EPC技術記事

GaN ePower™ IC搭載パワー・ステアリング

電動パワー・ステアリング(EPS)では、油圧システムが必要な場合にのみ運転者を支援する電気モーターに置き換えられています。デジタル・アシスタンス・コントロールは、運転状況に合わせてオンラインで変更できます。ただし、考慮すべき設計上の制約がいくつかあります。1つは、運転者がタイヤからの感覚的なフィードバックを逃したくないということです。特に、トラックなどの大型車両の場合はそうです。その他の制約は、特に無人搬送車の場合、安全規則によって決定されます。これらの制約によって、効率的で正確な冗長システムを採用する必要があります。窒化ガリウム技術は、これらすべての分野で設計者を支援します。

米Power Electronics News誌
2023年3月
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GaN世代の電力変換用パワー・パッケージング

2010年3月にGaNオン・シリコンのエンハンスメント・モード・パワー・トランジスタが発売されて以来、シリコン・ベースのパワーMOSFETの採用と置き換えに向けて、ゆっくりですが単調なシフトがありました。最初の採用は、Lidar(光による検出と距離の測定)、ハイエンドのオーディオ・アンプ、ロボット、車両のヘッドランプ、高性能DC-DCコンバータなどのアプリケーションのリスクを冒す先見の明のある人々によってもたらされました。電力変換用のGaNの拡大が初期の採用者たちを以外にも広がるためには、WLCP(ウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ)よりも使いやすい形を開発する必要がありました。ただし、この形にするためには、小型、低オン抵抗RDS(on)、高速、優れた熱伝導率、および低コストという重要な属性を維持する必要がありました。言い換えれば、最良のパッケージは、技術的に可能な最小容量のパッケージということになります。PQFNを入力してください・・・

独Bodo’s Power Systems
2023年3月
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48 Vのマイルドハイブリッド車向けの2 kWで48 V/12 Vの間の双方向パワー・モジュールのGaNベース設計

政府による気候変動対策の強化に伴って、自動車メーカーは、早急に新しい技術を活用して、内燃エンジンから電気駆動の自動車に切り替えることで対応しようとしています。この記事では、効率96%を達成し、48 Vのマイルドハイブリッド・システムを対象としたGaN FETを使った2 kW、2相で、48 V/12 Vの間の双方向コンバータの設計を紹介します。

米PSD North America誌
2023年3月
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48 Vのマイルドハイブリッド車向け双方向パワー・モジュール

48 Vのマイルドハイブリッド車向けの2 kWで、48V/12Vの間の双方向パワー・モジュールのGaNベース設計の調査

英ニュース・サイトElectronics Today
2023年1月
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台湾RichtekとEPCが協力して、小型の140 Wの急速充電ソリューションを開発

世界をリードするアナログIC設計会社である台湾のRichtek Technologyは、窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー・マネージメント(電源管理)技術の大手プロバイダであるEPCと協力して、高速充電用途向けの新しいリファレンス・デザインを製品化し、高い電力密度と最大効率98%を実現しました。

台湾の電子業界向け日刊紙DigiTimes
2023年1月
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科学プロジェクトから主流の電力導体へのGaNの進化

電力変換技術は、バイポーラからMOSへの移行以来、最初の地殻変動を経験しています。もちろん、その変化は、ワイド・バンドギャップのパワー・デバイスの急速な普及によるものです。現時点では、GaNは単なる特殊技術ではありません;これは、数10億米ドル規模の市場である30 Vから650 Vまでの範囲の用途において、シリコンMOSFETの広範な代替品です。

米Power Electronics News誌
2022年12月
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電子ブック:次のシリコン・フロンティア

