ビデオ：Alex Lidow（アレックス・リドウ）が、PCIMの会議で紹介したパワー・エレクトロニクスの最新動向、GaN技術の進化、持続可能性とエネルギー・コストへの影響について説明します。技術面および規制面のハードルを克服するための洞察を紹介し、パワー・エレクトロニクス市場を形成する将来のイノベーションを予測します。

米Power Electronics News誌
2024年6月
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次世代のロボット、ドローン、電動工具などのバッテリー駆動のアプリケーションでは、スペースの削減と電気モーターを制御するための設計が求められています。大きさと部品を最適化することで、効率と性能を損なうことなく、小さなスペースに多くの機能を組み込んだ革新的なソリューションを実現できます。EPCのePower™ Stage IC技術は、高度なモーター制御用途におけるインバータ設計の単純化と改善に役立ちます。

独Bodo’s Power Systems
2024年6月
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当社の従業員は全員無事であり、当社の施設は徹底的に検査され、引き続き操業しても安全であると判断されました。

生産は中断されていません。当社のサプライチェーンも同様に査定され、混乱は発生していません。

ご質問やご不明な点がございましたら、お気軽にお近くの担当者までお問い合わせください。EPCのセールス担当

パワー半導体は、イーモビリティの多くの分野で使われており、電圧と電流の要件に応じて車両の各部分に適したさまざまな技術が使われると同時に、新しい技術によって、システムの小型化が可能になっています。GaNやSiCの技術が成熟し、価格が低下するにつれて採用が増えており、この技術は、イーモビリティのパワー・トレインや電源システムの設計と開発をますます支配的になっています。

英E-Mobility Engineering誌
2024年3月
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窒化ガリウム（GaN）FETは、パワー・エレクトロニクス業界に革命をもたらし、従来のシリコンMOSFETと比べて、小型サイズ、高速スイッチング、高効率、低コストなどの利点を提供します。ただし、GaN技術の急速な進化は、GaN専用のゲート・ドライバとコントローラの開発を上回る場合があります。したがって、回路設計者は、シリコンMOSFET向けに設計された汎用ゲート・ドライバを利用することが多く、最適な性能を確保するためにさまざまな要素を慎重に検討する必要があります。

独Bodo’s Power Systems
2024年2月
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EPCのCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）を招いたPowerUP のこのエピソードでは、特にモーター制御とLidar（光による検出と距離の測定）の各システムに焦点を当て、広範なアプリケーションにわたるGaN技術の革命的な影響について詳しく調べます。

米Power Electronics News誌
2024年2月
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現代の農業技術は、低電圧バッテリー駆動の航空機である無人航空機（UAV）ドローンの統合によって革命をもたらしています。小型ドローンは、地形図の作成や植生の監視に利用され、より大型で丈夫なドローンは、肥料や殺虫剤の散布や分配、最大積載量50 kgの種子や飼料の散布などの作業に使われています。GaNベースのインバータは、正弦波励起による高いPWM（パルス幅変調）周波数のおかげで、モーターの効率を改善してバッテリー寿命を延ばすため、UAV農業用ドローンに適していることが証明されています。効率の考察に加えて、PWM周波数を高くすることは、直流リンクの寸法の短縮に貢献し、それによって軽量航空機に不可欠なインバータのサイズと重さを削減できます。

独Bodo’s Power Systems
2023年12月
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窒化ガリウム・ベースの高電子移動度トランジスタ（HEMT）は、従来のシリコン・ベースのコンバータに比べて、材料とデバイスの利点が多いため、民生用と産業用の両方の電力変換に広く採用されています。GaNによって実現されるはるかに高いスイッチング周波数での電力変換効率の改善は、システム・コストの削減と電力密度の向上につながります。電力密度が増加するにつれて、放熱解析と熱モデリングが非常に重要になります。この記事では、Efficient Power Conversion（EPC）によって公開されたサーマル・カリキュレータ・ツールを調査します。EPCは、エンハンスメント・モードGaN HEMTと、多くのコンバータのビルディング・ブロックを形成するハーフブリッジなどの集積化した電力変換回路を製造しています。

米Power Electronics News誌
2023年11月
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宇宙探査では常に、最先端の技術、信頼性、回復力が求められてきました。パワー・エレクトロニクスにおける最新のブレークスルーである窒化ガリウム（GaN）技術は、従来のシリコンMOSFETと比べて、優れた耐放射線性と比類のない電気的性能を提供する宇宙ベースのシステムのゲーム・チェンジャとして登場しました。この記事では、GaNパワー・デバイスが宇宙での電力変換用途にとって究極の選択肢である理由と、GaNパワー・デバイスが放射線に対する耐性によって、どのように宇宙ミッション向けの非常に強靭なソリューションとなるのかを詳しく掘り下げます。

