Efficient Power Conversionは、GaNベースのデバイス開発の最前線にいます。このビデオでは、EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）がAlix Paultre氏と、GaNベースのデバイスが提供する利点を強調したこの展示会におけるさまざまなデザイン・インについて話します。

米Embedded Computer Design誌
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EPCのCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、APEC 2019のRidley Engineeringブースで、シリコンが死んだというタイトルのプレゼンテーションを行いました。

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PSDtvのこのエピソードでは、Efficient Power Conversion（EPC）の最高経営責任者で共同創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、米国カリフォルニア州アナハイムで開催されたAPEC 2019において、GaNオン・シリコン・デバイスが、なぜ今、シリコンを滅亡させるのかを説明します。

米Power Systems Design誌のビデオPSDtv
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問題がパワー半導体、すなわちトランジスタ、ダイオード、または集積回路のパッケージに向けられると、常に、改善の要求は6つの分野に分類されます。

1. パッケージを小型化できますか？
2. パッケージのインダクタンスを減らすことができますか？
3. 導通損失が小さい製品を作ることができますか？
4. パッケージの熱効率を高めることができますか？
5. より低価格で製品を売ることができますか？
6. パッケージの信頼性の高くできますか？

この記事では、GaNオン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスのパッケージに焦点を当てます。これは、パワー・システムの設計者が、効率と電力密度を高めると同時に、システムのサイズとコストを削減するために最も強く求めていることです。

新しいコンバータ構成とパワー・トランジスタが、次世代人工知能（AI）のプラットフォームを動かすだろう電源のサイズを小型化し、効率を高めると断言できます。48 V入力のすべての回路構成において、最高の効率はGaNデバイスを使うことによって得られます。これは、容量が小さくサイズが小さいためです。GaNパワー・トランジスタの最近の低価格化に伴って、シリコン・ベースのコンバータとのコスト比較は今、すべての最先端のソリューションにおいてGaNが非常に優勢になりました。

米オンライン・ニュースPower Electronic Tips
2019年3月
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ＧaN技術は、伝統的なシリコン技術に挑戦することができる地点まで成熟してきました。窒化ガリウム（GaN）・オン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスは、2010年に製品化されて以来、多くの新しいアプリケーションを実現可能にしてきました。Lidar（光による検出と距離の測定）、包絡線追跡、ワイヤレス・パワーなどの新しい市場は、GaNの優れたスイッチング速度によって出現しました。これらの新しいアプリケーションは、強力なサプライチェーン、低い生産コスト、そして、ねたまれるほどの素晴らしい信頼性記録の確立に貢献してきました。これらすべてが、DC / DCコンバータ、AC / DCコンバータ、自動車などのアプリケーションにおける保守的な設計技術者に評価作業を始めさせるための十分な動機になっています。この記事では、この採用率の急速な拡大につながる要因を探ります。

米Electronics Weekly誌
2019年1月
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先週、中国のAnker社は、非常に小さな新しいパワー・ブロックを披露し、シリコンの代わりに使う部品：窒化ガリウム（GaN）を使って小型化できることを証明しました。この透明なガラスのような材料の人気が高まっている最新の例です。これは、いつの日か、シリコンを退席させ、世界中のエネルギー使用を削減することができます。

米ニュース・サイトThe Verge
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高効率な電力変換のために設計された窒化ガリウム（GaN）のパワー・トランジスタは、7年の間、生産されています。GaNの優れたスイッチング速度によって、光による検出と距離の測定、包絡線追跡、無線充電などの新しい市場が生まれました。これらの市場は、GaN製品が大量生産、低製造コスト、そして信頼性の評判を得ることを可能にしました。これらのすべてが、dc-dcコンバータ、ac-dcコンバータ、自動車などのアプリケーションにおいて、より保守的な設計技術者が評価プロセスを始めるために十分なインセンティブとなっています。そして、120億米ドル規模のシリコン・パワーMOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）市場に転換するための残った障壁は何ですか？　つまり、自信です。設計技術者、製造技術者、購買管理者、上級管理者がすべて、GaNが新しい技術を採用するリスクを相殺して余りある利点を提供すると確信する必要があります。サプライチェーンのリスク、コストのリスク、信頼性のリスクの3つの重要なリスク要因を見てみましょう。

IEEE Spectrum誌
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LiDARシステムがさらに高性能な仕様を満たすためには、大電流パルスで高速にスイッチングできなければなりません。ここで、窒化ガリウムのパワー・スイッチが助けになります。

米Electronic Design誌
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LIDARは現在、主に車両、ロボット、ドローン、および、その他の移動機械のための自動運転ナビゲーション・システムで広く採用されていることから、大きな関心を集めています。 eGaNデバイスは、形状が小型で手頃な価格の高性能LIDARを可能にする主な要因の1つであり、LIDAR革命の強い追い風となっています。

