El Segundo, CA – May 6, 2024 – Efficient Power Conversion Corp (“EPC”) announced today that the China National Intellectual Property Administration (“CNIPA”) has validated the claims of EPC patent titled “Compensated gate MOSFET and method for fabricating the same” (Chinese Patent No. ZL201080015425.X) for enhancement-mode GaN semiconductor devices.

The decision on April 30, 2024 follows an April 2, 2024 announcement from the CNIPA that confirmed the validity of key claims of EPC’s Chinese patent titled “Enhancement mode GaN HEMT device and method for fabricating the same” (Chinese Patent No. ZL201080015388.2). Both EPC patents were challenged by Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd. (“Innoscience”). 

D級オーディオのリファレンス・デザインEPC9192は、カスタマイズと高性能を実現するモジュラ設計で大出力と高効率を実現します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月9日、大出力で小型、高効率なD級オーディオ

根据国家知识产权局官网20204年4月2日的消息，宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下简称宜普公司）一件名为“增强型GaN高电子迁移率晶体管器件及其制备方法”的专利(专利号ZL201080015388.2)的核心权利要求6、9、10、13、14、17、18、22-26在无效程序（案件编号：4W116775）中被维持有效。该件专利的无效请求人是英诺赛科（苏州）科技有限公司（以下简称英诺赛科公司）。

2024年4月2日の中国国家知識産権局（CNIPA）の公式ウエブサイトの情報によると、申立人の中国Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.（「Innoscience」）が請求した無効手続き中（事件番号：4W116775）のEfficient Power Conversion Corp（以下「EPC」）が所有する「Enhancement mode GaN HEMT device and method for fabricating the same」（特許番号：ZL201080015388.2）というタイトルの中国特許の主要な請求項6、9、10、13、14、17、18、および22～26の有効性が担保されました。

GaNベース・インバータのリファレンス・デザインであるEPC9193は、システム全体のコストを削減すると同時に、モーター・システムの性能、範囲、精度、トルクをすべて向上させます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月19日、eGaN^® FETのEPC9193を使った3相BLDC モーター駆動用インバータ「EPC2619」を製品化したと発表しました。EPC9193は、14 V～65 Vと幅広い直流入力電圧範囲で動作し、標準版と大電流版の2つの構成があります：

Efficient Power Conversion（EPC）は、GaNの信頼性とミッションの耐久性に関する広範な知識ベースに、新たに分かったことを加えたフェーズ16の信頼性レポートを公開します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月12日、フェーズ16の信頼性レポートを公表したと発表しました。このレポートでは、故障するまでのテスト手法を使った継続的な作業を文書化し、過電圧仕様や熱機械的信頼性の向上に関する具体的なガイドラインを追加しています。

EPCは、面積3 mm×5 mmの小型QFNパッケージに封止した耐圧100 V、オン抵抗1 mΩのGaN FETであるEPC2361を製品化し、DC-DC変換、高速充電、モーター駆動、ソーラーMPPT（最大電力点追従）に、高い電力密度を提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月27日、耐圧100 V、オン抵抗1 mΩの「EPC2361」を製品したと発表しました。これは、市場で最も低いオン抵抗のGaN FETであり、当社の前世代品と比べて、電力密度が2倍になっています。

EPCのGaN FETは、米アナログ・デバイセズのドライバとコントローラを活用して、GaNの設計を簡素化し、効率を向上させ、冷却コストを削減し、コンピューティング、産業、民生の各用途向けのDC-DCコンバータの最高の電力密度の実現に貢献します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月13日、当社のGaN FETと米アナログ・デバイセズ（ADI）のコントローラを搭載したリファレンス・デザインの製品化を発表しました。

EPCは、Lidar（光による検出と距離の測定）システムの優れた性能を実現する車載品質AEC-Q101認定GaN FETへの急速な移行を促進する3種のレーザー・ドライバ基板を発売します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2024年1月9日、パルス電流75 A、125 A、231 Aのレーザー・ドライバを搭載した3種の評価基板「EPC9179」、「EPC9181」、「EPC9180」を製品化したと発表しました。いずれも当社の車載品質AEC-Q101認定のGaN FETを搭載しています。搭載したFETは、それそれEPC2252、EPC2204A、EPC2218Aであり、以前の製品よりも30%小型で、費用対効果が高くなります。これらの基板は、長距離および短距離の両方の車載用Lidar（光による検出と距離の測定）システム向けに設計されており、さまざまな入力および出力のオプションを使ってソリューションの評価を迅速化できます。

