窒化ガリウムFETは、パワー・エレクトロニクスの多くのアプリケーションで牽引力となり続けていますが、GaN技術はまだ、ライフ・サイクルの初期段階にあります。FETの基本的な性能指数FOM（figure of merit）を改善する余地はたくさんありますが、さらに有望な手段はGaNパワーICの開発です。

独Bodo’s Power Systems
2020年11月
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人工知能の究極の目的は、機械が自律的に動作する能力を備えることです。今後10年間で、指数関数的に成長すると予測されているそのような分野の1つは、自動運転車です。人口知能と、エレクトロニクスやコンピュータの技術の急速な進歩が相まって、無人運転という言葉が、まもなくこの道を引き継ぐでしょう。

米AI Time Journal誌
2020年10月
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シリコン・ベースであろうと、GaNオン・シリコンであろうと、ディスクリート・パワー・トランジスタは最終章に入っています。GaNオン・シリコンの集積回路は、大幅にコストを低減し、必要な作業を減らし、より小さな実装面積で、より高い性能を提供します。この記事では、GaNの浮上が電力変換をどのように再定義しているかについて詳しく説明します。

独Bodo’s Power Systems
2020年10月
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半導体の標準的な認証試験では通常、デバイスのデータシートで指定された制限値またはその近くで、長期間、または特定のサイクル数のストレスをデバイスに加え、故障ゼロを実証します。故障する所まで部品を試験することによって、データシートの制限を超えるマージン量を理解することができますが、さらに重要なのは、半導体の本質的な故障メカニズムを理解することができるということです。

独Bodo’s Power Systems
2020年9月
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シリコン・パワーMOSFETは、効率、電力密度、小型形状などの要素がコミュニティの主な要求であるパワー・エレクトロニクス業界の革新的な変化に対応できていません。シリコンMOSFETは、パワー・エレクトロニクスの理論上の限界に達しており、基板スペースが限られているため、パワー・システムの設計者は代替品を必要としています。窒化ガリウム（GaN）は、高電子移動度トランジスタ（HEMT）半導体であり、新たに出現したアプリケーションに真の付加価値を提供しています。

米EETimes誌
2020年8月
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窒化ガリウムは、内燃エンジンから電気自動車やスマート・カーへの移行を支援しています。

米Power Systems Design誌
2020年7月／8月号
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この最初のエピソードでは、ゲストはEfficient Power Conversion Corp.のCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）と、米NexGen Power Systemsの共同CEOであるDinesh Ramanathan氏です。EPCとNexGenはいずれも、窒化ガリウム技術とGaNパワー・デバイスに関する専門知識を持っています。米EETimes誌は、技術とGaNパワー・デバイスの市場の両方について語っています。

米EETimes誌
2020年8月
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窒化ガリウム（GaN）のパワー・デバイスは2010年3月から量産されており、優れたフィールド信頼性の記録を樹立しています。GaNパワー・デバイスを大量に使う自動車アプリケーションは、自動運転車向けLidar（光による検出と距離の測定）です。Lidar技術は、車両の周囲に関する情報を提供するため、安全性と性能を確保するには高い精度と信頼性が必要です。この記事では、Lidarの特定のユース・ケースに対する車載用電子部品信頼性の標準化団体であるAECの認定要件を超えてeGaNデバイスをテストするために、Efficient Power Conversion（EPC）が開発した新しいテスト・メカニズムについて説明します。

ベルギーのeeNews Europe誌
2020年7月30日
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人生の現実と同じように、高齢者がより若い人たちの中心ステージを去るときのように、シリコンがお辞儀をします。古くて信頼性の高いシリコンは徐々に引退し、窒化ガリウム（GaN）の登場と採用によって引き継がれてきています。40年以上にわたって、パワーMOSFETの構造、技術、および回路構成の革新が増大する電力ニーズに対応していたため、パワー・マネージメント（電源管理）の効率とコストは着実に改善されてきました。しかし、新しいミレニアムでは、シリコンのパワーMOSFETが理論上の限界に近づくにつれて、改善率は劇的に鈍化しました。同時に、新しい材料であるGaNは、老朽化したシリコンMOSFETの6000倍、現在市場に出ている最高のGaN製品の300倍という理論的な性能限界に向けて着実にその旅を続けて進化しています。

米オンライン・ニュースEEWeb
2020年7月16日
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D級オーディオに関する米オンライン・ニュースEEWorldの「バーチャル・ラウンドテーブル」のこのパート2では、パネリストが窒化ガリウム（GaN）の出現がD級の設計に及ぼす影響について詳しく説明します：シリコン・デバイスはまだ支配的なところはどこですか？　D級アンプでGaNを使うことの性能上の利点は何ですか？　D級アンプにおいて、GaNとシリコンの予想される将来のトレンドは何ですか？　このバーチャル・ラウンドテーブルの参加者は、米アナログ・デバイセズのオーディオ・システム・アーキテクトJoshua LeMaire（JL）、Efficient Power Conversion のストラテジック・テクニカル・セールス部門バイス・プレジデントSteve Colino（SC）、独インフィニオン テクノロジーズのD級オーディオのアプリケーション・エンジニアリングの責任者Jens Tybo Jensen（JTJ）です。

