エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）トランジスタは、5年以上も前から市販されています。市販のGaN FETは、最先端のシリコン・ベースのパワーMOSFETよりも、より高性能でより低コストになるように設計されています。この成果は、あらゆる技術が、性能とコストの両方に関してシリコンと対抗してきた60年の歴史で初めてのことであり、これは、尊敬に値するが成熟しているパワーMOSFETの究極の置き換えとなる兆しです。

米EDN誌
Alex Lidow
2015年2月18日

金融情報サービス大手の米ブルームバーグ・ビジネスのAshlee Vance氏がEPC社を分析。シリコンは、いくつかの大きな耐久力を享受してきました。60年にわたって、トランジスタ、すなわち、情報化時代を駆動した小さなスイッチの心臓部で選ばれてきた半導体でした。バレーは、それにちなんで命名されました。数10億ドル規模の大国は、そこから作り出されています。そして今、向うを見ると、シリコンは、最終的に置き換えられる瀬戸際にきているかもしれません。

業界の観点から言えば、技術は、人間に一定の御利益を約束するメリットや能力が得られる限り存在します。とはいえ、主流のシリコンCMOS技術は、そこから徹底的に恩恵を受けている業界に計り知れない利益を与えています。さて、ここで質問です。太陽の輝きは、CMOSの上に降り注ぐ準備ができていますか？　新たに出現したデバイスGaNパワー・チップは、それらを採用するための最後の障害であるコストをノックダウンしています。DesignConでの基調講演によると、このチップは、自動運転車への無線充電や、より効率的なセルラー通信などの幅広いアプリケーションを可能にするでしょう。

EETimes Asia誌
2015年2月

60年ぶりに出現した新しい高性能の半導体技術は、対抗するシリコンよりも安価に製造することができます。窒化ガリウム（GaN）は、トランジスタ性能の飛躍的な向上と、シリコンよりも低コストで製造できることの両方が実証されています。GaNトランジスタは、従来のいかなるトランジスタよりも、高電圧、大電流を高速にスイッチングできる能力によって、新しいアプリケーションへの束縛を解き放ちます。この並はずれた特性は、未来を変えることができる新しいアプリケーションを牽引しています。これは、ほんの始まりにすぎません。

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米EDN誌
By: Alex Lidow
2015年1月

「GaNの利用法」シリーズのこの回では、48 V入力のアプリケーションにおける第4世代eGaN FETについて議論し、チップスケール・パッケージ封止の高耐圧の横型eGaN FETの熱特性を評価します。

米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年12月

テクニクスが帰ってきた。パナソニックは、6年ぶりに、この高く評価されたブランドから最初の新しいハイファイ製品を発表しました。この新しいリファレンス・クラスのシステムは、ステレオ・パワー・アンプ、ネットワーク・オーディオ制御プレーヤ、スピーカ・システムの3つのコンポーネントで構成されています。このアンプは、初期のジッターやニップ・ノイズを除去するJENO（Jitter Elimination and Noise-shaping Optimization）Digital Engine と、周波数位相特性を平坦化するスピーカ負荷適応処理を行うLAPC（Load Adaptive Phase Calibration）を使っています。信号の損失を低く抑え込み、独自のデジタル・リンク入力、アナログXLR入力、アナログRCA入力、バイ・ワイヤリング（Bi-wiring）のスピーカ端子、および、安定化電源（silent linear power supply）を備え、高速スイッチング用のGaNを搭載しています。

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DesignCon 2015の木曜日（1月29日）の基調講演者は、Efficient Power Conversion Corporation （EPC）の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）博士です。Alexの経歴のほとんどは、エネルギーの生産と消費の環境への影響を低減するという望みを持って、電力変換効率を向上させることに集中してきました。米インターナショナル・レクティファイアー社で研究開発エンジニアとして、HEXFETパワーMOSFETを共同で発明しました。この発明による特許は9億米ドル以上をもたらしました。パワーMOSFETと同様にGaN FETでも、基本特許を含めてパワー半導体技術における多数の特許を取得しています。最近では、GaNトランジスタの最初の書籍である「GaN Transistors for Efficient Power Conversion」を共同執筆しました。DesignCon 2015でのAlexの基調講演は、1月29日（木）の午後12時～12時30分に開催されます。

米EDN誌
2014年12月3日
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実用的なワイヤレス・パワー・システムは、このようなシステムの利便性の要素に対応する必要があります。A4WPクラス3などの規格は、利便性の要素に対応しており、アンプの特性を比較するための出発点として使うことができるように、コイルのインピーダンスを広い範囲で定義しています。WiGaNの今回の記事で、ZVSのD級アンプとE級アンプの両方がA4WPクラス3規格に対して6.78 MHzでテストされます。

