EPC技术文章

GaN 电源解决方案为汽车、机器人等提供支持

EPC 的 GaN 基电源转换解决方案组合,旨在提供高效和高可靠性,已在欧洲国际功率电子会议(PCIM Europe)上展出。

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电子设计
2024年7月

2024年PCIM欧洲展览会:与EPC公司首席执行官Alex Lidow的对话

视频:Alex Lidow 讨论了在 PCIM 会议上展示的电力电子最新趋势,GaN 技术的演变及其对可持续性和能源成本的影响。他还分享了克服技术和监管障碍的见解,并预测了将塑造电力电子市场的未来创新。

电力电子新闻
2024 年 6 月
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氮化镓集成电路简化了人形机器人电机联合逆变器设计

电池供电的应用,如新一代机器人、无人机和电动工具,需要缩小空间并简化设计以控制电动机。优化尺寸和组件可以带来创新解决方案,在不牺牲效率和性能的前提下,在小空间内包含更多功能。EPC ePower™ Stage ICs 技术有助于简化和改进高级电机控制应用中的逆变器设计。

Bodo’s Power Systems
2024年6月
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EPC回应台湾地震后的正常运营情况

我们目前人员均安,厂务正常运作中。各设施经过彻底检查,可安全地持续运营,生产没有中断。供应链也已经过评估,没有受到影响。

如果您有任何问题或疑虑,请随时联系您当地的EPC销售代表

层叠的力量

功率半导体广泛应用于电动出行的各个领域,根据电压和电流的要求,每个部分适合使用不同的技术,而新兴技术正在使得更小的系统得以实现。随着氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)技术的成熟和价格的下降,采用率正在增长,这些技术正越来越多地主导电动出行动力系统和电力系统的设计和开发。

电动出行工程
2024年3月
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专家在APEC 2024上就GaN和SiC发表意见

在这段来自Power Electronics News的视频中,来自半导体公司的几位杰出发言者分享了关于氮化镓和碳化硅基功率器件的突破性发展见解。

氮化镓发言者回答了两个决定宽带隙未来的关键问题:

  1. 基板材料选择对于基于氮化镓的功率器件的重要性。他们详细阐述了这种选择如何影响器件性能、可靠性和可制造性,并讨论了研究人员如何解决与基板相关的挑战。
  2. 氮化镓器件在特定市场领域超越传统硅基解决方案,推动采用并揭示各自公司的技术方向。发言者包括:
    • 罗伯特·泰勒,德州仪器应用工程师/工业应用总经理
    • 迈克尔·德·鲁伊,EPC应用工程副总裁
    • 巴卢·巴拉克里什南,Power Integrations首席执行官

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使用适用于硅MOSFET的控制器和栅极驱动器的GaN FET

氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 已经彻底改变了电力电子行业,提供了比传统硅 MOSFET 更小的尺寸、更快的开关速度、更高的效率和更低的成本等优势。然而,GaN 技术的快速发展有时超越了专用 GaN 门驱动器和控制器的发展。因此,电路设计师经常转向为硅 MOSFET 设计的通用门驱动器,这需要仔细考虑各种因素以确保最佳性能。

Bodo 的电力系统
2024年2月
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PODCAST:用于电机控制和激光雷达应用的GaN

在本期由EPC首席执行官Alex Lidow主持的PowerUP节目中,我们深入探讨了氮化镓(GaN)技术在各种应用中的革命性影响,特别关注电机控制和激光雷达系统。

电力电子新闻
2024年2月
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在农业应用中,GaN电机驱动逆变器的进步正在彻底改变无人机

现代农业技术因无人机(UAV)无人机的整合而发生了革命性的变化,这些无人机是由低电压电池供电的飞机。较小的无人机用于地形测绘和植被监测,而较重、更坚固的型号则用于喷洒和分配肥料和杀虫剂,以及传播种子和饲料,载重可达50公斤。基于GaN的逆变器被证明适用于农业无人机,因为它们通过提高电机效率来延长电池寿命,这得益于具有正弦激励的更高PWM频率。除了效率考虑之外,更高的PWM频率还帮助减少直流链路的尺寸,从而减少逆变器的尺寸和重量,这对于轻型飞机至关重要。

Bodo’s Power Systems
2023年12月
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采用芯片级封装的氮化镓器件热建模

与采用传统硅器件的转换器相比,采用氮化镓基高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有许多材料和性能优势,已广泛用于消费和工业用功率转换领域。氮化镓器件在更高的开关频率下提高了功率转换效率,进而实现更低的系统成本和更高的功率密度。随着功率密度的增加,散热分析和热建模变得至关重要。我们将在本文分享EPC的热量计算器。 EPC公司制造增强型 GaN HEMT 和集成电路,例如支持多种转换器的半桥器件。

Power Electronics News
2023年11月
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高效电力转换公司(EPC Space)的氮化镓(GaN)技术展示了极端的空间任务耐用性