米オンライン・ニュースEEWorld Online
2020年7月
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GaNパワー・トランジスタは、極めて厳しい宇宙ミッションをサポートするためのパワーやRFの用途に対して理想的な選択肢です。米EPC Space社は、新しいeGaN^®ソリューションによって宇宙の商用衛星の厳しい用途向けに特別に設計されたデバイスに対して、耐放射線特性やSEE（シングル・イベント効果）の耐性を保証します。これらのデバイスは、非常に高い電子移動度と、非常に低いオン抵抗R_DS(on)値と共に小さい温度係数を備えています。

米EETimes誌
2020年7月
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GaN FETを使った大出力1/16ブリック・コンバータは、これらの設計で最大負荷電流を増加させる可能性があります。

英Electronics Specifier誌
2020年7月
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エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）技術は、これまで実現できなかった高周波、高効率、高電力密度で動作する宇宙での新世代のパワー・コンバータを可能にします。 eGaNデバイスは、シリコンMOSFETと比べて、優れた耐放射線性も示します。

独Bodo’s Power Systems
2020年6月
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これらのチップが根付いている理由と、まだ対処する必要があるもの。窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC）のパワー・デバイスのサプライヤは、いくつかの新しい印象的な仕様で製品の次の波を広げています。しかし、これらのデバイスがシステムに組み込まれる前に、それらが信頼できることを証明する必要があります。

米Semiconductor Engineering
2020年6月
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40年以上にわたって、パワーMOSFETの構造、技術、回路構成の革新が電力に対する拡大するニーズに対応していたため、パワー・マネージメント（電源管理）の効率とコストは着実に向上しています。しかし、新しいミレニアムでは、シリコンのパワーMOSFETが理論上の限界に近づくにつれて、改善率は劇的に鈍化しています。同時に、新しい材料である窒化ガリウム（GaN）は、成熟したシリコンMOSFETの6000倍、現在市場に出ている最高のGaN製品の300倍の理論的性能限界に向けた旅を着実に進めています。

米EE Times誌
2020年6月
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過去10年間で、コンピュータ、ディスプレイ、スマートフォン、および、その他の民生用電子機器システムは、より薄くなると同時に、より大電力にもなりました。結果として、これらの市場は、より大きな電力密度を備えたより薄型の電源ソリューションに対する需要を拡大し続けています。この記事では、さまざまな非絶縁型DC-DC降圧構成を、48 V〜20 V、250 Wの超薄型電源ソリューションに採用することの実現可能性について検討します。

米How2Power誌
2020年5月
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ブラシレスDC（BLDC）モーターは人気のある選択肢であり、ロボット、ドローン、電動自転車、電動スクータでの用途で広がっています。これらの用途はすべて、サイズ、重さ、コスト、効率に特に敏感です。モノリシック集積化されたGaNパワー段は、スイッチング損失が低く、サイズと重さが大幅に削減された400 W対応のBLDCモーターに電力を供給できることが実証されています。

英Power Electronics Europe誌
2020年5月
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性能とコストの改善だけでなく、電力変換市場に影響を与えるGaN技術の最も重要なチャンスは、同じ基板上に複数のデバイスを集積化できる本質的な能力にあります。標準のシリコンIC技術とは対照的に、GaN技術を使うと、設計者は、モノリシック・パワー・システムを、より簡単でコスト効率の高い方法でワン・チップに集積できます。

独Bodo’s Power Systems
2020年5月
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このストーリーの13ページ目から始まります。EPCはAPEC向けの最新のGaN開発についてDavid Morrisonと話しました。EPCのCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、自社の新しいパワー段IC、マルチレベル構成を採用したGaNベースのリファレンス・デザインの開発、および、元々、APEC向けだったさまざまなデモについて説明しました。

米How2Power Today誌
2020年4月
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3年前、中耐圧のeGaN FETの製造コストは、同等の定格のパワーMOSFETのコストを下回りました。当時、EPCはeGaN FETの性能とコスト上の利点を利用して、入力または出力の電圧が約48 Vのアプリケーションを積極的に追求することにしました。具体的には、自動車やコンピュータのアプリケーションでは、パワー・システムにおいて、48 V変換が新しいアーキテクチャ、新しい標準になりつつあります。

米Power Systems Design誌
2020年3月31日
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