最近まで、D級オーディオに利用できるトランジスタは、パワーMOSFETだけでした。MOSFETのスイッチング特性は、D級アンプの直線性を非常に劣化させます。さらに、全高調波歪みや雑音を低減するために、フィードバック・ループの利得を高くしなければなりません。このフィードバックによって古い音が存在し続けることになり、豊かさと微妙な音色が失われる原因になります。加えて、過大な電力消費は、MOSFETベースのD級アンプのスイッチング周波数を制限します。窒化ガリウムのD級アンプは、直線性が優れているので非常にきれいな波形であり、小さなフィードバックと豊かなサウンドを実現できます。窒化ガリウム・トランジスタは、MOSFETに比べて、はるかに消費電力が小さいのでスイッチング周波数を高くすることができ、より高い分解能、より小型化が実現でき、より安価なフィルタ部品を利用できます。 窒化ガリウム・ベースのD級オーディオ・アンプは、より小型なシステムで、より豊かなサウンドを提供します。

Efficient Power Conversion（EPC）社は、受信機器で使われる任意の規格に対応できる高効率でマルチモードのワイヤレス・パワー充電システム向けにeGaN FETとICを利用するための評価プロセスを単純化するため、完全な実証としてマルチモードのワイヤレス・パワー充電キットEPC9121を素早く利用する方法を説明します。

eGaN^®FETとICの優れた特性によって、受信機器に使われるワイヤレス・パワー規格にかかわらず、機器を無線で充電することができる低コストで単一の送信アンプ・ソリューションを実現できます。

PCIM Asia 2016におけるエンジニアによる最新デモ・キットEPC9121のビデオを見る、および関連インタビュー

窒化ガリウムIC：サーバーの電力効率を向上 ―― 無駄な電力、冷却、スペースを削減することは、データセンターのサイズに対する関心事だけにとどまりません。各ラックの範囲内での争いでもあります。そして、ときに、1つの小さな変化でも、大きな違いを生むことがあります。

米TechBeacon
2016年8月2日
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GaNベースのFETは、電力変換市場を破壊し、シリコン・ベースの金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を置き換え続けています。MOSFETに比べて、GaN FETは、はるかに高速に動作し、可能な限り小さな体積で、より高いスイッチング速度を実現できます。GaNの可能性は、任意の電源のサイズと重さを劇的に削減できることです。その潜在性能を引き出すためには、この高性能GaNトランジスタに最適化されたゲート・ドライバが必要です。

米Peregrine Semiconductor社
2016年７月12日
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このシリーズの最初の2回では、Efficient Power Conversion（EPC）社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）FETと集積回路（IC）のフィールドにおける信頼性の実績を詳細に報告しました。ストレスに基づく品質試験で、顧客のアプリケーションにおける信頼性を確保することが可能であり、eGaNデバイスの優れたフィールド信頼性が実証されています。この回では、製品を品質認定する前に、EPC社のデバイスに実施されるストレス・テストを検討します。

米Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年７月9日
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シリコン・バレーという名称の元になった原料に、有望な新しいライバルが立ちはだかっています―― 窒化ガリウム（GaN）。この新参者は、300億米ドルの半導体電源市場に突入する用意が整っていると言われています。米アップル社（AAPL）のiPhoneの充電器からテスラモーターズ社（TSLA）の高級電気自動車に至るまで「壁にプラグを差し込まない」という市場です。

米Investor's Business Daily紙
2016年7月
July 2016
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火曜日、私は、米国カリフォルニア州エルセグンドの半導体企業EPC社の創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）と対談するという幸運に恵まれました。彼は、半導体の世界では、ちょっとした有名人です。Lidowは、1977年に、半導体売上高の何10億米ドルの基礎となったデバイス「パワーMOSFET」を思い付きました。

彼の新会社は、「Efficient Power Conversion」の頭文字をとった名称で、MOSFETの基礎となり、半導体の最も一般的な種類であるシリコンに対して、それと異なる材料である窒化ガリウム、一般的にGaNと略記されますが、これで置き換えを狙っています。Lidowは、同社が新たに改良したGaNを「eGaN」と呼んでいます。

米バロンズ紙
Tiernan Ray
2016年6月29日
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ハードスイッチ、ソフトスイッチ、高周波といった電力変換など、さまざまなアプリケーションにおいて、eGaN FETとシリコンMOSFETとの比較がいくつか実施されています。これらの比較は、シリコンMOSFETを上回る高効率と高電力密度が得られるというeGaN FETの優位性を示しています。ここでは、同期整流器（SR）のアプリケーションへのeGaN FETの利用、およびデッドタイム管理の重要性に焦点を当てます。eGaN FETは、低オン抵抗RDS(on)で低電荷というメリットだけでなく、同期整流器におけるデッドタイムによる損失を劇的に低減できることを示します。

米Power Systems Design誌
By: John Glaser博士、David Reusch博士、Efficient Power Conversion
2016年6月13日
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米国マサチューセッツ州アンドーバー発：米レイセオン社のIntegrated Air Defense Centerの正面玄関に非常に大きなマイクロ波電子機器があり、これが電子レンジの元祖として使われたことを思い出します。レイセオン社のエンジニアは、同社が開発していたレーダー・システムで使われたマグネトロンの近くに立っていたとき、彼のキャンディー・バーが溶けてしまうことを発見しました。その後、今日、どの家庭のキッチンにもある機器が発明されました。ほぼ冷蔵庫サイズの電子レンジの元祖は、金属の暖炉の内に置かれたものは何でも、とてもよく調理できたように見えます。これは、マグネトロンからのマイクロ波を包むように意図されました。

