氮化鎵積體電路：提高伺服器的功效 --不論是大、小規模的數據中心都要面對減低功耗、冷卻及佔用空間等問題，而這些問題也是在伺服器內所面臨及需要解決的問題。有的時候，細微的改變也可帶來重大的效益。

TechBeacon
2016年8月2日
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在本系列的第一及第二章，我們詳細講解了關於EPC的增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN^®FET)及積體電路(IC)的現場可靠性報告。具備優越的現場可靠性的eGaN元件展示出通過基於應力的認證測試可確保客戶的應用也可以非常可靠。本章將闡釋EPC元件在認證之前被置於及通過的各種應力測試。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年7月9日
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人們用矽材料命名了“矽谷”，而矽材料現正面對全新並具有潛力的競爭對手 - 氮化鎵（GaN）材料。有說氮化鎵元件可以取得300億美元的半導體電源供應產業的市場份額。這個市場涵蓋了所有利用牆上的電源插座取得電源的產品—從Apple（AAPL）的iPhone充電器，以至Tesla（TSLA）的豪華電動汽車。

Investor's Business Daily
Allison Gatlin
2016年7月
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美國加州MILPITAS - 2016年5月 25日美通社專訊 --佔領電源管理和精確模擬解決方案的市場領導地位的Intersil Corporation (納斯達克指數NASDAQ代號: ISIL) 宣佈計劃進一步擴大其業界領先、面向衛星應用的耐輻射產品系列，在衛星及其他惡劣環境採用具備高可靠性的氮化鎵（GaN）電源轉換積體電路。

美通社
2016年5月25日
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宜普電源轉換公司（EPC）的增強型氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）及積體電路正在驅動最終用戶應用的發展，包括LiDAR、無線充電、DC/DC電源轉換、射頻發射基站、衛星系統及音訊放大器等應用。

從現場可靠性數據可以確證eGaN® FET及積體電路於客戶應用的品質。在本章節，我們分享eGaN^® FET的可靠性及現場數據的概述，包括在過去六年間我們對量產及已經付運的eGaN產品所收集的可靠性現場數據，以及分析超過170億小時受測元件的現場數據。最後所得的FIT比率(109小時內發生失效的元件)大約是0.24，這是目前最好的現場可靠性測試結果。

Plant Analog
作者：Chris Jakubiec
2016年5月1 日
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採用先進氮化鎵電晶體及積體電路（IC）的功率系統設計工程師現在可以利用互動式、網上參數選型工具，替他們的功率轉換系統找出基於氮化鎵元件的最優解決方案。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出網上氮化鎵（GaN）產品選型及搜索工具。該互動式選型指南為功率系統設計工程師提供以下的優勢：

The demand for information in our society is growing at an unprecedented rate. With emerging technologies, such as cloud computing and the Internet of Things, this trend for more and faster access to information is showing no signs of slowing. What makes the transfer of information at high rates of speed possible are racks and racks of servers, mostly located in centralized data.

EEWeb
Alex Lidow, Ph.D., David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
March, 2016
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全新的EPC2040氮化鎵場效應電晶體（eGaN^®FET）具備超快速開關性能，可以支援需要更高解析度及準確性、使用脈衝式鐳射驅動器的應用，諸如在擴增實景（augmented reality）系統及全自動駕駛汽車中，利用光學遙感技術（LiDAR）、三維感測的導航系統。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2040功率電晶體，它是一種超小型、具備快速開關性能的氮化鎵功率電晶體，面向高速終端應用，可實現優越的解析度、更快速的反應時間及更高準確度。此外，由於在整個工作溫度範圍內，元件具有高準確度閾值，因此當鐳射受熱，可確保系統的穩定性。例如該電晶體在LiDAR技術所採用的脈衝式鐳射驅動器是理想的元件。LiDAR技術是全自動駕駛汽車的導航系統及擴增實景平臺的重要技術。EPC2040的優越性能在這些系統中可以實現更高準確度及解析度。

The combination of lower on-resistance, faster switching speeds, lower thermal impedance, and smaller physical size of eGaN FETs continues to raise the bar for power transistor performance. As GaN technology matures, not only does the performance of these transistors rapidly improve, but significant reductions in cost are also realized. Not only will GaN devices continue to enable new applications, they will replace silicon power transistors in cost-sensitive applications as well. As a matter of fact, the first signs of this happening are already here.

Power Systems Design
By: Johan Strydom, Ph.D.
September 26, 2015
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EPC2037增强型氮化鎵功率電晶體（100 V、1 A、550 mΩ）由一個數字驅動器直接驅動，於採用D類及E類放大器拓撲的無綫充電應用中可以實現高頻開關及特別優越的性能。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com.tw )推出增强型氮化鎵功率電晶體（eGaN^®FET）系列的最新成員 -- EPC2037。

EPC2037（100 V_DS、1 A）非常小型（1.82 mm²）及在閘極上施加5 V電壓時的最大導通阻抗爲 550 mΩ。 由於它具備超高開關頻率、低導通阻抗值、異常低的Q_G值及採用超小型封裝，因此它在電源轉換系統具備高性能優勢。EPC2037由一個數字邏輯集成電路直接驅動，因此不需額外及高成本的驅動器集成電路。

雙路增強型120 V、60 mΩ氮化鎵積體電路(EPC2110)可實現超高頻開關,從而推動採用E類放大器拓撲的無線電源傳送應用實現優越性能。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com.tw )推出增強型氮化鎵IC系列的最新成員-- EPC2110。