米EDN誌
By John Glaser
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近年、GaNベースの電力変換は、従来のSiトランジスタを上回るeGaN FETの本質的な利点によって人気が高まっています。コンバータの設計をSiからGaNに移行すると、システム内のすべての部品を検討が要求される多くのシステム・レベルの改良が行われます。この傾向は、GaNベースの設計をサポートするパワー・エレクトロニクスのエコシステムの拡張に拍車を掛けて続けることになります。

米ニュース・サイトPower Systems Designs
By Edward A. Jones, Michael de Rooij, and David Reusch
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ワイヤレス・パワーの充電は、APEC 2018の展示フロアにあったさまざまなソリューションの議論で大きなポイントでした。以下の無線充電ソリューションは、戦略上の独自の視点を持っていました ―― 私がここ数日にわたって見たものをご覧ください。

米ニュース・サイトEDN Network
By Steve Taranovich
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このビデオでは、EPCの創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、米国テキサス州サンアントニオで開催されたAPEC 2018のEPCブースで、GaNベースのソリューションのさまざまなデモについて米Power Electronics News 誌編集長のAlix Paultre氏に説明しました。高周波動作やその他の先進的な特性でシリコンを超える優位性によって、GaNは、LIDAR（光による検出と距離の測定）からワイヤレス・パワー伝送に至るまでのアプリケーションを強化できます。このブースの展示には、リアルタイムのLIDARデモから、稼働中の「ワイヤレス・デスク」まで、これらの例があります。

米Power Electronics News誌
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LiDAR（光による検出と距離の測定）は、関心のある必要な範囲にわたってパルス光を送信できるレーザー（またはアレイ）と、反射信号分析用の高速、低雑音の受信器で構成されています。この光の一部は、対象物の反射率に従って受信器に反射または散乱されて戻ります。

米EDN Network誌
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Alex Lidow（アレックス・リドウ）とMichael de Rooij、David Reusch、John Glaserのチームは今朝、プロフェッショナル・エンジニア（PE）の聴衆に素晴らしいテクニカル・チュートリアルを実施しました。この話題は、非常にタイムリーな「GaN FETとICの性能の最大化、MOSFETの単なる置き換えではない」でした。

米Planet Analog誌
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ゲーマーは、Efficiency Power Conversion（EPC）のCEO（最高経営責任者）で、パワーのパイオニアであるAlex Lidow（アレックス・リドウ）によって伝道された窒化ガリウム（eGaN）チップの微細な点は気にしないかもしれません。しかし、彼らは、これらのチップが、これまでよりもはるかに小さい電源を備えた新世代ゲーム機を可能にすることには気になるでしょう。

米ニュース・サイトVenture Beat
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今週、宇宙旅行関連の2つの話題が私の机上に現れました。1つは、主要な国際的なヘッドラインとして突然出現し、もう1つは、私の電子メール画面に極めて静かに表れました。

このヘッドラインになった話題は、イーロン・マスク氏がCEO（最高経営責任者）を務める米スペースXが、ダミー・ドライバ（人形）を乗せた米テスラのスポーツ・カーを搭載したロケットの打ち上げ成功したこと。2つ目は、宇宙用途に適した窒化ガリウム技術についてでした。

米ニュースサイトElectro Pages
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ISL7002xSEH GaN FET とISL70040SEHローサイドGaN FETドライバが、打ち上げ機および人工衛星の電源供給を実現

先端の半導体ソリューションの主要サプライヤであるルネサスエレクトロニクス（本社：東京都江東区、証券コード：6723）は2月7日、宇宙産業初となる、耐放射線パッケージの窒化ガリウム（GaN）電界効果トランジスタ（FET）およびローサイドGaN FETドライバを発表しました。新製品は、打ち上げ機と人工衛星ならびにダウンホール掘削や高信頼性工業用途の1次および2次DC/DCコンバータ電源に使用可能です。これらのデバイスは、フェライト・スイッチ・ドライバ、モータ制御ドライバ回路、ヒータ制御モジュール、埋め込みコマンド・モジュール、100Vおよび28V電力調整、ならびに冗長スイッチング・システムを駆動します。

プレスリリース掲載ウエブサイトの米ビジネスワイヤ
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最良の設計手法は、プリント回路基板のレイアウトや熱管理も含めて、eGaN FETの利点を利用しています。GaNトランジスタのスイッチング電荷が削減され続けるにつれて、システムの寄生要素も低減されなければなりません。これによって、最大スイッチング速度が得られ、パワー・コンバータで一般的な寄生のリンギングを最小化できます。

米Power Electronics誌
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開発者は、より安全で自律性の高いクルマに必要な機械を学ぶ作業に努力しています。しかし、クルマが不十分なセンサーに頼っているならば、世界中のすべてのAI（人工知能）は十分ではありません。クルマのカメラが対向車を正確に識別しなかったことが一因で発生した1件の致命的な米テスラ社のクルマのクラッシュで実証されたことは明らかです。スマート自動車が周囲の物体、特にクルマが「脅威」と認識しているものの信頼できるモデルを確実に認識するためには、ほとんどの場合、1個以上のlidar（光による検出と距離の測定）か、レーザー・ベースのリモート・センサーが必要です。

技術情報サイトの米Extreme Tech
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