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宜普電源轉換公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半橋式電晶體,進一步擴展其獲獎的氮化鎵功率電晶體產品系列。
宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增強型單片式氮化鎵半橋元件。透過集成兩個eGaN®功率場效應電晶體而成為單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及空隙,使電晶體的占板面積減少50%。
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宜普電源轉換公司爲功率系統設計師提供一款具備4奈秒上升時間特性的450 V氮化鎵場效應功率電晶體(EPC2027 eGaN®)並面向高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的應用。
宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出450 V並通常處於關斷狀態的增强型功率電晶體(EPC2027),可用於需要高頻開關的應用,從而實現更高的效率及功率密度。受惠於採用高壓並具備更快速開關特性的元件的應用包括超高頻直流-直流轉換器、醫療診斷儀器、太陽能功率逆變器及發光二極管照明等應用。
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EPC2101單片半橋式氮化鎵功率電晶體爲功率系統設計師提供增加效率及增加功率密度的解决方案。氮化鎵元件可推動28 V轉至1 V幷在500kHz頻率開關的全降壓型轉換器可以在14 A輸出電流時實現接近87%系統效率,以及在30 A輸出電流時可以實現超過82%效率。同時,與使用離散元件的解决方案相比,電晶體的占板面積减少50%。
宜普電源轉換公司宣佈推出60 V增强型單片半橋式氮化鎵電晶體(EPC2101)。透過集成兩個eGaN®功率場效應電晶體而成爲單個元件,可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙,使得電晶體的占板面積减少50%。結果是增加效率(尤其是在更高頻率時)及提高功率密度並同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2101 最理想的應用領域是高頻直流-直流轉換。
在EPC2101半橋式元件內,每個元件的額定電壓是60 V。 上面的場效應電晶體的導通電阻(RDS(on))的典型值是8.4 mΩ,下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是2 mΩ。 高側場效應電晶體的尺寸大約是低側元件的四分之一,使得具有高VIN/VOUT比值的降壓轉換器可實現最佳直流-直流轉換效率。EPC2101使用芯片封裝方式以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 毫米,功率密度更高。
開發板
EPC9037是一塊2英寸x1.5英寸的開發板,包含一個EPC2101集成半橋式元件,使用德州儀器公司的閘極驅動器(LM5113)、電源及旁路電容。電路板的布局可實現最佳開關性能並設有多個探孔,使用戶容易測量簡單波形及計算效率。
價格及供貨詳情
購買1000件EPC2101單片半橋式元件的單價爲$6.92美元。EPC9037 開發板的單價爲$137.75美元。以上的産品已經有現貨供應,可透過Digikey公司(http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht購買。
關於氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的設計信息及支持
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術(LiDAR) 及 D類音訊放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。
客戶可以在我們的網頁註冊( http://bit.ly/EPCupdates ),定期收取EPC公司的最新產品資訊。
商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
傳媒聯絡
Winnie Wong ( [email protected])
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氮化鎵(GaN)場效應電晶體隨時準備在電壓調節器及直流-直流電源應用替代矽功率元件。 與矽MOSFET元件相比,氮化鎵電晶體的開關速度快很多及具有更低的導通電阻(RDS(on)),從而可以實現具有更高功效的功率電源,對我們來說是好的。如果你正在使用氮化鎵元件設計功率電路,你必需理解元件的開關速度。
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EPC2105氮化鎵半橋元件爲系統設計師提供更高效及具有更高功率密度的解决方案--推動48 V轉至12 V幷在300kHz頻率下開關的全降壓型轉換器系統可以在10 A輸出電流時實現高達接近98%效率,以及推動48 V轉至1 V幷在300kHz頻率下開關的全降壓型轉換器系統可以在14 A輸出電流時實現84%效率。
宜普電源轉換公司宣佈推出80 V增强型單片式半橋氮化鎵電晶體(EPC2105)。透過整合兩個eGaN®功率場效應電晶體而成爲單個元件,可以除去互連電感及印刷電路板上的空隙、提高效率(尤其是在更高頻率時)及提高功率密度幷同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2105最理想應用於高頻直流-直流轉換及推動從48 V直接轉至1 V系統負載的高效單級轉換應用。
在EPC2105整合式半橋元件內的每一個元件的額定電壓是80 V。上面的場效應電晶體的導通電阻(RDS(on))典型值是10 mΩ,下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是2.3 mΩ。 高側場效應電晶體的尺寸大約是低側元件的四分之一,使得元件在具有高VIN/VOUT比的降壓轉換器中可實現最佳直流-直流轉換效率。EPC2105使用晶片尺寸封裝以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 毫米,功率密度更高。
開發板
EPC9041是一塊2英寸x1.5英寸的開發板,包含一個EPC2105整合式半橋元件,內含德州儀器栅極驅動器(LM5113)、電源及旁路電容。電路板的版圖設計可實現最佳開關性能幷設有多個探孔,使用戶容易測量簡單波形及計算效率。
價格及供貨詳情
批量購買1000個EPC2105單片式半橋元件的單價爲$7.17美元。EPC9041開發板的單價爲$137.75美元。以上兩個産品已經有現貨供應,可透過Digikey公司(http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht)購買。
關於氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的設計信息及支持
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術(LiDAR) 及 D類音訊放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。
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商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
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Winnie Wong ( [email protected])
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宜普公司爲功率系統設計師提供一種上升時間爲2奈秒(ns)幷面向高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的300 V氮化鎵場效應功率電晶體(EPC2025)。
宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出300 V功率電晶體(EPC2025),可用於需要高頻開關的應用,從而實現更高效率及更高功率密度。受惠於更高開關速度的應用包括超高頻直流-直流轉換器、醫療應用的診斷儀器、功率逆變器及照明應用的發光二極管等。
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EPC2100氮化鎵功率電晶體爲系統設計師提供具更高效率及功率密度的全降壓轉換器系統在500 kHz、12 V轉1.2 V、10 A時實現接近93%峰值效率,以及在25 A時效率可高于90.5%。
宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2100- 第一個可供商用的增强型單片式半橋氮化鎵電晶體。透過集成兩個eGaN功率場效應電晶體形成單一元件可以去除互連電感及印刷電路板上的空隙。這樣可以提高效率(尤其是在更高頻率時)及功率密度幷同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。
在EPC2100半橋元件內每一個元件的額定電壓是30 V。 上面的場效應電晶體的導通電阻(RDS(on))典型值是6 mΩ,下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是1.5 mΩ。 高側場效應電晶體的尺寸大約是低側器件的四分之一,具高VIN/VOUT比,在降壓轉換器可取得最優直流-直流轉換效率。EPC2100使用晶片尺寸封裝以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是6 毫米(mm) x 2.3 毫米,功率密度更高。
宜普電源轉換公司創始人兼首席執行長稱「現在設計師可利用氮化鎵技術所帶來的第一個範例 - 單片式eGaN 半橋元件系列,可節省空間、提高效率及降低系統成本。當功率轉換系統延伸至數MHz的領域,集成多個分立器件變得更爲重要以實現高系統效率及高功率密度。」
開發板
EPC9036開發板 的尺寸爲2英寸 乘 2英寸,包含一個EPC2100集成半橋元件,採用德州儀器的閘極驅動器(LM5113)、電源及旁路電容。電路板的版圖設計可實現最優開關性能幷設有多個探孔使得用戶可易于測量簡單的波形及計算效率。
價格及供貨
EPC2100單片式半橋元件的價格在一千批量時的單價爲$5.81美元。
EPC9036開發板的單價爲$137.75美元。
以上産品已經可以供貨,可透過Digikey公司購買,網址爲http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht
關於氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的設計信息及支持
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術(LiDAR) 及 D類音訊放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。
客戶可以在我們的網頁註冊( http://bit.ly/EPCupdates ),定期收取EPC公司的最新產品資訊。
商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
傳媒聯絡
Winnie Wong ( [email protected])
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Long talked about, wide bandgap gallium nitride-on-silicon (GaN-on-Si) transistors are now commercially available. They are being touted for replacing silicon-based MOSFETs, which are turning out to be inefficient for many high-performance power supply designs. Recently, several suppliers of GaN-on-Si-based HEMTs and FETs have emerged in the marketplace, among them Efficient Power Conversion (EPC). To expedite the evaluation of eGAN FETs for power supply designs transitioning from silicon MOSFETs to eGaN FETs, EPC has released several development boards in the last few years.
By Ashok Bindra
Digi-Key Article Library
July 15, 2014
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氮化鎵(eGaN®)功率電晶體繼續爲電源轉換應用設定業界領先的性能基準。由於氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能,因此使得功率轉換器可實現超過98%的效率。
客戶要在Twitter取得這個推文,請在Twitter使用「http://bit.ly/EPCXLPR1407」及標簽「#GaNFET」。
宜普電源轉換公司宣佈推出六個新一代功率電晶體及相關的開發板。這些由30 V至200 V的産品在很多應用可大大降低導通電阻(RDS(on))並可增强輸出電流性能,例如具高功率密度的直流-直流轉換器、負載點(POL)轉換器、直流-直流及交流-直流轉換器的同步整流器、馬達驅動器、發光二極管照明及工業自動化等廣闊應用。
全新氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)及相關開發板
EPC2023 |
30 |
1.3 |
590 |
150 |
EPC9031 |
EPC9018 |
EPC2024 |
40 |
1.5 |
550 |
150 |
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在過去幾年間,無線電源傳送應用逐漸流行,尤其是替可擕式裝置充電的應用。宜普公司在本章討論使用鬆散耦合線圈、高度諧振的無線電源解決方案,符合A4WP標準並適合工作在免執照、給工業、科學及醫療用電器設備(ISM)使用的6.78 MHz或13.56 MHz頻率。
雜誌:Bodo’s Power Systems
作者:Alex Lidow博士及Michael De Rooij博士
2014年5月
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This column evaluated the ability to parallel eGaN® FETs for higher output current applications by addressing the challenges facing paralleling high speed, low parasitic devices, and demonstrated an improved paralleling technique. For experimental verification of this design method, four parallel half bridges in an optimized layout were operated as a 48 V to 12 V, 480 W, 300 kHz, 40 A buck converter, and achieved efficiencies above 96.5%, from 35% to 100% load. The design method achieved superior electrical and thermal performance compared to conventional paralleling methods and demonstrated that high speed GaN devices can be effectively paralleled for higher current operation.
