EPC技術記事

GaNを備えたマルチフェーズのMHzコンバータ

この記事では、6.7 MHzで動作する120 VDC入力を備えた2相DC/DC GaNコンバータを紹介します。120 VDCは、国際宇宙ステーション(ISS)の2次電力システムの標準電圧レベルです。米Tell-i Technologiesの新しく開発されたSDK基板は、GaN FETの高電力密度と超高速スイッチングを使って、通常のスイッチング速度を超えるために2つのフェーズを使います。ISSなどのシステムで使われている標準の120 Vバス電圧をサポートするマルチフェーズ構成によって、インタリーブ・コンバータは3 MHz、5 MHz、および卓越した6.87 MHzで効果的なスイッチングを実現できます。最適で小型なレイアウトは、ゲート駆動回路とパワー・ループを小さくするために、4個のGaNトランジスタEPC2019と2個のゲート・ドライバLMG1210を使って実現しています。

米Power Electronics News誌
2022年4月
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モーター駆動に適用されるGaNのePower集積回路

Efficient Power Conversionによる窒化ガリウム技術に基づく最新のePower™集積回路は、産業用ドローン、電動自転車、電動キックボード、電動工具などのモーター駆動アプリケーションに革命をもたらしています。

独Bodo’s Power Systems
2022年4月
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ワイド・バンドギャップ(WBG)部品は、高効率で省エネのグリーン・ワールドを構築します

ワイド・バンドギャップ(WBG)半導体パワー部品の主流の材料は、炭化ケイ素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)です。それらは、エネルギーの節約と持続可能性に対する意識の高まりと共に、今日、さまざまなパワー・システムのアプリケーションで最も好まれるデバイスになっています。Tech Taipei 2022 ConferenceがWBGをテーマに採用したのはこれが初めてでした。業界の主要なプレーヤーからの講演者が設計、製造、テストの各分野から招待され、会議の400人を超える参加者に最新の技術とアプリケーションのトレンドを紹介しました。

台湾のEE Times Taiwan誌
2022年3月25日
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GaN技術がデータセンターの電力密度を牽引

サーバーが48 Vに移行すると、GaNトランジスタは、今日のシリコンMOSFETを打ち負かし、性能とコストを改善します。

英オンライン・ニュースData Center Dynamics
2022年3月
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GaNのePower Stageを使った1相当たり1 kWの高性能48 V/12 Vコンバータ

自動車のエネルギーは、48 Vバスと12 Vバスの間で交換されるため、48 V/12 Vコンバータは、現代のハイブリッド電気自動車に不可欠です。この2電圧システムは、従来の12 Vシステムに対応し、さらに、真空ポンプや送水ポンプ、電動スーパーチャージャ、ステアリング、オーディオ・システムなどの負荷に48 Vで大電力を供給します。48 V/12 Vコンバータのすべての要求の中で、効率、電力密度、サイズ、コストがリストの上位にあります。この記事では、GaNのePower StageであるEPC23101を使って、これらの設計基準に取り組み、ディスクリートのEPC2206デバイスを使った以前の設計と比較します。

独Bodo’s Power Systems

2022年3月
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EPCのGaN FETを使った電動自転車、ドローン、ロボット向けの低コストでの高性能なモーター駆動性能

GaNベースのインバータ・リファレンス設計のEPC9167は、システム全体のコストを削減すると同時に、モーター・システムの性能、範囲、精度、トルクをすべて向上させます。 このインバータのサイズが非常に小さいため、モーターのハウジングに統合できるため、EMI(電磁干渉)雑音が最小になり、密度が最大になり、重さが最小になります。

米オンライン・ニュースRobotics Tomorrow
2022年3月
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パワー・システムにおけるGaN採用への障害

この記事では、一部のユーザーが古いシリコン・ベースのパワーMOSFETの置き換え技術であることが明らかなものを採用する速度が遅い最も一般的な理由について説明します。詳細な統計に立ち入ることなく、頻度順に理由のリストが導き出されます。このリストは、一部のアプリケーションが他のアプリケーションよりもGaNの特定の特性に重点を置くという理解に基づいています。ここでの説明は、定格電力400 V未満のデバイスに限定されています。これは、Efficient Power Conversion(EPC)のFETとICの各製品のアプリケーションの焦点になっているためです。

米Power Systems Design誌
2022年3月
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DC-DCリファレンス・デザイン基板はイーモビリティがターゲット

窒化ガリウムのスペシャリストであるEPCが米モノリシック・パワー・システムズと共同開発した双方向コンバータは、発表値のピーク効率97%で動作します。

米EETimes誌
2022年2月
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eGaN FETのより良い熱管理

いくつかの簡単な熱管理ガイドラインは、GaN FETから熱を放散することに役立ちます。エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)FETは、形状がすべて小型で、超高速スイッチングと低オン抵抗によって高電力密度を提供します。ただし、これらの高性能デバイスが提供する電力レベルは、極端な熱流束密度によって制限される可能性があります。適切に管理しないと、発生した熱によって信頼性と性能が低下する可能性があります。幸いなことに、eGaN FETのチップスケールのパッケージは、基板側と裏側(つまり、パッケージ)を活用して、熱をよりうまく放散させることができます。

