このストーリーの13ページ目から始まります。EPCはAPEC向けの最新のGaN開発についてDavid Morrisonと話しました。EPCのCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、自社の新しいパワー段IC、マルチレベル構成を採用したGaNベースのリファレンス・デザインの開発、および、元々、APEC向けだったさまざまなデモについて説明しました。

米How2Power Today誌
2020年4月
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3年前、中耐圧のeGaN FETの製造コストは、同等の定格のパワーMOSFETのコストを下回りました。当時、EPCはeGaN FETの性能とコスト上の利点を利用して、入力または出力の電圧が約48 Vのアプリケーションを積極的に追求することにしました。具体的には、自動車やコンピュータのアプリケーションでは、パワー・システムにおいて、48 V変換が新しいアーキテクチャ、新しい標準になりつつあります。

米Power Systems Design誌
2020年3月31日
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GaNオン・シリコン基板を使って形成した集積回路は、5年以上にわたって製造されています。この究極の目標は、マイクロコントローラからのシンプルなデジタル入力によって、あらゆる条件下で、可能な限り小さなスペースで経済的に負荷を効率的かつ確実に駆動する電力出力を生成する単一のICを実現することです。ディスクリートのパワー・トランジスタは、シリコン・ベースでもGaNオン・シリコンでも、最終段階に入っています。集積化されたGaNオン・シリコンは、必要な作業を大幅に削減し、より小さな実装面積でより高い性能を提供できます。

IEEE Power Electronics Magazine誌
2020年3月
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シリコン・パワーMOSFETは、効率、電力密度、小型形状などの要素がコミュニティの主な要求であるパワー・エレクトロニクス業界の革新的な変化に対応できていません。パワー・エレクトロニクス業界は、シリコンMOSFETの理論的限界に達しているとみており、今、新しい要素に移行する必要があります。窒化ガリウムGaNは、移動度の高いHEMT（高電子移動度トランジスタ）であり、新しい用途に見合った真の付加価値を提供します。

米Power Electronics News誌
2020年3月25日
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オシロスコープのプローブ性能を評価するための超高速、低インピーダンスのパルス発生器の最近の設計によって、EPCのeGaN® FET（EPC2037）を使ったASICエミュレーション用ソケット内の負荷の自由度を判断するため、これらのパワー・デバイスがどれくらい高速か、を明らかにします。

米Signal Integrity誌
2020年3月12日
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窒化ガリウム（GaN）のパワー・デバイスは、2010年3月から量産され、フィールドでの信頼性が優れています。この記事では、部品を故障点までテストすることによって、データシートの制限間のマージン量を理解する方法を詳しく説明しますが、さらに重要なことは、固有の故障メカニズムを理解できることです。本質的な故障メカニズム、故障の根本原因、さまざまな時間、温度、電気的または機械的なストレスにわたるデバイスの動作、および製品の安全な動作寿命を知ることによって、動作条件のより一般的な組み合わせを決定できます。

米Power Systems Design
2020年3月3日
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Alex Lidow（アレックス・リドウ）は、Efficient Power ConversionのCEO（最高経営責任者）です。おそらく窒化ガリウムの最も著名な提唱者であり、2009年に最初のGaNトランジスタを製品化しました。10年にわたる製品販売を踏まえて、独DESIGN＆ELEKTRONIK誌の編集者であるRalf Higgelkeが彼に会い、その分野の最新の進歩について話しました。

独DESIGN＆ELEKTRONIK誌
2020年2月20日
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シリコンが理論的な限界に近づいているため、新しい設計では、GaNデバイスの採用が継続的に進展しています。GaNデバイスは、その進化の初期段階にあり、性能と統合の進展によって、多くの製品が登場しています。

英Electronics Weekly誌
2019年12月
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小型、高速、低コスト、そして高集積のGaNオン・シリコン・デバイスは、さまざまな電力変換用途の設計者から信用を勝ち得ています。この記事では、Alex Lidow（アレックス・リドウ）がGaNのパワー・トランジスタとICを使わずに済ますことが難しくなっている理由を説明します。

英Electronic Specifier誌
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あなたの新しい設計に窒化ガリウム（GaN）・デバイスを使ってもOKです。近年、GaNトランジスタは非常に人気が出てきました。このワイド・バンドギャップ・デバイスは、多くのパワーのアプリケーションでLDMOSトランジスタを置き換えています。例えば、GaNデバイスは、セルラー基地局、レーダー、衛星、その他の高周波アプリケーションで使われる新しいRFパワー・アンプに広く採用されています。一般に、より高い電圧に対応し、ミリ波（mmWave）帯内の周波数で動作する能力によって、ほとんどのアンプ構成で従来のRFパワー・トランジスタを置き換えることができます。