英Components in Electronics誌
2023年10月
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LLC共振コンバータは、その高効率、高電力密度、優れた動的応答によって、中間の48 V から12 Vへの変換に推奨される回路構成として浮上しています。この回路構成とGaNトランジスタの組み合わせから得られる優れた性能は、これまでに実証されています。この記事では、EPCの製品などの最新世代のGaNデバイスが、どのように限界を一段と押し広げ続けているかを紹介します。

独Bodo’s Power Systems
2023年11月
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宇宙産業は、ユビキタス接続に対する需要の高まりと、革新的なビジネス・モデルの出現によって牽引され、「新しい宇宙」への変革的な移行を経験しています。この変革の重要な要素の1つは、宇宙用途における窒化ガリウム（GaN）技術の採用です。GaNは、その優れた耐放射線性、高いシステム効率、軽量という特性によって、計り知れない可能性を秘めています。

EETimes Europe誌との対談の中で、仏Yole Groupの一部であるYole Intelligenceの技術および市場のアナリストであるTaha Ayari氏とAymen Ghorbel氏は、新しい宇宙、すなわち典型的な衛星の寿命が3年から5年の低い信頼性要件の地球低軌道（LEO：low Earth orbit）ミッション・セグメントが、どのようにGaN採用の焦点になるかを説明しました。この結果、パワーGaNデバイスは、DC/DCコンバータ、POL（負荷点）システム、モーター駆動、イオン・エンジンなどのさまざまな衛星システムに採用されています。

EE Times Europe誌
2023年10月
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パワー・マネージメント（電源管理）の広範なアプリケーションにおいて、窒化ガリウムの採用に影響を与える要因は何ですか？　この記事では、EPCが量産してきた過去13年間に訪問したユーザーからのフィードバックを調査します。

米Power Electronics News誌
2023年10月
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フォークリフト、手動ハンドラ、自動倉庫車両などのバッテリー駆動の産業車両には、電気モーターを駆動するために大電流インバータが必要です。窒化ガリウム技術は、これらのアプリケーションにおける電力能力を向上させ、インバータ設計を簡素化することに貢献します。

独Bodo’s Power Systems
2023年10月
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Efficient Power Conversion（EPC）は、地政学的課題や化合物半導体分野の状況の変化にもかかわらず、GaNについて楽観的です。

台湾のDIGITIMES紙
2023年9月
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窒化ガリウム（GaN）半導体の会社Efficient Power Conversion（EPC）は、パワー部品の分野に新たな挑戦をし、長年にわたるシリコンの覇権に挑戦しています。

台湾のDIGITIMES紙
2023年9月
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GaNを最後のフロンティアに持ち込むため、米EPC Spaceは、宇宙ベースのアプリケーションにおける大電流スイッチング向けに2種類の新しい耐放射線GaNトランジスタを製品化しました。商用衛星の数が増え続けるにつれて、設計者は、電流処理が改善された宇宙対応パワー・エレクトロニクスのためのより多くのオプションを必要としています。

米オンライン・サイトAll About Circuits
2023年9月
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15 V～350 Vの範囲の窒化ガリウム（GaN）ヘテロ接合電界効果パワー・トランジスタは、電力変換、モーター駆動、Lidar（光による検出と距離の測定）用パルス光などの用途において、効率、サイズ、速度、コストで、シリコンに比べて大きな利点をもたらすことが示されています。GaNの集積化によって、多くの高周波用途に多くのシステム上の利点がもたらされます。GaNの集積化は、まだ始まったばかりですが、時間の経過と共にその利点は確実に拡大します。

独Bodo’s Power Systems
2023年9月
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より多くの処理電力で、より複雑な負荷が、軌道上または深宇宙ミッションに配置されると、場合によっては、2つ以上のパワー・スイッチを並列にする必要があります。 ただし、FSMD-A/B/C/Dなどの従来のパワー・デバイス・パッケージと、そのI/Oパッドの準備では、性能を意識した方法で、これらのデバイスの並列接続を実現することが困難です。これらのパッケージ上のゲートとソースの検出パッドは、並列接続されると、ドレインとソースの接続、またはゲートとソースの検出パッドのパッケージ間での最も高効率／最短の相互接続を阻害することになります。したがって、並列構成では、最適化されたドレイン-ソース間負荷回路の性能とゲート-ソース間の検出駆動ループの性能の間には常に妥協点が存在します。この記事では、FSMD-GディスクリートHEMTパッケージを紹介し、GaN HEMTを並列接続するときに、I/Oパッドの再構成によって、これらの制限をどのように克服するかについて説明します。

米How2Power誌
2023年9月
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米EPC Spaceは、宇宙搭載パワー・コンバータやその他の過酷な環境向けに放射線耐性のある窒化ガリウム・デバイスを製品化しました。

英Electronics Weekly紙
2023年8月
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