英ニュース・サイト米Power Electronic Tips
2022年2月
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大電力を必要とする負荷を電子化する

この記事では、効率的な48 Vの電力分配のためのGaNを備えた車載用バック/逆ブースト・コンバータの設計と性能について説明します。

英Electronics Today誌
12月/ 1月版
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高効率な48 Vの電力分配向けのGaNを備えた車載用バック/逆ブースト・コンバータ

車載用の48 V電力分配向けの双方向DC-DCコンバータの設計を示し、GaN技術が効率的な電子化を可能にする強力な成功要因であることを示します。自動車産業における電子化の増加傾向によって、自動車メーカーは、費用対効果の高い方法で市場に新しい革命を提供し、ますます厳しくなる排出規制に対応することができます。自動車の主バス電圧を48 Vに上げると、マイルドハイブリッド車のスタート・ストップのモーター/発電機などの電力を大量に消費するシステムや、電動パワー・ステアリング、電動過給機、真空や水のポンプなどの負荷に対応できます。

独Bodo’s Power Systems
2021年12月
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高電力密度用途向けのePowerチップ・セット・ファミリーが独Bodo’s Power Systemの「今月の製品」に

EPCは、高密度コンピューティング用途や、イーモビリティ、ロボット、ドローン向けの48 VのBLDCモーター駆動で使われる48 VのDC-DC変換用に設計された100 V、65 Aの集積回路チップ・セットを製品化しました。eGaN ICのEPC23101とeGaN FETのEPC2302は、最大耐圧が100 Vで、最大65 Aの負荷電流を供給でき、スイッチング速度1 MHz以上のePowerチップ・セットを構成します。

独Bodo’s Power Systems
2022年2月
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CES 2022:次の未来のためのGaN技術

2021年は、世界がGaNへの扉を開くことを決めた過渡期の年でした。CES週間中の米Power Electronics News誌とのインタビューで、GaN業界のエキスパートたちは、GaNが今、シリコンよりも優れていることを確認しました。

米Power Electronics News誌
2022年1月
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モーター制御用途における低電圧GaN FET;問題と利点:総括

モーター制御の分野では、特に低電圧用途でGaNデバイスの利用が増えています。このホワイト・ペーパーでは、モーター制御用途でのGaN FETの最適な利用に関する設計者向けのガイドラインを提供し、その利点を特定し、主な問題について説明します。

スイスのEnergiesジャーナル誌
2021年10月
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より小型、より軽量、より滑らかなモーター駆動向けGaNデバイス

今日、ブラシレスDC(BLDC)モーターとしても知られる永久磁石モーターは、広く使われており、他のモーターと比べて、1立方インチ当たりのトルク能力が高く、動力が大きくなっています。これまで、シリコン・ベースのパワー・デバイスがインバータの電子機器で支配的でしたが、今日、それらの性能は理論上の限界に近づいてきています。そこで、より高い電力密度の必要性が高まっています。窒化ガリウム(GaN)のトランジスタとICは、これらのニーズを満たすための最高の特性を備えています。

米Power Systems Design誌
2021年11月
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宇宙におけるモーター・ドライバの用途

地球の大気の外側や宇宙が商用開発に開かれるにつれて、モーターは、さまざまな機能向けに、そこに配置されたシステムにとってますます重要になるでしょう。宇宙向けの製造は避けられないため、モーター(ドライバを含む)は、さらに多くの機能を果たします。同様に重要なことは、これらのモーターを高効率かつ高信頼性で駆動するために選択されたモーター・ドライバです。

米ニュースサイトComponents in Electronics
2021年10月
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FETのまとめ:eGaN FET、次世代SiC FET、「RibbonFET」が登場

今月は、FETの分野が賑わいました。従来のシリコン・トランジスタとは興味深い点で異なるEPC、米UnitedSiC、米インテルのFETです。

米ニュース・サイトAll About Circuits
2021年10月
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パワー・ブリックはGaNで効率が向上

LLC共振コンバータの設計は、eGaN FETが現代の電源回路の物理的サイズを、いかに小型化できるかを示します。

英ニュース・サイト米Power Electronic Tips
2021年10月
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バッテリー駆動のモーター駆動用途にGaNインバータを利用する

GaNのトランジスタとICは、モーター駆動用途の電力密度を高めます。最適なレイアウト・アプローチによって、レッグ・シャントまたは同相シャントのいずれかから、リンギングのない出力スイッチング波形と、きれいな電流再構成信号が得られます。

米ニュース・サイトEEPower
2021年10月
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GaNを使ったToFレーザー・ドライバのLiDARシステム設計

新しい窒化ガリウム(GaN)のファミリーは、自動運転車や3次元センシング向けの飛行時間(ToF)型アプリケーションを、民生部門や産業部門の全体にわたって供給することを目的としています。EPCのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、米EE Times誌とのインタビューで、LiDARシステム設計用のeToFレーザー・ドライバのファミリーを低コストで導入することが、LiDARアプリケーションに関してMosfetとどのように競合するかに焦点を当てました。

米ニュース・サイトEEWeb
2021年9月
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