EPCの窒化ガリウム（GaN）のエキスパートたちが、米国ネバダ州ラスベガスで開催されるコンシューマ・エレクトロニクス・ショー（CES）に参加し、GaNが民生用電子機器の機能と性能の向上をどのように実現するかを示します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®） FETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月13日、CES 2024でGaN技術の可能性を展示し、民生用電子機器の機能と性能の強化におけるその役割をデモすると発表しました。この役割には、高効率、小型、低コストのソリューションへの貢献があります。

PC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月5日、革新的なバルコニー発電設備の設計と製造におけるオーストリアを拠点とするパイオニアであるEfficient Energy Technology GmbH（EET）が、同社の最新のSolMate^®グリーン・ ソーラー・バルコニー製品に、当社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）パワー・トランジスタのEPC2204を選択したと発表しました。EPC2204は、要求の厳しいハードスイッチング用途にとって重要な低オン抵抗R_DS(on)と低出力容量C_OSSの間の最適な妥協点を実現しており、小型パッケージに封止し、ドレイン-ソース間降伏電圧は100 Vです。この小型な設計によって、プリント回路基板のサイズが大幅に縮小され、電流ループが小さく保たれ、電磁干渉（EMI）雑音を最小化できます。

GaNベースのインバータのリファレンス・デザインEPC9194は、モーター駆動システムの効率、範囲、トルクを大幅に向上させると同時に、重さ当たりの出力を2倍以上に高めます。このインバータは、非常に小型なので、モーター・ハウジングへのシームレスな統合が可能になり、この結果、電磁干渉（EMI）雑音が最小限に抑えられ、密度が最も高くなり、重さが最軽量になります。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は10月31日、3相BLDCモーター駆動用インバータのリファレンス・デザイン「EPC9194」を製品化したと発表しました。14 V～60 Vの入力電源電圧範囲で動作し、最大60 Apk（40 A_RMS）の出力電流を供給できます。この電圧範囲と電力レベルによって、このソリューションは、電動自転車、電動キックボード、ドローン、ロボット、DCサーボ・モーターなどのさまざまな3相BLDCモーター駆動に最適です。

EPC9159は、17.5 mm×22.8 mmと超小型の実装面積に収めた1 kW、48 V/12 VのLLC コンバータで、最先端の電力密度5130 W/立方インチを実現します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月12日、高密度の48 Vサーバー電源やDC-DCコンバータ向けに設計した48 V / 12 VのLLCコンバータ「EPC9159」を製品化したと発表しました。このリファレンス・デザインは、17.5 mm×22.8 mmと小さな実装面積で電力密度 5130 W/立方インチが得られ、1 kWの電力を供給できます。これは、1次側回路と２次側回路の両方で高いスイッチング周波数で動作する窒化ガリウム（GaN）・パワー・スイッチを採用することによって実現しています。

Efficient Power Conversion（EPC）は、電力変換ソリューション向けの放射線耐性のある（耐放射線）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、定格62 Aおよび 250 Aの 2種の新しい耐圧40 Vのデバイスを製品化しました。宇宙およびその他の高信頼性の厳しい用途に対応します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は7月18日、定格40 Vの耐放射線（Rad Hard）GaN FET を2品種製品化したと発表しました。「EPC7001」は、実装面積が7 mm²と小さく、耐圧40 V、オン抵抗4 mΩ、パルス電流250 Aの耐放射線GaN FETです。「EPC7002」は、40 V、14.5 mΩ、パルス電流62 Aの耐放射線GaN FETで、実装面積は1.87 mm²と非常に小型です。いずれのデバイスも、ドレイン-ソース間電圧VDSが最大ブレークダウン定格の100%のとき、総線量定格は1000K Rad(Si) 以上で、LET（線エネルギー付与）に対するSEE（シングル・イベント効果）耐性は 83.7 MeV/mg/cm²です。これらの新しいデバイスは、他の耐放射線ファミリーと同様に、チップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ版は、米EPC Space.から入手できます。

2023年7月3日、中国商務省は、今年8月からガリウムやゲルマニウムなどの金属資源の輸出に一定の制限を設けると発表しました。EPCのウエハー技術は、「GaNオン・シリコン」ですが、各デバイスに含まれるガリウムの量は微量です。入手可能なガリウムの供給源は世界中に多くあり、EPCの必要量は比較的少ないため、短期または長期の供給中断はないとみています。

