宜普电源转换公司（EPC）第八阶段可靠性测试报告表明，氮化镓器件经过超过8百万器件小时的应力测试后，没有失效器件。该报告详细探讨EPC在推出通过认证的产品之前所进行的应力测试，以及分析器件失效的物理原因。

Bodo’s Power Systems
2016年9月1日
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宜普电源转换公司（EPC）的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN^® FET）及集成电路正在驱动最终用户应用的发展，包括LiDAR、无线充电、DC/DC电源转换、射频发射基站、卫星系统及音频放大器等应用。

从现场可靠性数据可以确证eGaN^® FET及集成电路于客户应用的品质。在本章节，我们分享eGaN FET的可靠性及现场数据的概述，包括在过去六年间我们对量产及已经付运的eGaN产品所收集的可靠性现场数据，以及分析超过170亿小时受测器件的现场数据。最后所得的FIT比率(109小时内发生失效的器件)大约是0.24，这是目前最好的现场可靠性测试结果。

Plant Analog
作者：Chris Jakubiec
2016年5月1 日
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In this series we will look at the various ways the reliability of eGaN^® technology has been validated, and how we are developing models from our understanding of the physics of failures that can help predict failure rates under almost any operating condition. In this first installment and the next, we will look at the field experience from the past six years of GaN transistors use in a variety of applications from vehicle headlamps to medical systems to 4G/LTE telecom systems. Diving into the failure of each and every part leads to some valuable lessons learned.

Planet Analog
Chris Jakubiec, Robert Strittmatter, Ph.D., and Alex Lidow, Ph.D.
March 1, 2016
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杂志：Bodo's Power Systems
作者：宜普公司产品质量及可靠性总监马艳萍博士

摘要：
本文讨论了相比功率MOSFET器件，氮化镓场效应晶体管具有高电子密度和非常低的温度系数，使它能够在目前的高性能应用中具明显的优势。电子密度产生优异的RDS(ON)，而正温度系数防止在芯片内产生发热点，致使氮化镓场效应晶体管可以在安全工作区域工作时具有更卓越的性能而不会发生故障。

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Efficient Power Conversion’s (EPC) enhancement-mode gallium-nitride (eGaN) power transistors, although similar to standard power MOSFETs, deliver performance unattainable by silicon-based devices.

Yanping Ma, PhD, Efficient Power Conversion, El Segundo, Calif.
How2Power
October, 2010

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