従来のトランジスタのスケーリングの継続的な進歩にもかかわらず、半導体産業は、変曲点に達しています。より速く、より小さく、よりスマートで、エネルギー効率の高いチップに対する需要は、新しい設計と製造のパラダイムを必要としています。この電子ブックには、技術と市場の専門家である半導体調査会社の英Future HorizonsのMalcolm Penn;ルネサスエレクトロニクスのTim BurgessとBernd Westhoff;市場調査会社の仏Yole GroupのJean-Christophe Eloy;ベルギーの研究機関imecのLuc Van den hove;Yole GroupのYole IntelligenceのEzgi Dogmus、Poshun Chiu、Taha Ayari;Efficient Power Conversion のAlex Lidow(アレックス・リドウ);米ノースカロライナ州立大学の研究機関PowerAmericaのVictor Veliadis;市場調査会社の英IDTechExのRichard CollinsとYu-Han Chang;研究機関の仏CEA-LetiのJean-René Lèquepeysからの寄稿が収められています。

米EETimes誌
2022年12月
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eGaN FETは、48 Vから12 Vへの電力変換で4 kW/立方インチを超える電力密度を実現します

コンピューティングやデータセンターにおける計算能力の増大と電子機器の小型化によって、48 Vの電力の供給や変換システムに対する圧力がますます高まっています。高効率で電力密度の高いコンバータによって、システム・レベルでの電力損失を削減すると同時に、形状を小型化することができます。これに関連して、GaN技術と組み合わせたLLC共振回路構成は、複数の例で実証されているように、優れた性能を実現することに成功しています。 この記事では、eGaN® FETを使った48 Vから12 VへのLLCコンバータで、4 kW/立方インチを超える電力密度を達成するための主要な設計パラメータと部品を示します。

米Power Electronics News誌

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電動キックボード駆動システム向けのGaNベースの低電圧インバータ

このホワイト・ペーパーでは、電気マイクロモビリティの分野におけるモーター駆動用途向けの最新世代の低電圧(最大80 V)窒化ガリウム(GaN)・デバイスの用途について説明します。電力が1500 Wの軽い電動牽引(電動キックボードなど)向けの2レベル・インバータ構成が検討されています。インバータのレッグの各スイッチに2個のGaN FETを並列接続した実験用基板を用意しました。デバイス固有のパラメータの広がりと、回路とプリント回路基板の両方の漏れインダクタンスによる過渡状態と定常状態の両方での電流配分への影響を評価しました。この論文では、いくつかのシミュレーションを実行し、説明します。さらに、インバータの実験基板を使って、さまざまな負荷条件での相の電圧と電流を評価しました。最後に、温度制限対相電流の変動を評価しました。

IEEE 2022 AEIT International Annual Conference (AEIT)
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注:このサイトで完全な論文にアクセスするには、IEEEのメンバーシップが必要です。

次世代のGaN技術が電力密度を2倍に

この記事で、EPCは、第6世代GaN FETの性能の向上と、その結果として得られるデバイスが前世代のデバイスと同じオン抵抗RDS(on)を半分のチップ・サイズで実現する方法について説明します。

米オンライン・ニュースサイトHow2Power
2022年11月
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世界のエネルギーの真のコスト

EPCの使命は、シリコンに比べて高性能で低コストのGaNパワー・デバイスを作ることです。GaNデバイスは、電力密度を高め、効率を改善し、新しいアプリケーションを可能にします。世界的にエネルギー・コストが上昇しているため、同社のGaNデバイスの採用率が劇的に加速していることは驚くに値しません。

独Bodo’s Power Systems
2022年11月
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マイルドハイブリッド車の電化を支えるGaNパワー

より高い燃料効率基準を目的とした法律の増加に伴い、自動車メーカーは、増え続ける電子駆動機能に必要な電力を提供すると同時に、これらの要求を満たすための費用対効果の高いソリューションを探しています。この記事では、500 kHzのスイッチング周波数で48 Vから14.3 Vに変換するときに、GaN FETを使って96%を超える効率を実現するマイルド ハイブリッド車およびバッテリー・バックアップ・ユニット向けの双方向大電力コンバータについて詳しく説明します。

