EPC技術記事

高効率な48 Vの電力分配向けのGaNを備えた車載用バック/逆ブースト・コンバータ

車載用の48 V電力分配向けの双方向DC-DCコンバータの設計を示し、GaN技術が効率的な電子化を可能にする強力な成功要因であることを示します。自動車産業における電子化の増加傾向によって、自動車メーカーは、費用対効果の高い方法で市場に新しい革命を提供し、ますます厳しくなる排出規制に対応することができます。自動車の主バス電圧を48 Vに上げると、マイルドハイブリッド車のスタート・ストップのモーター/発電機などの電力を大量に消費するシステムや、電動パワー・ステアリング、電動過給機、真空や水のポンプなどの負荷に対応できます。

独Bodo’s Power Systems
2021年12月
記事を読む

高電力密度用途向けのePowerチップ・セット・ファミリーが独Bodo’s Power Systemの「今月の製品」に

EPCは、高密度コンピューティング用途や、イーモビリティ、ロボット、ドローン向けの48 VのBLDCモーター駆動で使われる48 VのDC-DC変換用に設計された100 V、65 Aの集積回路チップ・セットを製品化しました。eGaN ICのEPC23101とeGaN FETのEPC2302は、最大耐圧が100 Vで、最大65 Aの負荷電流を供給でき、スイッチング速度1 MHz以上のePowerチップ・セットを構成します。

独Bodo’s Power Systems
2022年2月
記事を読む

CES 2022:次の未来のためのGaN技術

2021年は、世界がGaNへの扉を開くことを決めた過渡期の年でした。CES週間中の米Power Electronics News誌とのインタビューで、GaN業界のエキスパートたちは、GaNが今、シリコンよりも優れていることを確認しました。

米Power Electronics News誌
2022年1月
記事を読む

モーター制御用途における低電圧GaN FET;問題と利点:総括

モーター制御の分野では、特に低電圧用途でGaNデバイスの利用が増えています。このホワイト・ペーパーでは、モーター制御用途でのGaN FETの最適な利用に関する設計者向けのガイドラインを提供し、その利点を特定し、主な問題について説明します。

スイスのEnergiesジャーナル誌
2021年10月
記事をダウンロードして読む

より小型、より軽量、より滑らかなモーター駆動向けGaNデバイス

今日、ブラシレスDC(BLDC)モーターとしても知られる永久磁石モーターは、広く使われており、他のモーターと比べて、1立方インチ当たりのトルク能力が高く、動力が大きくなっています。これまで、シリコン・ベースのパワー・デバイスがインバータの電子機器で支配的でしたが、今日、それらの性能は理論上の限界に近づいてきています。そこで、より高い電力密度の必要性が高まっています。窒化ガリウム(GaN)のトランジスタとICは、これらのニーズを満たすための最高の特性を備えています。

米Power Systems Design誌
2021年11月
記事を読む

宇宙におけるモーター・ドライバの用途

地球の大気の外側や宇宙が商用開発に開かれるにつれて、モーターは、さまざまな機能向けに、そこに配置されたシステムにとってますます重要になるでしょう。宇宙向けの製造は避けられないため、モーター(ドライバを含む)は、さらに多くの機能を果たします。同様に重要なことは、これらのモーターを高効率かつ高信頼性で駆動するために選択されたモーター・ドライバです。

米ニュースサイトComponents in Electronics
2021年10月
記事を読む

FETのまとめ:eGaN FET、次世代SiC FET、「RibbonFET」が登場

今月は、FETの分野が賑わいました。従来のシリコン・トランジスタとは興味深い点で異なるEPC、米UnitedSiC、米インテルのFETです。

米ニュース・サイトAll About Circuits
2021年10月
記事を読む

パワー・ブリックはGaNで効率が向上

LLC共振コンバータの設計は、eGaN FETが現代の電源回路の物理的サイズを、いかに小型化できるかを示します。

英ニュース・サイト米Power Electronic Tips
2021年10月
記事を読む

バッテリー駆動のモーター駆動用途にGaNインバータを利用する

GaNのトランジスタとICは、モーター駆動用途の電力密度を高めます。最適なレイアウト・アプローチによって、レッグ・シャントまたは同相シャントのいずれかから、リンギングのない出力スイッチング波形と、きれいな電流再構成信号が得られます。

米ニュース・サイトEEPower
2021年10月
記事を読む

GaNを使ったToFレーザー・ドライバのLiDARシステム設計

新しい窒化ガリウム(GaN)のファミリーは、自動運転車や3次元センシング向けの飛行時間(ToF)型アプリケーションを、民生部門や産業部門の全体にわたって供給することを目的としています。EPCのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、米EE Times誌とのインタビューで、LiDARシステム設計用のeToFレーザー・ドライバのファミリーを低コストで導入することが、LiDARアプリケーションに関してMosfetとどのように競合するかに焦点を当てました。

