EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列，上載了６個影片，針對元件可靠性及基於氮化鎵場效應電晶體及積體電路的各種先進應用，包括面向人工智慧的高功率密度運算應用，面向機械人、無人機及車載應用的雷射雷達系統，以及Ｄ類放音訊放大器。

宜普電源轉換公司（EPC）更新了其廣受歡迎的“如何使用氮化鎵元件”的影片播客系列。剛剛上載的六個影片主要分享實用範例，目的是幫助設計師利用氮化鎵技術設計面向人工智慧伺服器及超薄筆記型電腦的先進DC/DC轉換器、面向機械人、無人機及自動駕駛車輛的雷射雷達系統，以及實現有可能是具有最高音質的音訊系統。

中壓氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的成本在三年前已經比等效額定功率MOSFET器件的成本更低。當時，EPC公司決心利用氮化鎵場效應電晶體的性能及成本效益優勢，積極研發及支持48 V輸入或輸出的應用。車用及電腦應用的48 V 轉換逐漸成為全新的架構，也成為了功率系統的全新標準。

Power Systems Design
2020年3月31日
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知名企業領袖 - 宜普電源轉換公司（EPC）首席執行官Alex Lidow於2009年在市場推出第一個氮化鎵電晶體。 經過了10年的氮化鎵產品銷售，DESIGN & ELEKTRONIK 雜誌編輯Ralf Higgelke與Alex會面並談論氮化鎵技術的最新發展。

DESIGN & ELEKTRONIK雜誌
2020年2月20日
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EPC9144演示板內的車規級EPC2216氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）可支援大電流納秒脈衝的應用，提供高速的大電流脈衝 – 電流可高達28 A、脈寬则可低至1.2納秒，從而使得飛行時間及flash雷射雷達系統更準確、更精確及更快速。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出15 V、28 A大電流脈衝雷射二極體驅動電路板（EPC9144）。

當矽技術已經到了性能極限，採用氮化鎵元件的全新設計使得氮化鎵技術得以繼續普及。氮化鎵元件的發展還是剛剛起步，它的性能將得以繼續提升、積體電路也將會更具優勢，以及將有更多全新的氮化鎵產品推出市場。

Electronics Weekly
2019年12月
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Smaller, faster, lower cost, and more integrated, GaN-on-Silicon devices have the confidence of designers across a spectrum of power conversion applications. In this article, Alex Lidow explains why it’s getting harder to avoid using GaN power transistors and ICs.

Electronic Specifier
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It’s getting harder to avoid using GaN power transistors and ICs, says Alex Lidow. There are many reasons to use GaN-on-Si power transistors such as eGaN FETs, in telecoms, vehicles, healthcare and computing. Smaller, faster, lower cost, and more integrated, GaN-on-Si devices have spent a decade gaining the confidence and trust of designers across the spectrum of power conversion applications.

Electronic Specifier
November 20, 2019
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Ahead of December’s Power Conference in Munich, Bodo Arlt took the opportunity to get an insight into Alex Lidow’s thoughts on where the GaN market is now and where he sees the potential applications for the future. Dr. Lidow is the CEO and Co-founder of Efficient Power Conversion (EPC).

Bodo’s Power Systems
November, 2019
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氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）元件的價格下調，對客戶而言，更為吸引。多家供應商推出基於氮化鎵及碳化矽的功率半導體，摩拳擦掌，正在爆發新一輪的半導體大戰，全速進攻傳統矽基元件的市場份額。

Semiconductor Engineering
2019年10月
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宜普電源轉換公司(EPC)的車規級並通過AEC Q101認證的氮化鎵電晶體系列增添全新成員 -- 經過優化的15 V EPC2216，實現不昂貴的高性能雷射雷達系統。

宜普公司宣佈15 V的EPC2216成功通過AEC Q101認證，專為需要高準確性的雷射雷達應用而設計，例如全自動駕駛汽車，以及其他的飛行時間（ToF）應用，包括人面識別、自動化倉庫、無人機及地圖製作。

GaN transistors, with favorable figures of merit (FOM) for 48 V applications, can provide a reduction in size, weight, and bill of material costs. This article presents a five-phase, fully regulated, bidirectional 48 V to 12 V DC-DC converter. An advancedthermalmanagement solution suitable for use with eGaN FETs results in a system that can provide 3kW of power at an efficiency exceeding 97.5% into a 14.5 V battery.

