面向高功率密度和低成本的DC/DC轉換，EPC9151功率模組利用EPC2152 ePower™功率級實現性能更高和尺寸更小的解決方案。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC9151，这是一款300 W、雙向、超小尺寸的1/16磚型DC/DC降壓轉換器模組，其尺寸僅為33 mm x 22.9 mm (1.3”x 0.9”)。EPC9151採用Microchip公司的數位信號控制器（dsPIC33CK）和EPC公司的 ePower™ 功率級集成电路（EPC2152），於300 W、48 V/12 V的轉換器中，可以實現95％以上的效率，而且可以在這個可擴展的兩相設計中增加相數，使得功率可以更高。

Gallium nitride power device technology enables a new generation of power converters in space operating at higher frequencies, higher efficiencies, and greater power densities than everachievable before. GaN power devices can also exhibit superior radiation tolerance compared with Silicon MOSFETs depending upon their device design.

Power Electronics Europe
December, 2020
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寬能隙（WBG）半導體例如碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率轉換的前沿科技。它們為設計工程師帶來具有全新的頻譜、功率密度和外型尺寸的元件。

EDN Editorial Advisory Board
2020年12月
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宜普電源轉換公司（EPC）是增強型矽基氮化鎵（eGaN^®）功率場效應電晶體和積體電路的全球行業領先供應商，其首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow博士於2020全球電子成就獎（WEAA）評選中，榮獲年度傑出貢獻人物獎。

全球電子成就獎旨在評選並表彰對推動全球電子產業創新做出傑出貢獻的企業和管理者，以及在業界處於領先地位的產品。由ASPENCORE全球資深產業分析師組成的評審委員會以及各地區（亞洲、美國、歐洲）網站用戶群進行綜合評定共同評選出得獎者。

宜普電源轉換公司（EPC）推出170 V、6.8毫歐的EPC2059氮化鎵場效應電晶體(eGaN^® FET），相比目前用於高性能48 V同步整流的元件，EPC為設計工程師提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的元件。

宜普電源轉換公司是增強型矽基氮化鎵（eGaN）功率場效應電晶體和積體電路的全球領先供應商，旨在提高產品性能而同時降低可發貨的氮化鎵電晶體的成本，推出EPC2059(6.8 mΩ、170 V)氮化鎵場效應電晶體，是100 V ~ 200 V解決方案系列的最新產品，該系列適用於廣闊的功率級並備有不同價格的元件可供選擇，滿足市場對48 V ~ 56 V伺服器和數據中心產品，以及一系列用於高端運算的消費類電源應用（包括遊戲PC，LCD / LED電視和LED照明）不斷增長的需求。

Stefan Werkstetter appointed as New Director of Sales for EMEA to focus on assisting customers in the adoption of eGaN^® FETs and Integrated Circuits for applications including DC-DC, lidar, motor control, and other leading-edge power conversion systems

EL SEGUNDO, Calif. — November 2020 — To support the continued adoption of gallium nitride (GaN) FETs and Integrated Circuits in the European market, Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is pleased to announce the appointment of Stefan Werkstetter as Director, Sales EMEA.

氮化鎵（GaN）技術已實現重大改進，而且它極具成本效益，可以替代MOSFET元件。 從2017年開始，採用氮化鎵元件的48 V DC/D轉換器開始成為市場上重要的應用。 各種拓撲諸如多相和多級降壓轉換器，實現具備更高效率的全新解決方案，可以滿足IT和汽車市場的能源需求。

Power Electronics News
2020年11月
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Gallium nitride FETs have continued to gain traction in many power electronic applications, but GaN technology is still in the early part of its life cycle. While there is much room to improve basic FET performance figures of merit an even more promising avenue is the development of GaN power ICs.

Bodo’s Power Systems
November, 2020
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The ultimate aim of Artificial Intelligence is to provide machines the ability to operate autonomously. One such area which is projected to grow exponentially over the next decade is Autonomous Vehicles. With Artificial Intelligence coupled with the rapid advances in electronics and computer technology, the word driverless will soon take over the roads.

AI Time Journal
October, 2020
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THIEF RIVER FALLS, Minnesota, USA – Digi-Key Electronics, the leading global electronic components distributor, announced that it has partnered with Efficient Power Conversion Corporation (EPC) to host a webinar on how to harness the power of eGaN FETS and ICs for motor drives. The webinar will take place on October 28 at 8 a.m. PST.

