space.提供。

宜普電源轉換公司（EPC）新推綫上論壇，為工程師提供產品信息、答疑解難和分享採用氮化鎵技術的應用現狀和發展趨勢。

宜普電源轉換公司宣佈新推"GaN Talk支持論壇"，為工程師提供產品信息和技術支持，從而瞭解氮化鎵（GaN）技術的應用現狀和發展趨勢。該論壇專為工程師、工程專業學生和所有氮化鎵技術愛好者而設，為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外，用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"連結參看所有之前的提問和反饋。

Join host Dr. Sanjay Gupta and guest Alex Lidow, CEO of Efficient Power Conversion – or EPC – in episode 5 as they explore the ways GaN is advancing the future of wireless charging. As wireless power increases in maturity and adoption, the industry needs solutions that improve performance, efficiency, and user experience. Gallium Nitride is essential to enabling higher power applications than can be achieved with traditional silicon, opening the door for charging multiple devices and more diverse devices, such as laptops, drones, robots, power tools, eBikes, and industrial equipment. Wireless charging circuits employing GaN transistors are also five to ten times smaller than silicon devices able to handle the same power levels.

AirFuel Alliance
May, 2022
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基於氮化鎵元件的逆變器參考設計EPC9173無論是在尺寸、性能、續航里程、精度和扭矩方面，優化了電機系統，而且簡化設計和加快產品推出市場的時間。我們可以把這種微型逆變器放進電機外殼中，從而把EMI減到最小、實現最高的功率密度和最輕的重量。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC9173，它是一款三相無刷直流馬達驅動逆變器，採用具備嵌入式閘極驅動器功能的EPC23101 eGaN^®積體電路和一個3.3 mΩ 導通電阻的浮動功率氮化鎵場效應電晶體。EPC9173在20 V和85 V之間的輸入電源電壓下工作，峰值電流可高達50 Apk（35 A_RMS）。這種電壓範圍和功率水平使該解決方案成為各種馬達控制應用的理想元件，包括電動自行車、滑板車、城市汽車、無人機和機器人。

宜普電源轉換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應電晶體（EPC2066），為設計工程師提供比矽MOSFET更小、更高效的元件，用於高性能、佔板面積受限的應用。

全球行業領先供應商宜普電源轉換公司為業界提供增强型氮化鎵（eGaN^®）功率場效應電晶體和集成電路，新推40 V、典型值爲0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場效應電晶體，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵電晶體和可以立即發貨。

Easy Engineering媒體採訪了宜普電源轉換公司（EPC）的市場行銷總監Renee Yawger，瞭解目前氮化鎵元件應用的情況和氮化鎵技術的未來。

Easy Engineering
2022年5月
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Sensitron introduces the SPG025N035P1B GaN half-bridge module using the 350 V EPC2050 eGaN^® FET from Efficient Power Conversion (EPC)

EL SEGUNDO, Calif.— May 2022, Reducing size and cost were key concerns of Sensitron when designing their latest generation GaN power modules. By replacing traditional silicon FETs with EPC’s 350 V, EPC2050 GaN FET, Sensitron was able to reduce the size of their solution by 60% while also improving the module’s already excellent junction-to-case thermal conduction. The SPG025N035P1B from Sensitron is a high-power density 350 V, 20 A GaN half bridge with an integrated gate drive, optimized for stray inductance and switching performance at 500 khz. Rated at 20 A, the module can be used to control over 3 kW. Sensitron’s proprietary topside cooling technology on this ultra-small, lightweight high power density package (1.10" x 0.70" x 0.14") allows for optimal thermal performance. The SPG025N035P1B was designed for commercial, industrial, and aerospace applications.

One way to tell when a new technology has passed the tipping point of adoption is by the voices advocating the status quo. The more conservative voices tend to cite older information that, given the fast change of trajectory that occurs at a tipping point, can lead to poor decisions for new designs. In the world of GaN power devices the tipping point occurred in the past two years when the rate of new GaN-based designs started to double year-on-year, and the legacy MOSFET designs started to face critical supply shortages due to their finely tuned, but less flexible supply chains. GaN devices, on the other hand, have remained in stock at most major distributors due to their relatively new and flexible supply chains utilizing older silicon foundries, but affording these foundries a new and vibrant future. In this article we will address some of the common misconceptions still showing up in articles and at conferences, usually presented by advocates of the status quo.

Bodo’s Power Systems
May, 2022
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宜普電源轉換公司(EPC)擴展了其抗輻射氮化鎵產品系列，新推的200 V產品用於要求嚴格的機載和其他高可靠性環境下的電源轉換解決方案，它具備超低導通電阻和極小型化等優勢。

EPC公司宣佈推出200 V、25 mΩ、80 A_Pulsed的抗輻射GaN FET EPC7007。尺寸小至5.76 mm²，其總劑量等級大於1 Mrad，綫性能量轉移（LET）的單一事件效應（SEE）抗擾度為85 MeV/(mg/cm²)。與商用eGaN FET和IC系列相同，採用芯片級封裝。 封裝元件將由EPC Space提供。

氮化鎵場效應電晶體和積體電路的用戶現在有了一個工具來確定應用中需要的降額和降額設計中應考慮的因素。宜普公司開發了一個基于第一原理的物理模型，以解釋氮化鎵電晶體在硬開關時，導通電阻如何上升。本文提供了兩個同步整流應用實例的演示。

Electronic Specifier
2022年5月
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EPC公司的氮化鎵專家將在PCIM 歐洲展會分享多項現場演示以闡釋卓越的氮化鎵技術如何爲許多應用的功率轉換帶來革命性突破，包括計算、通訊和e-mobility。

宜普電源轉換公司（EPC）團隊將於5月10日至12日在德國紐倫堡舉行的PCIM 歐洲2022展覽進行多場關於氮化鎵技術的演講和專業研討會，詳請如下。 此外，我們將在展位（9號廳、113號展臺）展出採用新型eGaN^®FET 和 IC的客戶的最新終端產品。

In this video, Alex Lidow shares thoughts on his career, his family, his time at university, and his Ph.D. course, but also about energy trends, the shift to GaN that the power electronics ecosystem is ready to make, and the following weekend, with the finest wine!

Power Electronics News
April 22, 2022
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The EPC2050 from Efficient Power Conversion is an Enhancement Mode GaN Power Transistor. It has a drain-source voltage of over 350 V, a drain-source on-resistance of 55 milliohms, and a gate threshold voltage of 1.3 V.

everything PE
April, 2022
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