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Best Practices for Integrating eGaN FETs

Best Practices for Integrating eGaN FETs

Best design practices utilize the advantages offered by eGaN FETs, including printed circuit board (PCB) layout and thermal management. As GaN transistor switching charges continue to decrease, system parasitics must also be reduced to achieve maximum switching speeds and minimize parasitic ringing typical of power converters.

Power Electronics
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宜普電源轉換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化鎵功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化鎵功率電晶體

宜普公司為功率系統設計師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化鎵功率電晶體(EPC2049),應用於負載點(POL)轉換器、雷射雷達(LiDAR)及具低電感的馬達驅動器。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC2049功率電晶體,應用於負載點(POL)轉換器雷射雷達(LiDAR)波峰追蹤電源D類音頻放大器及具低電感的馬達驅動器。 EPC2049電晶體的額定電壓為40 V、最大導通阻抗為5 mΩ及脈衝輸出電流為175 A。

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宜普電源轉換公司(EPC)產品榮獲《今日電子》/21IC中國電子網 2017年度“Top10電源產品–最佳應用獎”

宜普電源轉換公司(EPC)產品榮獲《今日電子》/21IC中國電子網 2017年度“Top10電源產品–最佳應用獎”

面向全新及目前由MOSFET支援的應用的最新EPC氮化镓(eGaN®)電晶體及積體電路系列,在提升性能及降低成本方面實現質的飛躍。

宜普電源轉換公司(EPC)第五代氮化鎵(eGaN)電晶體及積體電路系列榮獲《今日電子》與21IC中國電子網頒發2017年度“Top10電源產品—最佳應用獎”。該獎項在2017年9月15日於北京舉行的電源技術研討會上頒發。

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一位科學家的自述:曾為世界節省15%的電量,如今找到矽的替代物

一位科學家的自述:曾為世界節省15%的電量,如今找到矽的替代物

這位在40年前成為博士的科學家曾為世界節省了15%電量,如今他正繼續自己的創新之旅,為人類找到了矽的全新替代材料。

我父親常常教導我:一個人的真正價值,是通過他對社會所作出的貢獻來衡量的。 1975年我進入研究生院學習,那時我的興趣在半導體領域,並且認為我對社會最大的貢獻,就是找到可以替代矽的半導體材料。我的研究生畢業課題從圍繞砷化鎵展開,但是直到在1977年獲得博士學位後,我才發現,作為一種半導體材料,砷化鎵受其基本材料特性所影響,它的應用前景非常有限,於是我轉而專注於研究如何製造出更好的矽基器件。

財富中文網 (Fortune China)
2017年6月15日
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EPC公司於PCIM Asia 2017與工程師進行技術交流 -- 如何在高功率、高度共振式無線充電應用中選擇於6.78 MHz工作的放大器拓撲結構

EPC公司於PCIM Asia 2017與工程師進行技術交流 -- 如何在高功率、高度共振式無線充電應用中選擇於6.78 MHz工作的放大器拓撲結構

宜普電源轉換公司(EPC)是矽基增強型氮化鎵場效應電晶體及積體電路的領先供應商,基於eGaN®FET與積體電路 的低成本解決方案是在發射端採用單個功率放大器,而在接收端無論是採用什麼標準,也可以實現無線充電。

我們誠摯邀請工程師蒞臨中國上海,出席於2017年6月28日(星期三)上午11時在上海世博展覽館B2層2號會議室舉行的PCIM Asia 2017研討會(電力轉換與智慧運動研討會)。屆時EPC公司的應用工程副總裁Michael de Rooij博士將分享在高功率、高度共振式無線充電應用中,如何選擇放大器的拓撲結構,從而滿足客戶在產品設計上的要求。

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Wolfram Krueger Joins Efficient Power Conversion (EPC) as Vice President of European Sales

Wolfram Krueger Joins Efficient Power Conversion (EPC) as Vice President of European Sales

Mr. Krueger to direct EPC’s European sales organization and assist customers in adopting eGaN® FETs and Integrated Circuits for leading-edge power conversion systems

EL SEGUNDO, Calif. — June 2017 — To support its accelerating growth, Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce that Wolfram Krueger has joined the EPC leadership team as Vice President of European sales. Mr. Krueger has over 30 years of sales operation experience within the semiconductor industry. His primary responsibilities at EPC are creating and implementing sales and marketing strategies to achieve the company’s sales objectives throughout Europe. He is based in Cologne, Germany.

