Power transistors with faster switching speeds will enable power supplies with smaller form factors and higher energy transfer efficiencies. Indeed, the elimination of heat sinks will give designers the ability to visualize entirely new form factors for power bricks and modules, including those enabling wireless power transfers. Gallium-nitride (GaN) transistors fabricated on silicon substrates can boost efficiencies and help shrink the footprint of power supplies.

Electronic Design
March, 2016
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宜普電源轉換公司首席執行長及共同創辦人Alex Lidow在彭博電台訪問中討論半導體領域近來一連串及頻繁的倂購活動，以及氮化鎵（GaN）技術如何在業界替代矽元件。

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由於PAPR比率在5G技術中會變差，氮化鎵(eGaN)技術被認爲是支持5G技術的基站結構在功效方面的最重要解決方案，而氮化鎵功率電晶體已經實現了波峰跟蹤應用，我們並預期在未來的3至5年之間，當氮化鎵技術繼續發展，市場將會有更多的新興應用陸續出現。

EDN
Steve Taranovich
2015年7月17日
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EPC garners the attention of MIT Technology Review with its new products targeted for wireless charging applications. Recognizing EPC as a catalyst for jump-starting the market for wireless power systems, the author highlights the need for universally accepted technology standards. He reinforces his position quoting Alex Lidow saying that “…convenience, cost, and efficiency” are all factors needed for broad adoption of any standard…

MIT Technology Review
July 15, 2015
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功率轉換需要製造細小的元件以從電力的一種形式轉換至另外的一種形式，從而使得所有電子設備運行順暢。 直至目前爲止，矽元件是功率轉換的首選元件，但是當它的效率達到極限時，業界轉而關注全新材料的發展。

Los Angeles Business Journal
2015年6月21日
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宜普電源轉換公司(EPC) Alex Lidow於2015年PCIM研討會上展示由氮化鎵元件推動的X-ray藥丸及各種氮化鎵元件。

Power Systems Design
2015年6月2日
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Integrated Device Technology, Inc. ((IDT^®) (美國納斯達克上市代號: IDTI)宣佈與宜普電源轉換公司（EPC）合作開發基於氮化鎵（GaN）技術的全新方案。氮化鎵被公認爲在速度及效率方面極具優勢的一種半導體材料。這合作謀求探索結合兩家公司的技術——EPC的eGaN^®技術及IDT領先業界的解决方案。

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Last week, El Segundo, Calif.-based Efficient Power Conversion, announced that its offering two types of power transistors made from gallium nitride that it has priced cheaper than their silicon counterparts. “This is the first time that something has really been higher performance and lower cost than silicon,” CEO Alex Lidow says. “Gallium nitride has taken the torch and is now running with it.”

IEEE Spectrum
May 8, 2015
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半導體業界資深人士及宜普電源轉換公司（EPC）首席執行長Alex Lidow說：「摩爾定律現正蛻變為預測全新的半導體材料的性能定律。EPC氮化鎵（GaN）電晶體有機會替代矽元件。氮化鎵材料是一種更好的電子導體，在性能及功效方面比矽更為優越。」氮化鎵元件已經用於電源轉換及無線通訊等領域，它將有一天成為數位晶片。Lidow說：「60年以來首次出現採用優越材料的元件而不只是在更小尺寸方面發展。」

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Network World
2015年4月17日

晶片的發展推動了一個又一個的技術大變革：個人電腦、互聯網、智慧手機、智慧手錶及即將推出的自動駕駛汽車。 宜普電源轉換公司（EPC）是一間把它的將來押注在III-V氮化鎵材料上的創始公司，其首席執行長Alex Lidow帶領著一支34人的專業團隊創建公司。該公司的業績繼續保持穩定增長，產品是採用III-V氮化鎵（GaN）材料層的電晶體。 在2016或2017年，Lidow預計氮化鎵元件的製程可以包含電腦處理器內負責思考的邏輯電路。Lidow認為「與傳統的矽元件相比，氮化鎵元件所具備的電力特性使你立即可以取得1000倍改進產品性能的機會。」

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CNET.com
2015年4月17日

Dean Takahashi at VentureBeat profiles Alex Lidow. Silicon chips have had a decades-long run as the foundation for modern electronics. But a new kind of chip, based on the compound material gallium nitride (GaN), promises to unseat silicon because it has higher performance, less power consumption, and lower cost.