英Power Electronics Europe誌
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ポッドキャスト:electronica 2022のプレビュ

11月15日~18日に、electronica 2022では、ドイツのミュンヘンの展示会場で国際的なエレクトロニクス産業を一堂に会します。ワイド・バンドギャップ半導体、再生可能エネルギー、スマート・グリッド、およびエネルギー貯蔵は、electronica 2022のパワー・エレクトロニクス・フォーラムで取り上げられる主要なトピックです。このポッドキャストでは、米オン・セミコンダクターの社長兼CEO(最高経営責任者)のHassane El-Khoury、米Silanna Semiconductor North AmericaのCEOのMark Drucker、Efficient Power Conversion(EPC)のCEOのAlex Lidow(アレックス・リドウ)が、パワー・エレクトロニクス・フォーラムについて紹介します。Alex Lidowへのインタビュは31:55から始まります。

米EETimes誌
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神話を払拭する:eGaN FET用のバイポーラ・ゲート駆動が必要だと言う人がいても、それを信じてはいけません

GaNデバイスは、過去15年間で、初期の研究開発段階から主流の設計に移行しました。残念ながら、これらの初期段階のバイポーラ駆動回路の開発、または行き止まりの技術分岐からの多くの誤解が残っています。最も有害なものの1つは、バイポーラ駆動の話題です。実際には、ユニポーラ駆動がeGaN® FETを駆動する最良の方法です。

英オンライン・ニュースPower Electronics Tips
2022年10月
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GaNのePower Stage ICは、モーター駆動用途に、論理入力、電力出力のシンプルさをもたらします

窒化ガリウム・デバイスは、電力変換の革新をリードしています。GaNベースのインバータの利点は、モーター駆動用途でますます明らかになっています。

米Power Electronics News誌
2022年10月
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光速を追う

機械の自動化レベルが進むにつれて、周囲の細かな認識が必要になってきています。飛行時間TOF(Time-of-flight)ベースの3次元画像システムは、機械の目になりました。eGaN®技術は、これらのシステムのレーザー・ドライバの主力製品であり、この解像度がインテリジェントな決定を下すことに貢献します。

独Bodo’s Power Systems
2022年10月
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チップスケール・パッケージ封止GaN FETのプリント回路基板のパワー・ループのレイアウトが電気的性能や熱的性能を最適化

この記事では、さまざまなパワー・ループのレイアウトを分析し、熱管理と電気的寄生要素を同時に考察します。

この結果は、レイアウトの改善によって、電気的性能の利点を維持しながら、動作温度の上昇を大幅に削減できることを示しています。

米オンライン・ニュースEE Power
2022年10月
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神話を払拭する:GaNとモーター・ドライバ

業界では、GaNデバイスは、電気モーターのインバータに使われているという一般的な考えがあります。結局のところ、システムの性能が20 kHzのPWM(パルス幅変調)の使用によって制限されている場合、より高速なスイッチング速度からその利点の大部分を得る材料を使っても、わずかな利点しかない可能性があります。しかし、EPCのモーター駆動システムとアプリケーション部門ディレクタのMarco Palmaによると、GaNがその役割において、依然として効果的であることを証明できる方法がいくつかあります。

米Power Systems Design誌
2022年9月
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電動自転車向けリファレンス・デザイン

EPCのインバータのリファレンス・デザインは、パワー・トレインのサイズを小型化するためにGaNチップに基づいています

英オンライン・ニュースのE-mobility Engineering
2022年9月
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パッケージ封止のGaN FETは、フットプリント互換のソリューションを提供し、費用対効果を最適化します

熱的に強化されたQFNパッケージ封止のGaN FETは、DC-DC変換、AC/DC充電器、太陽光発電用のオプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動、D級オーディオなどの高電力密度用途向けに、より高性能で小型のソリューション・サイズを提供します。

米Power Electronics News誌
2022年9月
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