GaN（窒化ガリウム） FETは、従来のシリコン半導体に比べて、優れた信頼性を備え、パワー・エレクトロニクスに革命をもたらしています。パワー・エレクトロニクスの展示会PCIM Europe 2025で発表されたこのビデオでは、EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、電力変換用途におけるGaN技術の基本的な利点について説明します。シリコンが故障するのに対し、GaNデバイスが300℃で動作できる理由、GaN FETにはスピリト効果がないこと、そしてこれらのワイド・バンドギャップ半導体が宇宙用途における放射線耐性をどのように実現しているかをご覧ください。

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GaN（窒化ガリウム）技術の継続的な成熟化に伴い、その用途は、従来シリコンMOSFETが主流だった低電圧領域へと拡大しています。この記事では、GaNの優れた効率、スイッチング損失の低減、そして小型な形状が、民生用電子機器、車載システム、エッジ・コンピューティングにおける電力変換をどのように変革し、低電圧電源設計における新たなイノベーションの時代を切り開いているのかを探ります。

英オンライン・ニュースComponents in Electronics
2025年6月
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この論説記事では、Alfred Vollmer氏が、従来のシリコンMOSFETからワイド・バンドギャップ（WBG：wide bandgap）半導体、特に窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）への移行の加速について考察しています。GaNデバイスは、かつてはシリコンMOSFETの独占領域だった領域をどんどん開拓しつつあります。

独Bodo’s Power Systems
2025年6月
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現代の電力システムは、小型化の制約を守りながら、高効率、高電力密度、電磁干渉（EMI）雑音の低減が求められています。これらの課題に対処するコンバータ構成の中でも、フライング・コンデンサ・マルチレベル（FCML）・コンバータは、固有の利点で際立っています。FCMLコンバータは、窒化ガリウム（GaN）のパワー・トランジスタと組み合わせることで、特に48 Vのデータセンターの電力供給、バッテリー管理システム、高効率力率改善（PFC）回路などの中程度の電圧の用途において、比類のないレベルの性能を提供します。

米Power Systems Design誌
2025年6月
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このシリーズのパート1では、マルチレベルのトーテムポールPFC（力率改善）構成と、それがサーバー用途における電力密度の向上にどのように役立つかについて簡単に説明しました。このパート2では、このソリューションの設計の詳細を深く掘り下げ、交流240 V入力から直流400 V出力までの5 kWのPFCシステムの実験結果を紹介します。

独Bodo’s Power Systems
2025年5月
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次世代GaNプラットフォームは、高密度DC-DCコンバータ技術の飛躍的な進歩を牽引し、従来のシリコン・ベースのソリューションを凌駕する性能向上を実現します。このプレゼンテーションでは、Alex Lidow（アレックス・リドウ）が100 Vと40 VのGaNデバイスの進化を調査し、48 Vから12 Vへの電力変換におけるそれらの役割を紹介します。このセッションでは、GaN技術が電力変換に革命をもたらし、高性能アプリケーションにおけるより小型で高効率、そして低コストのソリューションの基盤を提供していることに焦点を当てます。

展示会PCIMのTechnology Stage
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この記事では、高周波モーター駆動の価値、その利点、そして今日の要求の厳しいアプリケーションに適したGaN技術の能力について説明します。

英Electronics Weekly紙
2025年5月
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今月のHow2Powerニュースレターでは、APEC 2025へのEPCの参加について取り上げます。この展示会で、EPCは、実物大のサーバーの展示と、95.5%以上の効率と5 kW/立方インチ以上の電力密度を実現する48 V入力、12 V出力のLLCリファレンス・デザインを含む、最先端のGaNベースのパワー・コンバータを展示しました。CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、100 W/立方インチを超える小型な5 kWのAC-DC電源も発表し、GaNがサーバー電源アーキテクチャに与える影響を強調しました。ロボット分野では、EPCの人型アンバサダ「Greg」とモーター関節用の小型GaNインバータを展示し、インテリジェント・マシンの世界でGaNが急速に不可欠なものになりつつある理由を示しました。

米オンライン・ニュースレターHow2Power
2025年4月
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小型で信頼性が高く、費用対効果に優れた GaN技術で太陽光発電システムの性能を向上