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宜普電源轉換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化鎵功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化鎵功率電晶體

200 V、25 mΩ氮化鎵功率電晶體(EPC2046)比等效MOSFET小型化12倍,可應用於無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出面向多種應用的EPC2046功率電晶體,包括無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器及具低電感的馬達驅動器。EPC2046的額定電壓為200 V、最大導通電阻(RDS(on))為25 mΩ、脈衝輸出電流為55 A。

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EPC推出影片系列《GaN如何改變我們的生活方式》

EPC推出影片系列《GaN如何改變我們的生活方式》

宜普電源轉換公司(EPC)與工程師分享經過專業製作的6個影片,展示出在最終用戶端的應用,例如無線充電桌面、高性能雷射雷達、48 V–1.8 V DC/DC單級轉換,以及利用氮化鎵電晶體及積體電路實現準確控制的馬達驅動器等應用。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com.tw)製作了6個精簡影片,展示出在最終用戶端採用eGaN® FET及積體電路的應用。這些影片描述氮化鎵技術正在改變我們的生活方式,並挑戰功率系統設計工程師如何在他們新一代的功率系統設計中,發揮高效氮化鎵場效應電晶體及積體電路的優勢。

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宜普電源轉換公司(EPC)發佈第九階段可靠性測試報告,記錄了受测的氮化鎵元件全部通過數百萬個元件-小時的應力測試而沒有發生故障

宜普電源轉換公司(EPC)發佈第九階段可靠性測試報告,記錄了受测的氮化鎵元件全部通過數百萬個元件-小時的應力測試而沒有發生故障

宜普電源轉換公司發佈第九階段可靠性測試報告,記錄受測元件在累計超過900萬個元件-小時的應力測試後,沒有發生故障。該報告聚焦電路板熱機械可靠性,首次描述焊點的完整性的預測模型,以及與可比的封裝元件相比,展示出採用晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)的氮化鎵電晶體具備卓越的可靠性。

宜普電源轉換公司的第九階段可靠性測試報告表明所有受測的元件都通過了嚴謹的熱機械可靠性測試。我們過去已發佈了八份關於產品可靠性的測試報告,第九階段可靠性測試報告進一步累積與氮化鎵技術相關的知識,以及實現我們的承諾,與工程師分享對氮化鎵技術的學習研究。

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How GaN Power Transistors Drive High-Performance Lidar: Generating ultrafast pulsed power with GaN FETs

How GaN Power Transistors Drive High-Performance Lidar: Generating ultrafast pulsed power with GaN FETs

Light detection and ranging (lidar) is a versatile light-based remote sensing technology that recently has been the subject of great attention. It has shown up in a number of media venues and has even led to public debate about the engineering choices of a well-known electric car company, Tesla Motors. While this article is not going to enter the fray, it will provide some background on lidar and discuss its strong connection to power electronics technologies.

Published in: IEEE Power Electronics Magazine ( Volume: 4, Issue: 1, March 2017 )
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EPC eGaN的性能進一步接近完美功率元件的性能

EPC eGaN的性能進一步接近完美功率元件的性能

宜普電源轉換公司(EPC)的第五代(Gen5)產品改善了製程、性能而同時降低可買到的氮化鎵電晶體的成本,以及縮小其晶片和電路板的尺寸。

EPC首席執行長及共同創辦人Alex Lidow與他的團隊再次發揮專業精神,為設計師提供面向全新市場的獨特、可選的、需要比基於矽基元件更高效的功率解決方案。 團隊不僅僅在技術方面各有所長,並深入地瞭解製造工藝的量子力學,從而提高產品性能而同時縮小EPC解決方案的尺寸及降低其成本。

EDN
2017年3月15日
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氮化鎵元件製造商EPC公司在實現替代矽基晶片方面大步向前走

氮化鎵元件製造商EPC公司在實現替代矽基晶片方面大步向前走

3300億美元的矽晶片市場是所有電力電子行業的發展基礎。但成熟技術引發一輪併購後,該業界的發展步伐緩慢下來。

這就是為什麼創新者和主力推動利用氮化鎵替代矽材料的Alex Lidow認為目前是氮化鎵時代。他的宜普電源轉換公司(EPC)推出新一代eGaN晶片,比之前的晶片的尺寸小50%和性能高出很多倍。