EEWeb
By: Alex Lidow
April, 2014
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宜普公司專家將于三個業界技術研討會演講:第十三屆慕尼克上海電子展 - 國際電力電子創新論壇、IIC電子工程盛會 - 2014年春季論壇及臺灣寬能隙電力電子研發聯盟舉辦的寬能隙電力電子國際研討會。
矽基增強型功率氮化鎵(eGaN®)功率電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將於亞太區業界技術研討會進行三場技術演講。
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由於德國航空太空中心的機械人及機械電子研究院(Robotics and Mechatronics Institute )對改善感測器及功率電子的興趣很大,我們利用開發全新機械人的機會來評估宜普電源轉換公司(EPC)的全新增強型氮化鎵場效應電晶體技術並與我們目前最優秀的逆變器設計進行比較。
雜誌 :Bodo’s Power Systems
作者:德國航空太空中心 (DLR) Robin Gruber
日期:2014年3月
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The quality of sound reproduced by an audio amplifier, measured by critical performance parameters such as THD (Total Harmonic Distortion), damping factor (DF), and T-IMD (Inter-modulation Distortion), is influenced by the characteristics of the switching transistors used. Class-D audio amplifiers typically use power MOSFETs, however, lower conduction losses, faster switching speed, and zero reverse recovery losses provided by enhancement-mode GaN (eGaN) FETs enable a significant increase in the sonic quality, and higher efficiency that can eliminate heatsinks. The result is a system with better sound quality in a smaller form factor that can be built at a lower cost.
EEWeb
By: Alex Lidow
February, 2014
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本章展示氮化鎵場效應電晶體如何推動具高度諧振、鬆散耦合性、工作在6.78 MHz ISM頻帶的無線電源傳送技術,實現高效無線能源傳送,並與工程師分享使用電壓模式D類及E類方法的範例。
EEWeb
作者:Alex Lidow
日期:2014年1月
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本章我們回到討論硬開關轉換器,但不同的是電晶體在更高頻率的條件下工作,超越矽技術的實際限制。
EEWeb
作者: Alex Lidow
2013年12月
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基於40V氮化鎵場效應電晶體(EPC2014)的EPC9005開發板旨在幫助工程師于短時間內設計具備高頻開關性能的電源轉換系統
宜普公司宣佈EPC9005開發板在中國榮獲兩個媒體頒發2013年度獎項,分別為今日電子雜誌頒發2013年度十大電源產品獎的“優化開發獎”及EDN China雜誌頒發2013年度中國創新獎的“優秀產品獎”。
“我們感到非常榮幸我司的產品得到今日電子雜誌及EDN China雜誌頒發業界年度獎項,表彰我們在技術創新方面所做出的努力。基於40 V氮化鎵場效應電晶體(EPC2014)的EPC9005開發板可幫助工程師于短時間內設計具備高頻開關性能的電源轉換系統。EPC9005開發板是一種已製作好及易於連接的開發板,並備有完善歸檔的技術支援資料,使工程師可輕鬆地利用氮化鎵場效應電晶體設計產品。在此我們再次感謝媒體朋友及工程師一直以來對我們的支持!”宜普公司首席執行長
Alex Lidow說。
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在開關頻率10 MHz或以上,電源轉換需要具備高速開關的電晶體並配備在高頻工作的封裝。相比日漸老齡化的功率MOSFET器件,由於氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)提供無可匹敵的器件性能及封裝,因此可以在高頻時提高電源轉換效率。
Bodo’s Power Systems
客席編輯 Alex Lidow
2013年11月
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增強型氮化鎵場效應電晶體商用化已經超過四年,並不斷滲透及進駐本來被矽功率MOSFET器件所壟斷的應用領域。
Power Pulse
作者:Alex Lidow
2013年10月
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宜普公司的增強型氮化鎵場效應電晶體備受推薦,其商用高鉛含量的EPC2801、EPC2815及EPC2818器件現在可以在網上購買。
宜普公司(www.epc-co.com.tw)推出帶高鉛含量焊錫端子的器件,非常適合要求更高焊接溫度的應用。EPC2801、EPC2815及EPC2818器件的焊接端子中鉛含量為95%,而錫含量為5%。
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