電力のコストは、社会経済的活力のキー・ドライバであり、私たちの生活の質を改善し、新しいアプリケーションや産業を推進することができます。GaN（窒化ガリウム）は、伝統はありますが、成熟したシリコン・ソリューションを置き換える技術として出現し、もっと、もっと効率的に電力を使いたいという私たちの需要に応え続けることができます。

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拡大する産業が活況を呈している場合、通常、買収や統合のレースは、一般的に反対側の反映です ―― 成熟における緩やかな成長期は、しばしば、いったん高度飛行の領域になります。多くの産業は、スターダムの期間を経験し、急で着実な降下へと続きます。一方で、私たちの社会経済の活力に対する中心的な基幹産業でこれが発生した場合、私たちは非常に懸念すべきです。

米フォーブス誌
2015年6月26日
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窒化ガリウムを活用するための努力は、シリコン・ベースの半導体チップによって改善が遅れていた技術的および経済的な要因に部分的に応えます。企業は、まだシリコンに小さいトランジスタを形成する方法を探っていますが、コストや消費電力の削減を達成することが、ますます難しくなってきています。しかし、窒化ガリウム回路は、オンとオフのスイッチングが、シリコンよりもはるかに高速で、より高い電圧を扱うことができます、とEPC社のCEO （最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。特に、電力変換を伴う仕事には、最適な材料を言えます。

米ウォール・ストリート・ジャーナル誌
2015年6月22日
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電力変換には、さまざまな電気機器を機能させるために、電気をある形態から別の形態に変換する非常に小型のデバイスを生み出す必要があります。今までは、シリコンが、電力変換処理の好ましい媒体となっていましたが、その効果の限界に達するにつれ、新しい材料への関心が高まってきています。

米Los Angeles Business Journal誌
2015年6月21日
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EPC社の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidowが、優れた性能、小型化、高い信頼性、低価格であるeGaN FETの新しいファミリーについて、米Power Systems Design誌のAlix Palutre氏に語りました。この内容は、シリコンMOSFETの代替品として、GaNトランジスタが普及するための最後の壁が崩壊していることます。

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米Power Systems Design誌
2015年4月29日

ムーアの予測は、自己達成的予言となりました。チップの計算能力は、24カ月ごとに2倍になっただけでなく、24カ月ごとに2倍にならなければならなくなり、ハイテク産業、そして経済全体は、悲惨な結末に苦しみ、イノベーションと経済の発展を抑圧しています。

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米re/code誌
Alex Lidow
2015年4月17日

チップの進歩は、次々と起こる技術革新の原動力となっています――パソコン、インターネット、スマートフォン、スマートウォッチ、そして、すぐに自動運転車。III-V族の材料に未来を賭けている1つの企業がEfficient Power Conversion社で、最高経営責任者（CEO）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が率いる34人のスタートアップ企業です。EPC社は、すでに窒化ガリウム（GaN）で作ったIII-V族の層を組み込んだデバイスからの収益で安定に成長しています。2016年か2017年には、コンピュータ・プロセッサで思考を行う論理回路として動作するように、窒化ガリウムの製造プロセスを対応させようとしています。窒化ガリウムの電気的特性のため、従来のシリコンを超えて、「すぐに、何1000倍もの潜在的な改善を実現できます」とも語っています。

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米CNET.com誌
2015年4月17日

米VentureBeat誌のDean Takahashi氏がAlex Lidow（アレックス・リドウ）を紹介：シリコン・チップは、現代のエレクトロニクスの基盤として数10年の長きにわたって利用されています。しかし、化合物材料の窒化ガリウム（GaN）に基づく新しい種類のチップは、高性能、低消費電力、低コストなので、シリコンの座を奪うとみられています。

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米VentureBeat誌
2015年4月2日

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）トランジスタは、5年以上も前から市販されています。市販のGaN FETは、最先端のシリコン・ベースのパワーMOSFETよりも、より高性能でより低コストになるように設計されています。この成果は、あらゆる技術が、性能とコストの両方に関してシリコンと対抗してきた60年の歴史で初めてのことであり、これは、尊敬に値するが成熟しているパワーMOSFETの究極の置き換えとなる兆しです。