米Ars Technica
2016年6月9日
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この半導体チップの巨人の幹部たちは、この企業がパソコンから離れて旋回するように、AirFuelアライアンスを去ろうとしていますが、米WiTricity社は、コンピュータ関連の展示会Computexで無線充電マットを使う米デル社のノート・パソコンを披露しました。

米ZDNet
Sean Portnoy
2016年6月8日
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この3年間、米インテル社は、新しいパソコンが完全に無線化されるのは確実として、次の大きな購買サイクルのパソコン需要に向けてかき立てられています。インテル社のシニアPC幹部であるKirk Skaugen氏は、「私たちは、たくさんの電線を持ち歩いています。電話、タブレット、パソコンに対して6本のケーブルを持ち歩いています。これらのすべてのケーブルを排除したい」とコンピュータ関連の展示会Computex Taipei 2015で語りました。

米Forbes誌
Elise Ackerman
2016年6月6日
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より高い電力密度を要求するパワー・コンバータでは、トランジスタは、永遠に削減され続けている基板スペースに収容されなければなりません。電気的な効率を改善するための窒化ガリウム・ベースのパワー・トランジスタの能力に加えて、熱的な効率もより高めなければなりません。この記事では、チップスケール・パッケージ封止のeGaN^® FETの熱特性を評価し、回路内での電気的および熱的特性を最先端のシリコンMOSFETと比較します。

Bodo’s Power Systems誌
David Reusch博士、Alex Lidow博士
2016年6月1日
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カリフォルニア州ミルピタス発のPRNewswire：革新的なパワー・マネージメント（電源管理）と高精度アナログ・ソリューションのリーディング・プロバイダである米インターシル社（NASDAQ：ISIL）は本日、衛星や他の過酷な環境のアプリケーション向けに、窒化ガリウム（GaN）の電力変換ICを含めた市場をリードする耐放射線ポートフォリオを拡張する計画を発表しました。

米PR Newswire誌
2016年5月25日
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スマートなウエアラブルやノート・パソコンからハンドヘルド・ツールや電気自動車まで――すべての電子製品を改善するための1番の障壁は、充電池技術です。現在の最先端の充電池であるリチウムイオンは、25年前から出回っています。ハイテクが進んでいますが、これは、かなり古いものです。何か新しいものが出てくる時期だと思いませんか？

米Fortune誌
Steve Tobak
2016年5月13日
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Efficient Power Conversion（EPC）社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）のFETと集積回路（IC）は、LiDAR（光による検出と距離の測定）、無線充電、DC-DC変換、RF基地局の送信、衛星システム、オーディオ・アンプなどの多くの最終ユーザーのアプリケーションへの道筋を見つけています。

フィールドの信頼性は、顧客のアプリケーションに採用されているeGaN^® FETとICの品質レベルを裏付ける究極の評価基準です。最初の採用については、量産出荷の6年間、および全体で170億デバイス時間以上の記録を含めて、eGaN FETのフィールド信頼性の概要を公表しました。その後の計算された故障件数（FIT：109時間の故障数）が約0.24 FITだったことは、これまでの優れたフィールド信頼性特性を示しています。

米Plant Analog誌
Chris Jakubiec
2016年5月1日
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クロード・シャノンが1と0、すなわち基本的な2進数に情報の伝達を削減し、1948年に『通信の数学的理論』を書いたとき、すべてが始まりました。その理論は、現実世界の雑音に満ちた環境で誤りなしにデータを伝送する能力につながりました。シャノンは、2016年4月30日に100歳になっていたでしょう。

米EDN Network誌
Steve Taranovich
2016年4月16日
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WiGaNのこの記事では、6.78 MHz、疎結合の共振ワイヤレス・パワーのアプリケーション向けの差動モードE級アンプを紹介します。ここでは、実装面積が小さく（0.9 mm×0.9 mm）、論理ゲートを直接駆動できるeGaN® FET（EPC2037）を使っています。このアンプは、AirFuel™クラス2と互換性があり、インピーダンス範囲70jΩにわたって最大6.5 Wまでの負荷電力を供給可能です。

米EEWeb誌のWireless & RF Magazine
Yuanzhe Zhang博士、アプリケーション・エンジニアリング部門ディレクタ
Michael de Rooij博士、アプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント
2016年4月12日
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この短いビデオで、EPC社のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、GaN FETが、ドローンなどのさまざまな輸送機関の無線充電を可能にする理由を説明します。GaN FETを用いた無線充電回路は、通常のシリコンFETでは実現できないスイッチング周波数である13.56 MHzで動作します。しかも、利用したGaNトランジスタは、同じ電力レベルを扱うことができるシリコン・デバイスの大きさと比べて1/5〜1/10と小型です。

米Design World誌
2016年4月11日
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この短いビデオで、EPC社のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、GaN FETがLidar （光による検出と距離の測定）の解像度を数インチ（1インチは2.54cm）まで高めることができる回路を構成できる理由を説明します。同じ役目を果たす従来のシリコンFETは、わずか数フィート（１フィートは30.48cm）の解像度を得ることしかできないでしょう。この秘密は、GaN FETによって、超高速の立ち上がり／降下時間を実現できるからです。

米Design World誌
2016年4月11日
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シリコン――半導体の主原料でありエレクトロニクス産業を支える原動力は――その限界に達してきている、とEfficient Power Conversion社のCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は語っています。ロサンゼルスに本社を置く同社は、半導体の能力の向上によって、4000億米ドル（2770億ポンド）のシリコン産業を獲得するために、窒化ガリウム（GaN）の潜在能力を研究しています。「低コストで、しかもシリコンよりも高い性能を備えた半導体は、これが初めてです」とLidowは述べています。

英Wired Magazine誌
Emma Bryce
2016年3月31日
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