米ニュース・サイトEEWeb
2021年9月
記事を読む

GaNパワー・デバイスのフロンティアを探る

窒化ガリウム(GaN)・パワー半導体は、宇宙用途の過酷な放射線環境における革新を可能にします。

英Electronics Weekly誌
2021年9月
記事を読む

超薄型コンピューティング用途向けの48 Vの超薄型、高電力密度DC-DCコンバータの電力と磁気の設計課題への対応

過去10年間で、コンピュータ、ディスプレイ、スマートフォン、その他の民生用電子機器の各システムは、より薄くなり、さらに強力になりました。この結果、市場は、より高い電力密度を備えたより薄い電源ソリューションに対する需要を増やし続けています。この記事では、定格250 Wの超薄型48 V入力、20 V出力に対して、さまざまな非絶縁型DC-DC降圧構成を採用することの実現可能性を検証します。さまざまな非絶縁型構成の長所と短所、および回路構成がコンバータの損失の大部分を占める2つの部品であるパワー・トランジスタと磁気部品、特にコイルの選択に、どのように影響するかを検証します。この記事では、コイルの損失、コイルのサイズ、およびEMI(電磁干渉)雑音への影響を含む設計のトレードオフを決める要因の調査など、これらの用途向けの薄いコイルを設計するときの課題の詳細な分析も行います。この作業では、超薄型のマルチレベル・コンバータ構成を選択し、構築し、テストしました。このコンバータから得られた実験結果は、98%を超えるピーク効率をもたらす動作設定と部品選択をさらに洗練するために使いました。

Michael de Rooij、 EPC
Quentin Laidebeur、独ウルト・エレクトロニクス

IEEE Power Electronics Magazine誌
2021年9月
(申し込みが必要です)
記事を読む

eGaN FETを搭載した高効率、高密度で1 kWの1/8ブリック・サイズLLC共振コンバータ

データ処理インフラの継続的で急速な成長に伴い、より高い電力レベルが最小の面積で得られることが求められています。

米Power Systems Design誌
2021年9月
記事を読む

モーターが、GaNによって、より小型、より高速、より高精度になる理由

Bodo Arlt氏は、EPCのCEO(最高経営責任者)で共同創立者であるAlex Lidowにインタビューし、GaNの採用とアプリケーションの増加に伴い、この進化する技術の次の大きな市場であると彼が信じていることについて話し合う機会を得ました。

独Bodo’s Power Systems
2021年9月
記事を読む

独Bodo’s Power Systemsのワイド・バンドギャップ・エキスパート・トーク:GaNセッション

独Bodo’s Power Systemsが主催するGaN業界のエキスパートとのラウンド・テーブル。以下のゲストが参加します:

  1. Alex Lidow(アレックス・リドウ)、Efficient Power ConversionのCEOで共同創立者
  2. Doug Bailey、米パワー・インテグレーションズのマーケティング・アンド・アプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント
  3. Dilder Chowdhury、オランダNexperiaのストラテジック・マーケティング、パワーGaN技術部門ディレクタ
  4. Tom Ribarich、アイルランドNavitas Semiconductorのストラテジック・マーケティング部門シニア・ディレクタ

GaNとSiCの次の波

窒化ガリウム(GaN)と炭化ケイ素(SiC)は、これらの材料の電子を価電子帯から伝導帯にシフトするために必要なエネルギーに基づいて、ワイド・バンドギャップ(WBG)半導体と呼ばれます。SiCは約3.2 eV、GaNは約3.4 eVですが、シリコンでは、わずか1.1 eVです。WBGの特性によって、適用可能なブレークダウン電圧が高くなり、一部のアプリケーションでは最大1700 Vに達することがあります。5月に開催された今年のデジタルのみのPCIMヨーロッパでは、いくつかの企業がGaNとSiCの最新のイノベーションを示し、WBG技術の方向性についての洞察を提供しました。

米EE Times誌の欧州版
2021年7月
記事を読む

新しい放射線耐性FETで米マイクロチップ・テクノロジーとEPCの戦闘放射

宇宙用途の技術は、2021年の重要な部分であり、したがって、放射線耐性のある部品がさらに前面に出てきています。最近、2つの新しいFETが登場しましたが、それらはこの宇宙に何をもたらすのか?

米オンライン・ニュースAll About Circuits
2021年6月
記事を読む

バッテリー駆動のモーター駆動用途向け1.5 kWのGaN インバータ

GaNトランジスタとIC は、モーター駆動用途の電力密度を高められます。最適なレイアウト手法によって、レッグ・シャントや同相シャントのいずれかから、リンギングのない出力スイッチング波形ときれいな電流再構成信号が得られます。

独Bodo’s Power Systems
2021年6月
記事を読む

製品のまとめ:GaNパワー半導体が牽引力を獲得

(Image: Yole)

GaNパワー半導体のメーカーは、パワー・エレクトロニクス機器の展示会PCIM Europeで、100 V~650 Vのデバイスの最新製品を展示しました。PCIM Europeでは、窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)などのワイド・バンドギャップ(WGG)半導体の利点と使用例についていくつかのプレゼンテーションを実施しました。EPC、米GaN Systems、独インフィニオン テクノロジーズ、オランダのNexperia、スイスのSTマイクロエレクトロニクスなどのメーカーは、今週、GaNパワー半導体のいくつかの新しいファミリーを発表しました。

米オンライン・ニュースElectronic Products
2021年5月
記事を読む

極端なGaN:eGaN FETがデータシートの制限をはるかに超える電圧レベルと電流レベルに曝されたときに何が起こるか

最近、Efficient Power Conversion(EPC)は、eGaN® FETをデータシートの制限を超える一連のテストを実施し、さまざまな過大ストレス電圧と過大ストレス電流の影響を定量化しました。この結果はここで初めて公開されます。

独Bodo’s Power Systemss
2021年5月
記事を読む

RSS
First2345791011Last