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窒化ガリウム（GaN） FETは、電圧レギュレータやDC-DC電源において、シリコン・パワー・デバイスを置き換える準備を整えています。GaN FETのスイッチング速度は非常に高速で、オン抵抗R_DS(on)はシリコンMOSFETよりも低くなっています。これは、より高い電力効率の電源の実現につながり、私たちのすべてにとって素晴らしいことです。もし、あなたがGaNデバイスでパワー回路を設計しているなら、デバイスのスイッチング速度を把握することが必要です。

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「GaNの利用法」シリーズのこの回では、鍵となるスイッチングの性能指数FOM（figure of merit）を大幅に改善し、高周波電力変換においてパワーMOFETとの特性の差を広げることで、ムーアの法則が生き続けていることをeGaN FETの新しいファミリーで説明します。

米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年10月

米市場調査会社The Information Networkによると、SiCとGaNのパワー半導体市場は、2011年と2017年の間に年平均成長率（CAGR）63％で成長し、約5億米ドルに達すると予想されています。

米Compound Semiconductor誌
2014年10月
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この記事では、10 MHzでスイッチングするハード・スイッチングのバック（降圧型）・コンバータの結果を示し、コンバータの損失の内訳を説明します。eGaN^® FETを使って、現在利用可能な並ぶもののない高周波特性を実証し、より高いスイッチング周波数へ押し上げるための現在の制約にも焦点を当てます。

米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年8月

ワイド・バンドギャップの窒化ガリウム・オン・シリコン（GaNオンSi）トランジスタは現在、一般に入手できることについての長い話。彼らは、シリコン・ベースのMOSFETを置き換えるためにしつこく売り込んでいます。これは、多くの高性能電源の設計にとって、非効率性からの脱出となります。最近では、GaNオンSiベースのHEMTやFETのいくつかのサプライヤが市場に出現し、その中にEfficient Power Conversion（EPC）社があります。電源設計がシリコンMOSFETからeGAN FETに移行するためのeGAN FETの評価を円滑に行うために、EPC社は、ここ数年の間にいくつかの開発基板を製品化しました。

By Ashok Bindra
Digi-Key Article Library
2014年7月15日
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実用化に近い高耐圧GaNデバイスで、メーカーは、最後に、巨大市場への成長を期待できます。

米Compound Semiconductor誌
2014年7月
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今回は、電力変換システムの設計者が窒化ガリウム・トランジスタの優れた特性を簡単に評価するための手段として設計されたeGaN® FETモジュールを取り上げます。

By: Alex Lidow
2014年6月

全体的にみると、2020年のデバイス市場規模は6億米ドルと推定され、約58万枚×6インチ・ウエハーに換算されます。急増の理由は、2016年が非常に印象的なスタートとなり、電気自動車（EV）／ハイブリッド車（HEV）が2018年～2019年にGaNを採用し始めるというシナリオに基づいて、2020年までの年平均成長率（CAGR）を80％と推定しています。電源／PFC部門が2015年から2018年までのビジネスの主流で、最終的には、デバイス売上高の50％を占めます。その後、自動車が追いつくでしょう。

市場調査会社の仏Yole Développement社
2014年6月
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窒化ガリウム（GaN）ベースのパワー・デバイスは、シリコン・パワー・デバイスの能力を超える周波数とスイッチング速度で動作可能なので急速に採用されてきています。

英Power Electronics Europe誌
By：Alex Lidow博士、Johan Strydom博士、David Reusch博士
2014年6月

市場調査会社の仏Yole Développement社の最新レポートによると、GaNパワー産業は、将来的に大きく成長する準備が整っています。

米Compound Semiconductor誌
2014年6月12日
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EPCのeGaN^® FETであるEPC8000シリーズのような高周波のエンハンスメント・モード・トランジスタは、2013年9月以来、広く利用されており、RF周波数での設計を単純化することができます。今回は、EPC8000シリーズのデバイスのRF特性を説明し、パルス化されたA級アンプへの実装を示します。RFデバイスの消費電力は一般的に、RF電力供給と同じ程度の電力なので、このアンプは、デバイスの熱的動作限界以下での動作を可能にするためにパルス化され、効率95％以上で十分な動作をするEPC8000シリーズのようなスイッチング素子とは異なります。EPC8000シリーズのFETは本来、スイッチングで電力変換する用途向けに設計されていますが、これとは別に、優れたRF特性を示し、結論では、同じような仕様のLDMOSと比較します。

米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年5月29日

数1000億米ドルが、シリコン技術のサプライチェーンを信じられないほど効率的にするために費やされています。新たに出現した高性能GaNトランジスタは、シリコン・ベースの生産のこの巨大な整備された基盤に対して、いかに競合できるか。簡単です。GaNトランジスタの生産は、整備されたシリコン・サプライチェーンを活用できます！　そして、著しくのGaNトランジスタのコストを下げられます。

米Power Systems Design誌
By Alex Lidow博士
2014年5月27日