VentureBeat
2017年3月15日
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宜普電源轉換公司(EPC)將於APEC 2017國際研討會展示基於eGaN技術的應用如何改變了我們的生活方式

宜普電源轉換公司(EPC)將於APEC  2017國際研討會展示基於eGaN技術的應用如何改變了我們的生活方式

宜普電源轉換公司將於國際著名功率電子與應用研討會(APEC®2017)展示超過25多種基於卓越氮化鎵技術的演示電路,以及它如何改變了我們的生活方式。我們的技術專家將以GaN® FET和集成電路技術爲主題,舉行合共七場技術演講。

宜普電源轉換公司的團隊宜普電源轉換公司的團隊將於2017年3月26日至30日在美國佛羅里達州Tampa舉行的APEC 2017研討會,舉行以氮化鎵(GaN)技術及應用為主題的七場演講。此外,EPC將展示最新的eGaN FET及積體電路,以及分享客戶採用eGaN技術的最終產品。

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與MOSFET相比,基於eGaN FET的開發板展示出eGaN FET具備超快速的轉換速度特性,在自動駕駛車可實現優越的雷射雷達(LiDAR)系統性能

與MOSFET相比,基於eGaN FET的開發板展示出eGaN FET具備超快速的轉換速度特性,在自動駕駛車可實現優越的雷射雷達(LiDAR)系統性能

EPC9126開發板基於具備超快速的轉換速度特性的eGaN®FET,可通過大電流脈衝及低至5 ns的總脈寬來驅動雷射二極體,從而提高雷射雷達系統的偵測資料的質素,包括偵測資料的準確度、精准度及處理速度。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9126評估板。該板是基於100 V大電流脈衝雷射電源設计,可驅動雷射二極體。在自動駕駛車的雷射雷達系統在自動駕駛車的雷射雷達系統中,偵測目標物件的速度及準確性非常重要。EPC9126評估板展示eGaN FET具備快速轉換速度的特性,與等效MOSFET相比,eGaN FET可以高達快十倍的速度提供功率脈衝來驅動雷射二極體,從而提高LiDAR系統的整體性能。

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eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因 – 閘極電壓應力測試

eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因 – 閘極電壓應力測試

本系列的第四章中,我們探討了採用晶圓級晶片尺寸封裝的eGaN元件的熱機械可靠性。同樣重要的是,我們需要瞭解有閘極偏置時,元件有可能發生的故障模式。本章探討氮化鎵(GaN)場效應電晶體的閘極在偏置電壓時失效的物理原因。我們把eGaN FET的閘極控制電壓提升至特定的最大極限值和極限值以上,從而分析該元件在失效前的性能。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年11月29日
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這種推動自動駕駛汽車發展的技術如何在矽基技術以外另闢新路?

這種推動自動駕駛汽車發展的技術如何在矽基技術以外另闢新路?

自動駕駛汽車將來需要基於鐳射感應技術,而這些系統則需要比矽基元件的性能更優越的全新並具備高速開關的電晶體及晶片。

以上是Alex Lidow所聲稱的技術發展進程。Lidow是史丹福大學的物理學家並擁有物理學博士學位、創業家、宜普電源轉換公司(EPC)首席執行長及共同創辦人。該公司的總部位於加州的El Segundo市,是一家利用一種全新材料來製造電晶體及晶片的公司,該材料比矽材料具備更快速開關、更高效及成本更低等優勢。

《財富》雜誌
2016年9月8日
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部落格(4):eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因

部落格(4):eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因

在本系列的第一、二及第三章中,我們詳細講解了關於EPC增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)及積體電路(IC)的現場可靠性及它們被認證通過應力測試。在應用中,我們把元件置於預期的工作條件下並施加應力,其測試結果引證了氮化鎵元件的現場可靠性。同樣重要的是明白eGaN元件固有的物理特性,它如何在被施加應力後並超出預期工作條件時(例如數據表的參數及安全工作區(SOA))而失效。本章將進一步深入探討失效的物理原因 -- 採用晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)的eGaN元件的熱機械可靠性。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年9月7日
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