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）・パワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月10日、太陽光発電（PV）用オプティマイザの最新のリファレンス・デザイン「EPC9178」を製品化したと発表しました。太陽光エネルギー・システムの受動部品点数の削減によって、エネルギー効率と費用対効果の厳しい課題に対処すると同時に、高い信頼性を実現するように設計したEPC9178は、再生可能エネルギーのソリューションに対するGaN技術の変革の可能性を実証しています。

electronica 2024の米DigiKeyのブースで、Caitlin Gittins氏がEPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）と、GaNと非接続型ロボットの未来について対談しました。EPCを紹介し、従来のシリコン・ベースの半導体と比べてGaN独自の利点について説明した後、EPCの特定のGaNソリューションと、ロボットにおけるその応用について探りました。この対談では、人型ロボットの概念に触れ、従来のロボット・アームと対比し、ロボットの未来に関するEPCの見通しについて話しました。自律性と効率性を高めることで、GaNがどのようにロボット業界を進歩させているかを検証し、設計にGaNを採用する開発者に対するEPCの推奨事項について議論しました。この対談は、ロボットと、AI（人口知能）を備えた人型ロボットの進化する需要を満たすためにEPCがどのように自らを位置づけているかで終わります。

オンライン・ニュース配信の英Electronic Specifier
2024年11月
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太陽光発電（PV）システムの採用は増え続けており、メーカーに対する絶え間ないプレッシャによって、信頼性を損なうことなくコストを削減するためのイノベーションと新技術の採用が促進されています。再生可能エネルギー・システムが進化し続ける中、GaN FET などの革新的な技術の利用は、業界全体でコスト、性能、信頼性をさらに向上させる鍵となります。

独Bodo’s Power Systems
2024年11月
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この記事では、業界で広く使われているp-GaN HEMTデバイスのドレインとゲートの過電圧ストレスによる根本原因の故障メカニズムの分析について説明します。結論では、この研究の著者の1人との独占インタビュを紹介します。

米Power Electronics News誌
2024年10月
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高効率と信頼性を実現するように構築されたEPCのGaNベースの電力変換ソリューションのポートフォリオが、PCIM Europeで展示されました。

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米Electronic Design誌
2024年7月

ビデオ：Alex Lidow（アレックス・リドウ）が、PCIMの会議で紹介したパワー・エレクトロニクスの最新動向、GaN技術の進化、持続可能性とエネルギー・コストへの影響について説明します。技術面および規制面のハードルを克服するための洞察を紹介し、パワー・エレクトロニクス市場を形成する将来のイノベーションを予測します。

米Power Electronics News誌
2024年6月
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次世代のロボット、ドローン、電動工具などのバッテリー駆動のアプリケーションでは、スペースの削減と電気モーターを制御するための設計が求められています。大きさと部品を最適化することで、効率と性能を損なうことなく、小さなスペースに多くの機能を組み込んだ革新的なソリューションを実現できます。EPCのePower™ Stage IC技術は、高度なモーター制御用途におけるインバータ設計の単純化と改善に役立ちます。

独Bodo’s Power Systems
2024年6月
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当社の従業員は全員無事であり、当社の施設は徹底的に検査され、引き続き操業しても安全であると判断されました。

生産は中断されていません。当社のサプライチェーンも同様に査定され、混乱は発生していません。

ご質問やご不明な点がございましたら、お気軽にお近くの担当者までお問い合わせください。EPCのセールス担当

パワー半導体は、イーモビリティの多くの分野で使われており、電圧と電流の要件に応じて車両の各部分に適したさまざまな技術が使われると同時に、新しい技術によって、システムの小型化が可能になっています。GaNやSiCの技術が成熟し、価格が低下するにつれて採用が増えており、この技術は、イーモビリティのパワー・トレインや電源システムの設計と開発をますます支配的になっています。

英E-Mobility Engineering誌
2024年3月
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窒化ガリウム（GaN）FETは、パワー・エレクトロニクス業界に革命をもたらし、従来のシリコンMOSFETと比べて、小型サイズ、高速スイッチング、高効率、低コストなどの利点を提供します。ただし、GaN技術の急速な進化は、GaN専用のゲート・ドライバとコントローラの開発を上回る場合があります。したがって、回路設計者は、シリコンMOSFET向けに設計された汎用ゲート・ドライバを利用することが多く、最適な性能を確保するためにさまざまな要素を慎重に検討する必要があります。

独Bodo’s Power Systems
2024年2月
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EPCのCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）を招いたPowerUP のこのエピソードでは、特にモーター制御とLidar（光による検出と距離の測定）の各システムに焦点を当て、広範なアプリケーションにわたるGaN技術の革命的な影響について詳しく調べます。

米Power Electronics News誌
2024年2月
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