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VentureBeat
April 2, 2015

60年以來業界首次見證全新的半導體技術以更低的成本製造出比矽元件具備更高的性能的電晶體。氮化鎵（GaN）技術展示了它顯著提升了電晶體的性能之外，氮化鎵元件的製造成本比矽元件可以更低。由於氮化鎵電晶體具備快速開關特性，在高壓及大電流工作時它比任何前代的電晶體都更為優越，支援開發全新的應用。這些特性非常優越，可推動全新並改寫未來的應用的出現。但是氮化鎵技術的發展還是剛剛開始，它的發展前景將無可限量。

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EDN雜誌
作者：Alex Lidow
2015年1月

Technics is back. Panasonic has unveiled the first new hi-fi products from the highly-regarded brand in 6 years. The new Reference Class system is made up of three components – a stereo power amp, a network audio control player and a speaker system. The amp uses a JENO Digital Engine to eliminate jitter and nip noise in the bud, and Load Adaptive Phase Calibration (LAPC) for flat amplitude-phase frequency delivery. It features GaN for high speed switching while keeping signal loss low, a proprietary digital link input, analog XLR input, analog RCA input, bi-wiring speaker terminals, and a silent linear power supply.

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氮化鎵（GaN）場效應電晶體隨時準備在電壓調節器及直流-直流電源應用替代矽功率元件。 與矽MOSFET元件相比，氮化鎵電晶體的開關速度快很多及具有更低的導通電阻（R_DS(on)），從而可以實現具有更高功效的功率電源，對我們來說是好的。如果你正在使用氮化鎵元件設計功率電路，你必需理解元件的開關速度。

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根據美國市場研究公司The Information Network指出，碳化矽及氮化鎵功率半導體市場於2011年至2017年的複合年均增長率將達63%及營收預測爲5億美元。

Compound Semiconductor
2014年10月
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Intent on flooding power device markets with GaN-on-silicon FETs, Alex Lidow, EPC, talks to Compound Semiconductor about future market opportunities.

Compound Semiconductor
July, 2014
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氮化鎵器件於2020年的銷售額預期可達差不多6億美元幷大約需要製造58萬片6英寸晶圓。氮化鎵器件的市場將於2016年起發展迅猛，至2020年的複合年均增長率達80%，這個預期是基于EV/HEV預計從2018至2019年開始採納氮化鎵得出。於2015年至2018年，電源供電/功率因數校正將成爲主要市場幷將最後占氮化鎵器件銷售總額 50%，届時氮化鎵器件於車用市場將急起直追。

Yole Development公司
2014年6月
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業界迅速採納基於氮化鎵的功率器件，因為氮化鎵器件的工作頻率及開關速度是矽功率器件所不能實現的。

Power Electronics Europe
作者：Alex Lidow博士、Johan Strydom博士及 David Reusch博士
2014年6月

在德州Fort Worth舉行的APEC 2014年度IEEE功率電力電子研討會已經完滿結束。 該研討會的多個議題讓與會者留下深刻印象，其中一個是經歷了饒具趣味的進程的氮化鎵（GaN）功率電晶體。詳情請訪問 http://electronicdesign.com/blog/pmbus-gan-and-more-dominate-apec-2014。

Electronic Design雜誌
2014年3月

Yole Développement市場研究公司將於本星期發表關於“矽襯底氮化鎵基技術及LED與功率電子市場”研究報告。分析員相信功率電子應用將普遍採納矽基氮化鎵技術。功率電子市場所涵蓋的應用包括交流-直流或直流-交流電源轉換，這些應用皆面對很大的電源損耗並隨著更高功率及更高工作頻率而增加。由於目前的矽基技術已接近其極限，因此很困難達到業界所需的更高要求。

詳情請訪問 http://powerelectronicsworld.net/article/0/79693-yole-power-to-dominate-gan-on-silicon-market.html。