米Electronic Design誌
2019年11月
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この記事では、宇宙空間への旅行を可能にした宇宙船の忘れられた、または、ほとんど気づかれていない部分、つまり、宇宙船のパワー・マネージメント（電源管理）について説明しました。窒化ガリウム（GaN）、炭化ケイ素（SiC）、さらに、ダイヤモンドなどのワイド・バンドギャップ半導体は、シリコンの発見以来、将来の電子部品の最も有望な材料と期待されています。これらの技術は、その設計に依存する電力能力（直流およびマイクロ波）、放射線耐性、高温および高周波の動作、光学特性、さらには低雑音能力という点で大きな利点があります。したがって、ワイド・バンドギャップ部品は、次世代の宇宙搭載システムの開発にとって戦略的に重要です。eGaNデバイスは、宇宙産業で急速に存在感が大きくなっており、NASA、および、Artemis（アルテミス：Advanced Relay and Technology Mission、欧州宇宙機関が開発した衛星間光通信などの高度な通信技術の実証を目的とした試験用の静止データ中継衛星）のような将来のプログラムや世界中の国々での宇宙への取り組みを追求するこの他のプログラムにおける商業的な請負業者によって、このデバイスの多くの用途が生まれてくるでしょう。

米Power Systems Design誌
2019年11月
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GaNとSiCは、価格が下がるにつれて、非常に魅力的になってきています。窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）に基づくパワー半導体の次の波へと展開しているベンダーがあり、市場において、従来のシリコン・ベースのデバイスに対する対決の舞台を設定しています。

米Semiconductor Engineering
2019年10月
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GaNは、かつて多くの業界において不可能と考えられていたことを実現しています。EPCのAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、GaN技術が医学の大幅な進展にどのように貢献しているかを説明します。

オンライン・ポータルの英Electronic Specifier
2019年8月
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48 Ｖの用途に向く性能指数（FOM：figure of merit）を備えたGaNトランジスタは、サイズ、重さ、BOM（部品表）コストの削減を実現できます。この記事では、5相の完全に安定化した双方向の48 V入力、12 V出力のDC-DCコンバータについて説明します。eGaN FETの使用に適した高度な熱管理ソリューションによって、14.5 Vのバッテリーに97.5％を超える効率で3 kWの電力を供給できるシステムが得られます。

米Power Systems Design誌
2019年7月
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小型衛星は、地球低軌道（LEO）のミッションに対して、より費用効果の高いアプローチであり、世界中に低コストのインターネット・アクセスを提供することに貢献します。このアプリケーションでは、耐放射線特性を強化したパルス幅変調コントローラとGaN FETドライバとを組み合わせたGaN FETは、従来のシリコンの対応品と比べて、より高効率なスイッチング、より高い動作周波数、より低いゲート駆動電圧、より小さなソリューション・サイズを実現可能にします。

英Electronics Weekly誌
July, 20192019年7月 記事を読む

今日のGaN FETは、サイズと特性が急速に向上しています。このベンチマーク・デバイスは、まだ、その理論上の性能限界から300倍も離れています。初期のGaNの採用者は、速度が必要でした。大きな例には、自動運転車用Lidar（光による検出と距離の測定）システム、ドローン、ロボット、4G / LTE基地局があります。この量は増えており、今やGaNパワー・デバイスの価格は、より遅く、より大きく、そして老朽化しているパワーMOSFETと同等レベルになっています。そして、GaNの正面攻撃の時が来ました！

独Bodo’s Power Systems
2019年6月
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eGaN FETとICは、その小型、超高速スイッチング、低オン抵抗によって、非常に高電力密度のパワー・コンバータ設計を可能にします。ほとんどの高電力密度コンバータの出力電力を制限する要因は接合部の温度です。このため、より効果的な熱設計が必要になります。eGaN FETとICのチップスケール・パッケージは、6面冷却、すなわち、チップの裏面、表面、側面から効果的に放熱します。この記事では、eGaNベースのコンバータの出力電流能力を強化するための高性能熱ソリューションを紹介します。

米EDN誌
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シリコン・バレーの中心から、新しいは流行語が登場します。窒化ガリウムは、パワー技術の未来です。テク・ブログは、将来のシリコンとして、窒化ガリウムを売り込んでおり、あなたは、そのエントランスに入るために十分、理解しています。窒化ガリウムがいかに重要であるかを知ることは、あなたをよりカッコよく、より良いユーザーにします。あなたが、あなたのグループの最前線にいるのは、あなたがこの新技術を知っているからです。そして、その技術の名は窒化ガリウムです。

米ブログ・サイトのHACKADAY
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EPCの最高経営責任者（CEO）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、彼のGaNデバイスが性能と価格でシリコンを凌駕していると考えている、とRebecca Pool氏は報告しています。

EPCの最高経営責任者（CEO）であるAlex Lidowにとって、今年のPCIM Europe 2019はアプリケーションに絞られました。最終製品の中にある無数のエンハンス・モードGaN FETとICを示し、先進的なコンピューティングや自動車の48 V入力のDC-DC電力変換のために、同社は大きな役割を果たしています。

英Compound Semiconductor誌
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EPC（Efficient Power Conversion）は最近、48 Vのサーバーや自動車のニーズに対応できる100 Vの新しいGaNデバイス2種を製品化しました。私は、プロセッサだけでなく、自動車システムやエネルギー蓄積システム（私の記事である双方向DC / DC電源：私たちはどちらに行くのか？、を参照してください）の双方向電源に対する48 Vサーバー電源ソリューションを、近々、公開される米EDN誌だけの記事で調べる予定です。GaNパワー・トランジスタは、この種のアーキテクチャの一部として「必須」です。私の視点からすると、これ以上良い選択肢はありません。

米Planet Analog誌
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