太空探索一直需要最先进的技术、可靠性和韧性。最新的电力电子突破——氮化镓(GaN)技术,作为颠覆者出现,为太空系统提供了优于传统硅MOSFET的卓越辐射耐受性和无与伦比的电气性能。在本文中,我们深入探讨了为什么GaN功率器件是太空中功率转换应用的终极选择,以及它们的抗辐射能力如何使其成为太空任务中极其强大的解决方案。

电子元件
2023年10月
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使用GaN FETs突破48 V到12 V LLC转换器中的5 kW/in³

LLC 谐振转换器由于其高效率、高功率密度和良好的动态响应,已成为48V到12V中间转换的首选拓扑结构。过去已证明这种拓扑结构与GaN晶体管相结合所带来的出色性能。本文展示了EPC等最新一代GaN器件如何继续突破性能极限。

Bodo’s Power Systems
2023年11月
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GaN in Space: Unlocking Efficiency and Performance in Satellite Systems

航天工业正在经历向“新空间”的变革,受到普遍连接需求的增加和创新商业模式出现的推动。这一变革的关键元素之一是氮化镓(GaN)技术在航天应用中的采用。由于其出色的抗辐射能力、高系统效率和轻量化特性,GaN具有巨大的潜力。

在与EE Times Europe的讨论中,Yole Group旗下Yole Intelligence的技术和市场分析师Taha Ayari和Aymen Ghorbel解释了新空间——低地球轨道(LEO)任务段,卫星的典型寿命为三到五年,可靠性要求较低——如何成为GaN应用的焦点。因此,电力GaN器件正在被用于各种卫星系统,包括DC/DC转换器、负载点系统、电机驱动和离子推进器。

EE Times Europe
2023年10月
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氮化镓技术在功率转换领域普及进程的里程碑

影响氮化镓技术在各种电源管理应用中的快速渗透普及有哪些因素?在本文中,我们将深入探讨在过去 13 年中我司访问过、已投入批量生产的客户的反馈。

Power Electronics News
2023 年 10 月
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氮化镓晶体管简化大电流电机驱动逆变器的设计

由电池供电的工业车辆,例如叉车、手动搬运车或仓库内的自动汽车,需要大电流逆变器来驱动电机。 氮化镓技术有助于提高这些应用中的功效和简化逆变器的设计。

Bodo System
2023 年 10 月
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GaN产业版块动荡宜普如何越级挑战?

宜普电源转换公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow表示,GaN的成本竞争力亦与Si MOSFET并驾齐驱,潜在爆发力更有过之而无不及,目前最关键就是得重塑诸多研究者的老旧观念,认为GaN昂贵到碰不得。GaN的技术正迎来转捩点,在先进运算、车用电子、太空电子及消费电子等新型应用设计多数采GaN技术,而非Si MOSFET……

DIGITIMES Asia
2023年9月
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宜普发挥GaN成本优势目标超车Si MOSFET

宜普电源转换公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow接受DIGITIMES专访,提到GaN主要会被应用在650V及以下市场。反之碳化硅则是主导650V以上的市场,它可望取代硅基绝缘栅极双极性晶体管。宜普也在开发对速度及尺寸特性极为要求的400V以下市场。且致力于制造比Si功率元件拥有更高性能、更具成本竞争力的GaN元件。

DIGITIMES Asia
2023年9月
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EPC Space 将 GaN 带到大气层边缘

将GaN带入最后的边疆,EPC Space推出了两款新的辐射加固GaN晶体管,用于空间应用中的高电流开关。随着商业卫星数量的不断增加,设计人员需要更多选项来满足具有改进电流处理能力的空间电力电子设备的需求。

《All About Circuits》
2023年9月
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采用通过单片GaN集成电路提高性能,同时、缩小降低尺寸和降低成本

在功率转换、电机驱动和激光雷达等应用中,15 V至350 V范围内的氮化镓(GaN)异质结场效应功率晶体管显示出比硅具有显著优势的,无论是在效率、尺寸、速度和成本方面。这些优势源于关键电场的数量级比硅高出一个数量级,具体而言,尤其是高三倍的带隙方面有3倍的优势,和高1.3倍的电子迁移率方面有1.3倍的优势。

Bodo’s Power Systems
2023年9月
读过的文章

GaN HEMT 封装改善了空间电力应用中器件的并联能力

随着处理能力的增强和更复杂的负载被放置在轨道上或深空任务中,有时需要并联两个或多个电源开关。然而,传统的电源设备封装,如FSMD-A/B/C/D及其I/O垫片设置,使得在性能敏感的情况下实现这些设备的并联变得困难。当并联时,这些封装上的栅极和源感垫片要么阻挡了从封装到封装的漏极和源极连接的最有效/最短互连,要么阻挡了栅极和源感垫片的连接。因此,在并联配置中,总是在优化漏极-源极负载电路性能和栅极-源感驱动环路性能之间做出妥协。本文介绍了FSMD-G离散HEMT封装,并解释了其I/O垫片的重新配置如何在并联GaN HEMT时克服这些限制。

How2Power
2023年9月
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