eGaN® 元件自 2010 年 3 月開始量產，並在實驗室測試和大規模客戶應用中展現出極高的可靠性。
eGaN 元件擁有卓越的實際應用可靠性記錄。
EPC 進行了廣泛的可靠性測試，以進一步理解氮化鎵元件在各種應力條件下的行為。
這些可靠性研究結果顯示，氮化鎵是一種極為堅固的技術，並且仍在快速改進中。
EPC 致力於讓氮化鎵元件符合嚴格的可靠性標準，並與電力轉換產業分享測試結果。我們會定期向此知識庫新增文件。
擴展 GaN 壽命模型，新增閘極/漏極過電壓數據、脈衝電流額定值，以及針對太陽能、DC-DC 和 LiDAR 應用的特定任務可靠性。
下載第 17 期可靠性報告
記錄了使用測試至失效方法的持續研究，並新增了針對太陽能優化器、LiDAR 感測器和 DC-DC 轉換器的特定可靠性指標和預測。
下載第 15 期可靠性報告
持續評估 eGaN FET，在不同應力條件下的穩健性，並根據加速測試更新故障率預測。重點關注 GaN 器件的實際可靠性經驗。
下載第 8 階段可靠性報告
介紹 eGaN FET 在各種應力條件下的認證測試，包括高溫反向偏壓和高溫閘極偏壓，並使用來自超出正常條件的操作設備的加速因子來預測故障率。
下載第 6 階段可靠性報告
擴展初步發現，提供更多數據，顯示 eGaN 元件在不同電氣及環境壓力條件下的耐用性，包括 HTRB、HTGB、TC、THB、工作壽命、HBM 及 MM ESD 測試。
下載第二階段可靠性報告
介紹 EPC 對增強型 GaN 電晶體的初步可靠性測試，透過廣泛的壓力測試證明其適用於商業應用。
下載第一階段可靠性報告