Register for the Harness the Power of GaN for Smaller, Lighter, More Precise Motor Drives webinar at EPC’s webinar page

基於宜普電源轉換公司（EPC）超高效eGaN^® FET的兩種高功率密度DC/DC轉換器，推動超薄筆記型電腦、顯示器、高端遊戲系統和其他纖薄型消費電子產品實現高效解決方案

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出用於48 V DC/DC轉換的EPC9148和EPC9153演示板。 EPC9153是一款250 W超薄電源模組，採用簡單且低成本的同步降壓配置，峰值效率高達98.2％，其元件的最大厚度為6.5 毫米。 EPC9148使用多電平拓撲結構，元件的最大厚度小於4 毫米，峰值效率為98％。

離散式功率電晶體，無論它是矽基還是矽基氮化鎵，都進入了最後發展階段。 矽基氮化鎵積體電路可以在較小的佔板面積內實現更高的性能，並且顯著降低成本和減少所需的元件工程。 本文詳細闡析氮化鎵元件的崛起和矽基氮化鎵積體電路如何重新定義功率轉換。

Bodo’s Power Systems
2020年10月
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新一代100 V 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）是48 V_OUT同步整流、D類音訊放大器、汽車資訊娛樂及雷射雷達系統的理想功率元件。

增強型矽基氮化鎵（eGaN）功率場效應電晶體和積體電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高並且成本更低，可立即供貨。採用這些先進氮化鎵元件的應用非常廣闊，包括同步整流器、D類音訊放大器、汽車資訊娛樂系統、DC/DC轉換器（硬開關和諧振式）和面向全自動駕駛車輛、機械人及無人機的雷射雷達系統。

Standard qualification testing for semiconductors typically involves stressing devices at-or-near the limits specified in their data sheets for a prolonged period of time, or for a certain number of cycles, with the goal of demonstrating zero failures. By testing parts to the point of failure, an understanding of the amount of margin beyond the data sheet limits can be developed, but more importantly, an understanding of the intrinsic failure mechanisms of the semiconductor can be found.

Bodo’s Power Systems
September, 2020
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矽功率MOSFET未能跟上電力電子行業的發展變化，而效率、功率密度和更小的外型尺寸等因素是行業的主要需求。 矽MOSFET元件的性能已達到其理論極限，並且由於電路板的空間非常寶貴，因此功率系統設計人員必需找出替代方案。 氮化鎵（GaN）元件是一種高電子遷移率電晶體（HEMT），這種半導體正為新興應用不斷增值。

EETimes
2020年8月
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新一代200 V 氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）是48 V_OUT同步整流、D類音訊放大器、太陽能微型逆變器和功率優化器，以及多電平、高壓AC / DC轉換器的理想功率元件。

增強型矽基氮化鎵（eGaN）功率場效應電晶體和積體電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司（EPC）最新推出的兩款200 V eGaN FET（EPC2215和EPC2207 ），性能更高而同時成本更低，目前已有供貨。採用這些領先氮化鎵元件的應用十分廣闊，包括D類音訊放大器、同步整流器、太陽能最大功率點追蹤器（MPPT）、DC/DC轉換器（硬開關和諧振式），以及多電平高壓轉換器。

氮化鎵技术幫助業界實現從使用內燃機汽車改為電動及智慧汽車的轉變。

Power Systems Design
2020年7月/8月刊 – 第39頁
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In this inaugural episode, guests are Alex Lidow, CEO of Efficient Power Conversion Corp., and Dinesh Ramanathan, co-CEO of NexGen Power Systems. EPC and NexGen both have expertise with gallium nitride technology and GaN power devices. EETimes speaks with both about the technology and about the market for GaN power devices.

EETimes
August, 2020
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Gallium nitride (GaN) power devices have been in volume production since March 2010 and have established a remarkable field-reliability record. An automotive application using GaN power devices in high volume is lidar (light detection and ranging) for autonomous vehicles. Lidar technology provides information about a vehicle’s surroundings, thus requiring high accuracy and reliability to ensure safety and performance. This article will discuss a novel testing mechanism developed by Efficient Power Conversion (EPC) to test eGaN devices beyond the qualification requirements of the Automotive Electronics Council (AEC) for the specific use case of lidar.

eeNews Europe
July 30, 2020
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就像生活要面對現實一樣，老年人離開舞臺而讓位給年輕人，矽元件也是需要向現實低頭。 隨著氮化鎵元件的問世和普及，正逐步淘汰舊有可靠的矽元件。 在過去的四十年中，隨著功率MOSFET元件的結構、技術和電路拓撲的創新與不斷增長的電力需求同步發展，電源管理的效率和成本一直以來得以穩步改善。 但是，在業界發展的新時代，隨著矽功率MOSFET元件接近其理論極限，其演進速度下降了很多。 同時，新材料氮化鎵的理論性能極限穩步發展，其性能極限比老化的MOSFET元件高出6,000倍，並且比目前市場上最好的氮化鎵產品高出300倍。

EEWeb
2020年7 月16日
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