EPC2110是一種具有120 V_DS、20 A的雙路共源極元件，它採用非常纖薄的封裝(1.35 mm x 1.35 mm)，於閘極施加5 V電壓時的最高R_DS(on)為60 mΩ。由於EPC2110具備超高開關頻率、超低R_DS(on)、異常低的Q_G及採用非常纖薄的封裝，因此這種氮化鎵IC可以實現高性能。

The trend for electronics is to continually push towards miniaturization while increasing performance. With silicon MOSFET technology fast approaching its theoretical limit, enhancement mode gallium nitride (eGaN^®) FETs from EPC have emerged to offer a step change improvement in power FET switching performance, enabling next generation power density possibilities by decreasing size and boosting efficiency. This article will explore the recommended layout techniques required to fully extract the benefits of EPC’s eGaN FETs.

By: Ivan Chan & David Reusch, Ph.D.
EEWeb –Modern Printed Circuits
August, 2015
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全新eGaN^® FET (EPC2039 eGaN^®)具備優越性能、大功率及採用超小型封裝的優勢，其價格也可以支付得起。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2039功率電晶體。該產品是一種具備高功率密度的增强型氮化鎵(eGaN^®)功率電晶體，其尺寸只是1.82 mm²、80 V_DS、6.8 A及在閘極上施加5 V電壓時的最大阻抗爲 22 mΩ。 由於它在超小型封裝內具備高開關性能，因此它在電源轉換系統具備高性能優勢。

氮化鎵功率電晶體 -- EPC2106爲功率系統設計師提供的解决方案可以在2 MHz以上頻率開關，從而不會干擾AM頻段及降低過濾成本，因此是具備低失真性能的D類音頻放大器的理想選擇。

宜普電源轉換公司宣佈推出單片半橋式增强型氮化鎵電晶體 -- EPC2106。通過集成兩個eGaN^®功率場效應電晶體而成爲一個集成電路可以去除互感及PCB板上元件之間所需的間隙空間，從而提高效率（尤其是在更高頻時）及提高功率密度而同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。

全新EPC2107及EPC2108 eGaN^®功率積體電路包含單片半橋式元件及集成式自舉功能，專爲符合無綫充電聯盟（A4WP）第二及第三級規範的解決方案而設。此外，爲了讓客戶容易對氮化鎵元件進行評估，我們也提供開發板及包含發射器及接收器的無綫電源傳送解决方案。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出內含整合式自舉功能的場效應電晶體的eGaN半橋功率積體電路 EPC2107（100 V）及EPC2108EPC2108 （60 V）。該積體電路去除了由閘極驅動器所引致的反向恢復損耗，也不需高側箝位。這是首次在eGaN功率電路中整合了一個自舉場效應電晶體。

eGaN^®功率電晶體在功率轉換領域繼續實現更高的性能。該電晶體系列具備更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及優越的散熱性能，從而實現具備更高的功率密度的轉換器。

宜普電源轉換公司宣佈推出兩個可以提高電源轉換效率的eGaN FET。這些產品的工作溫度最高達150°C。150 V的EPC2033的脉衝電流爲260 A及200 V的EPC2034的脉衝電流爲140 A。應用範圍包括DC/DC轉換器、DC/DC與AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器、LED照明及工業自動化等應用。

宜普電源轉換公司(EPC)推出採用高性能、寬間距的晶片規模封裝的全新氮化鎵(eGaN^®)功率電晶體，進一步擴大其功率電晶體系列、易於實現高產量並與成熟的製造工藝及組裝生產線相容。

宜普電源轉換公司宣佈推出3個採用具有更寬間距連接的佈局的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）。這些產品採用具有1 mm間距的焊球，進一步擴大EPC的“寬間距”元件系列。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔，使得元件以超小型尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）實現大電流承載能力。

全新eGaN^®功率電晶體系列以MOSFET元件的價格實現更優越的性能、更小的尺寸及高可靠性。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2035（60 V）及EPC2036 （100 V）eGaN功率電晶體，專爲在價格方面競爭而設計並且在性能上超越矽元件。 價格是封阻可替代矽MOSFET元件的氮化鎵（GaN）電晶體的普及化的最後一個壁壘，而價格已經下降。這些全新產品可以替代矽半導體及爲業界續寫摩爾定律的輝煌。

採用全新100 V EPC2104半橋式元件的全降壓轉換器在48 V轉12 V、22 A輸出電流及300 kHz開關頻率下，系統效率可超過97%；而在22 A、500 kHz開關頻率下，系統效率則接近97%。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC2104(100 V)增强型單片式氮化鎵半橋元件。透過集成兩個eGaN^®功率場效應電晶體而成爲單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及所需的空隙，使電晶體的佔板面積減少50%。這樣可以提高效率（尤其是元件在更高頻工作時）及增加功率密度並同時减低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。

全新氮化鎵(eGaN^®)功率電晶體（EPC2029）進一步擴大宜普電源轉換公司的功率電晶體系列 – EPC2029 氮化鎵電晶體使用高效、具有寬間距的芯片規模封裝，可易於實現高産量並與成熟的製程及組裝生産綫兼容。

宜普電源轉換公司宣佈推出採用更寬間距連接的佈局的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）-- 80 V、31 A並具有1 mm間距的焊球的EPC2029電晶體是這種全新産品系列的首個電晶體。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔，使得小尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）的元件可以具備大電流承載能力。