Power Systems Design
July, 2019
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目前的氮化鎵場效應電晶體在尺寸及性能方面以飛快的速度發展，而目前為業界樹立基準的氮化鎵元件的性能還可以提升多300倍。

最早採用氮化鎵元件的應用是利用氮化鎵的超快速開關速度，例如面向全自動駕駛車輛和無人機的雷射雷達系統、機械人，以及4G/LTE基站。氮化鎵元件的產量一直在增加，而其價格跟開關速度更慢、尺寸更大型和日益陳舊的MOSFET元件相約。因此，目前正是氮化鎵元件正面攻擊MOSET的時候！。

Bodo’s Power Systems
2019年6月
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宜普電源轉換公司（EPC）進一步擴大車規級氮化鎵產品系列 -- 全新成員是面向具有高解析度的雷射雷達系統、80 V的EPC2214氮化鎵場效應電晶體，該元件成功通過國際汽車電子協會所制定的AEC Q101應力測試認證。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈再多一個車用氮化鎵(eGaN)元件（80 V的EPC2214）成功通過AEC Q101測試認證，可在車用及其他嚴峻環境支持多種全新應用。

宜普電源轉換公司（EPC）推出兩個全新100 V氮化鎵元件，可以支援伺服器及汽車應用的48 V轉換的要求。 我將在處理器、車用及能量存儲系統等方面探討48 V伺服器的功率轉換解決方案（可參考我的文章 “雙向DC/DC電源供電: 我們應該如何取向？”），未來將在EDN文章中看到。氮化鎵功率電晶體必需是這些不同架構的一部份 -- 我相信沒有其他更優越的元件可以替代氮化鎵元件了 。

Planet Analog
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EPC will exhibit live demonstrations showing how GaN technology’s superior performance is transforming power delivery for entire industries including computing, communications, and automotive.

EL SEGUNDO, Calif. — March 2019 — The EPC team will be delivering eleven technical presentations on gallium nitride (GaN) technology and applications at APEC 2019 in Anaheim, California from March 17^th through the 21^st. In addition, the company will demonstrate its latest eGaN FETs and ICs in customers’ end products that are enabled by eGaN technology.

繼第一至第九階段可靠性測試報告後，EPC公司的第十階段可靠性測試報告進一步豐富知識庫。此報告對超過30,000個元件進行了超過1,800萬小時的應力測試後，沒有元件發生故障。在過去的兩年間，我們所付運的數百萬個元件沒有發生現場失效的情況。

宜普電源轉換公司（EPC）發佈第十階段可靠性測試報告，成功通過車規級AEC-Q101應力測試認證。AEC-Q101認證要求功率場效應電晶體符合最高的可靠性標準，不僅僅要求元件符合數據表內所載的條件而沒有發生故障，也同時要求在應力測試中，具有低漂移。請注意，EPC所採用的晶圓級晶片尺寸封裝（WLCSP）也符合所有針對傳統封裝的測試標準，展示出該封裝具備卓越性能之同時沒有影響到元件的穩固性或可靠性。

宜普電源轉換公司（EPC）進一步擴大車規級氮化鎵產品系列 -- 再多兩個產品成功通過國際汽車電子協會所制定的AEC Q101離散式元件應力測試認證。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈再多兩個車用氮化鎵(eGaN)元件成功通過AEC Q101測試認證，可在車用及其他嚴峻環境支持多種全新應用。EPC2206及EPC2212是採用晶圓級晶片規模封裝（WLCS） 、分別是80 V_DS 和100 V_DS的離散電晶體。

EPC公司將於國際消費電子展CES^® 2019 的hospitality suite展示基於氮化鎵（GaN）元件的家居無線電源系統及應用於全自動駕駛車輛的、領先業界的雷射雷達系統。

EPC公司將於2019年1月8日至11日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展（CES® 2019）展示eGaN^®技術如何實現兩種改變業界遊戲規則的消費電子應用 -- 分別是無線電源及應用於全自動駕駛車輛的雷射雷達（LiDAR）。

With the power architecture transition from a 12 V to a 48 V bus power distribution in modern data centers, there is an increased demand to improve 48 V power conversion efficiency and power density. In this context, DC-DC converters designed using eGaN^® FETs and ICs provide a high efficiency and high power density solution. Additionally, with the advent of 48 V power systems in mild-hybrid, hybrid and plug-in hybrid electric vehicles, GaN transistors can provide a reduction in size, weight, and Bill of Materials (BOM) cost.

Power Systems Design
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在此播客，我們跟宜普電源轉換公司（EPC）的Alex Lidow談論關於應用於聯網汽車的氮化鎵（GaN）技術。

Power Systems Design

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