米EDN誌
Alex Lidow
2015年2月18日

60年ぶりに出現した新しい高性能の半導体技術は、対抗するシリコンよりも安価に製造することができます。窒化ガリウム（GaN）は、トランジスタ性能の飛躍的な向上と、シリコンよりも低コストで製造できることの両方が実証されています。GaNトランジスタは、従来のいかなるトランジスタよりも、高電圧、大電流を高速にスイッチングできる能力によって、新しいアプリケーションへの束縛を解き放ちます。この並はずれた特性は、未来を変えることができる新しいアプリケーションを牽引しています。これは、ほんの始まりにすぎません。

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米EDN誌
By: Alex Lidow
2015年1月

米市場調査会社The Information Networkによると、SiCとGaNのパワー半導体市場は、2011年と2017年の間に年平均成長率（CAGR）63％で成長し、約5億米ドルに達すると予想されています。

米Compound Semiconductor誌
2014年10月
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ワイド・バンドギャップの窒化ガリウム・オン・シリコン（GaNオンSi）トランジスタは現在、一般に入手できることについての長い話。彼らは、シリコン・ベースのMOSFETを置き換えるためにしつこく売り込んでいます。これは、多くの高性能電源の設計にとって、非効率性からの脱出となります。最近では、GaNオンSiベースのHEMTやFETのいくつかのサプライヤが市場に出現し、その中にEfficient Power Conversion（EPC）社があります。電源設計がシリコンMOSFETからeGAN FETに移行するためのeGAN FETの評価を円滑に行うために、EPC社は、ここ数年の間にいくつかの開発基板を製品化しました。

By Ashok Bindra
Digi-Key Article Library
2014年7月15日
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実用化に近い高耐圧GaNデバイスで、メーカーは、最後に、巨大市場への成長を期待できます。

米Compound Semiconductor誌
2014年7月
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全体的にみると、2020年のデバイス市場規模は6億米ドルと推定され、約58万枚×6インチ・ウエハーに換算されます。急増の理由は、2016年が非常に印象的なスタートとなり、電気自動車（EV）／ハイブリッド車（HEV）が2018年～2019年にGaNを採用し始めるというシナリオに基づいて、2020年までの年平均成長率（CAGR）を80％と推定しています。電源／PFC部門が2015年から2018年までのビジネスの主流で、最終的には、デバイス売上高の50％を占めます。その後、自動車が追いつくでしょう。

市場調査会社の仏Yole Développement社
2014年6月
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窒化ガリウム（GaN）ベースのパワー・デバイスは、シリコン・パワー・デバイスの能力を超える周波数とスイッチング速度で動作可能なので急速に採用されてきています。

英Power Electronics Europe誌
By：Alex Lidow博士、Johan Strydom博士、David Reusch博士
2014年6月

数1000億米ドルが、シリコン技術のサプライチェーンを信じられないほど効率的にするために費やされています。新たに出現した高性能GaNトランジスタは、シリコン・ベースの生産のこの巨大な整備された基盤に対して、いかに競合できるか。簡単です。GaNトランジスタの生産は、整備されたシリコン・サプライチェーンを活用できます！　そして、著しくのGaNトランジスタのコストを下げられます。

米Power Systems Design誌
By Alex Lidow博士
2014年5月27日

シリコンは、電力変換特性の理論的限界に達しています。窒化ガリウム（GaN）や炭化シリコン（SiC）は、シリコン・パワーMOSFETの120億米ドル市場のほとんどを置き換えます。シリコンの理論的限界よりも5〜10倍優れている製品が今日、生産されています。

Bodo’s Power Systems誌
By Alex Lidow博士
2014年5月

以下のメーカーによって発表された新製品の調査：米テキサス・インスツルメンツ社、米アナログ・デバイセズ社、米リニアテクノロジー社、米マキシム・インテグレーテッド社、米インターシル社、米フェアチャイルド社、EPC社、米IR社。Don Tuite氏が共通要素を見つける：これら企業の製品は、顧客のために困難な仕事を行っている。

米Electronic Design誌
Don Tuite
2014年1月6日