シリコンに代わる次世代技術にスポットライトを当てる事件

（カリフォルニア州エルセグンド） - 窒化ガリウム（GaN）技術の世界的リーダーであるEfficient Power Conversion Corporation（EPC）は本日、自社の基本的な特許ポートフォリオのうち4件の特許に関して、中国のInnoscience(Zhuhai) Technology Company, Ltd.、および、その関連会社（Innoscienceと総称）に対する告訴状を連邦裁判所と米国際貿易委員会（ITC）に提出しました。これらの特許は、EPC独自のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー半導体デバイスの設計および製造プロセスの中核をカバーしています。これらの特許には、GaNベースのパワー・デバイスを、研究プロジェクトから、シリコン・ベースのトランジスタに代わる大量生産可能な大量生産製品へ、および、より高効率、より小型、より低コストのGaNデバイスを備えた集積回路へと発展されることを可能にしたイノベーションが含まれています。

GaNベース・インバータのリファレンス・デザインEPC9186は、大電力用途のモーター・システムの性能、範囲、精度、トルクを強化します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月9日、eGaN^® FETのEPC2302を使った3相BLDCモーター駆動用インバータ「EPC9186」を製品化したと発表しました。EPC9186は、14 Vから80 Vまでの幅広い入力直流電圧をサポートしています。EPC9186の大電力能力は、電動キックボード、小型電気自動車、農業機械、フォークリフト、大電力ドローンなどのアプリケーションに使えます。

EPCと米アナログ・デバイセズは、EPCのGaN FETを駆動するために完全に最適化された新しいアナログ・コントローラを使ったリファレンス・デザインを発表し、効率96.5%以上を達成しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月2日、デュアル出力の同期整流型バック（降圧型）・コンバータのリファレンス・デザイン基板「EPC9158」を製品化したと発表しました。この基板は、スイッチング周波数500 kHzで動作し、48 V～54 Vの入力電圧を、安定化された12 V出力に変換し、1相当たり最大25 A、または、合計連続電流50 Aを供給できます。EPCの超効率GaN FETと、米アナログ・デバイセズの新しい同期整流型GaNバック・コントローラLTC7890との組み合わせによって、高電力密度用途向けの小さなフットプリントで、非常に高効率なソリューションを構成できます。このソリューションは、48 V入力、12 V出力、連続電流50 Aで、効率96.5%を達成しています。

EPCのGaNのエキスパートたちは、PCIM Europe 2023に参加し、さまざまな実際のアプリケーションで最新世代のGaN FETとICを紹介します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウムのFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月25日、5月9日～11日にドイツのニュルンベルグで開催されるPCIM Europe 2023で、GaN技術に関する複数の技術プレゼンテーションを行い、アプリケーションを紹介します（以下の詳細なスケジュールを参照してください）。さらに、展示ホール9、スタンド318で、多種多様なユーザーの最終製品に使われている最新のeGaN^® FETとICをデモします。

Efficient Power Conversion（EPC）は、定格100 Vと200 Vの 2種の新しいデバイスを製品化しました。これによって、電力変換ソリューション向けの耐放射線（Rad-hard）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張したので、多数の過酷な宇宙用途や、その他の高信頼性用途に対応できます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月11日、2種の新しい耐放射線GaN FETを製品化したと発表しました。１つは「EPC7020」で、定格200 V、オン抵抗11 mΩ、パルス電流170 Aの耐放射線GaN FETであり、面積が12 mm2と小型です。もう1つの「EPC7003」は、100 V、30 mΩ、パルス電流42 Aの耐放射線GaN FETで、面積は1.87 mm2と超小型です。いずれのデバイスも、総線量の定格が1000K Rad(Si)以上で、定格ブレークダウンの最大100%のドレイン-ソース間電圧VDSで 83.7 MeV/mg/cm²の LET（Linear Energy Transfer）に対するSEE（シングル・イベント効果）耐性があります。これらの新しいデバイスは、このほかの耐放射線（Rad Hard）ファミリーのEPC7019, EPC7014、EPC7004、EPC7018、EPC7007と共に、商用eGaN^® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ版はEPC Spaceから入手できます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、フェーズ15の信頼性レポートを公開し、GaNの信頼性とミッションの耐久性に関する広範な知識ベースを追加します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月4日、フェーズ 15の信頼性レポートを公開したと発表しました。これは、故障するまでテストするという方法論を使った継続的な作業を文書化し、太陽光発電のオプティマイザ、Lidar（光による検出と距離の測定）用センサー、DC-DCコンバータなどの実際のアプリケーションに対する特定の信頼性の指標と予測を追加しました。