60年ぶりに出現した新しい高性能の半導体技術は、対抗するシリコンよりも安価に製造することができます。窒化ガリウム（GaN）は、トランジスタ性能の飛躍的な向上と、シリコンよりも低コストで製造できることの両方が実証されています。GaNトランジスタは、従来のいかなるトランジスタよりも、高電圧、大電流を高速にスイッチングできる能力によって、新しいアプリケーションへの束縛を解き放ちます。この並はずれた特性は、未来を変えることができる新しいアプリケーションを牽引しています。これは、ほんの始まりにすぎません。

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米EDN誌
By: Alex Lidow
2015年1月

テクニクスが帰ってきた。パナソニックは、6年ぶりに、この高く評価されたブランドから最初の新しいハイファイ製品を発表しました。この新しいリファレンス・クラスのシステムは、ステレオ・パワー・アンプ、ネットワーク・オーディオ制御プレーヤ、スピーカ・システムの3つのコンポーネントで構成されています。このアンプは、初期のジッターやニップ・ノイズを除去するJENO（Jitter Elimination and Noise-shaping Optimization）Digital Engine と、周波数位相特性を平坦化するスピーカ負荷適応処理を行うLAPC（Load Adaptive Phase Calibration）を使っています。信号の損失を低く抑え込み、独自のデジタル・リンク入力、アナログXLR入力、アナログRCA入力、バイ・ワイヤリング（Bi-wiring）のスピーカ端子、および、安定化電源（silent linear power supply）を備え、高速スイッチング用のGaNを搭載しています。

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窒化ガリウム（GaN） FETは、電圧レギュレータやDC-DC電源において、シリコン・パワー・デバイスを置き換える準備を整えています。GaN FETのスイッチング速度は非常に高速で、オン抵抗R_DS(on)はシリコンMOSFETよりも低くなっています。これは、より高い電力効率の電源の実現につながり、私たちのすべてにとって素晴らしいことです。もし、あなたがGaNデバイスでパワー回路を設計しているなら、デバイスのスイッチング速度を把握することが必要です。

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米市場調査会社The Information Networkによると、SiCとGaNのパワー半導体市場は、2011年と2017年の間に年平均成長率（CAGR）63％で成長し、約5億米ドルに達すると予想されています。

米Compound Semiconductor誌
2014年10月
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全体的にみると、2020年のデバイス市場規模は6億米ドルと推定され、約58万枚×6インチ・ウエハーに換算されます。急増の理由は、2016年が非常に印象的なスタートとなり、電気自動車（EV）／ハイブリッド車（HEV）が2018年～2019年にGaNを採用し始めるというシナリオに基づいて、2020年までの年平均成長率（CAGR）を80％と推定しています。電源／PFC部門が2015年から2018年までのビジネスの主流で、最終的には、デバイス売上高の50％を占めます。その後、自動車が追いつくでしょう。

市場調査会社の仏Yole Développement社
2014年6月
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窒化ガリウム（GaN）ベースのパワー・デバイスは、シリコン・パワー・デバイスの能力を超える周波数とスイッチング速度で動作可能なので急速に採用されてきています。

英Power Electronics Europe誌
By：Alex Lidow博士、Johan Strydom博士、David Reusch博士
2014年6月

APEC 2014が終わりました。今年、米テキサス州フォートワースで開催されたIEEEパワー・エレクトロニクス会議では、印象に残るものが多くありました。その1つは、窒化ガリウム（GaN）・パワー・トランジスタが、興味深い方法で発展していることです・・・。

Electronic Design誌
2014年3月
http://electronicdesign.com/blog/pmbus-gan-and-more-dominate-apec-2014

商用のDC-DCアプリケーションにおいて、MOSFETの置き換えとして窒化ガリウム（GaN）・デバイスを製品化して以来、3年が経ちました。GaNデバイスの出現によって、これまでMOSFETベースのFETでは達成できなかったアプリケーションが実現可能になると共に、ほとんど想像もつかず、利用されなかった潜在的な新しいアプリケーションを利用可能にするために、GaNデバイス開発者にとって好都合な舞台が設定されています。

EETimes Asia誌
2013年5月16日
http://www.eetasia.com/ART_8800684828_480200_TA_f13f883a.HTM

Gallium Nitride transistors have been available since Eudyna and Nitronex first introduced depletion-mode RF transistors in about 2005. Since then many new companies have entered the field with both RF transistors (e.g. RFMD, Triquint, Cree, Freescale, Integra, HRL, M/A-COM, and others), and transistors designed to replace power MOSFETs in power conversion applications (e.g. Transphorm, International Rectifier, GaN Systems, microGaN, and Efficient Power Conversion). This article discusses if this ground swell of activity mean that GaN transistors are ready to replace power MOSFETs, and, if so, why?

By Alex Lidow, Ph.D., CEO, EPC
Power Pulse.Net

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Due to its advantages GaN will probably become the dominant technology. GaN has a much higher critical electric field than silicon which enables this new class of devices to withstand much greater voltage from drain to source with much less penalty in on-resistance.

By Alex Lidow, PhD
Bodo’s Power Systems
June, 2010

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For the past three decades, Silicon-based power management efficiency and cost have shown steady improvement. In the last few years, however, the rate of improvement has slowed as the Silicon power MOSFET has asymptotically approached its theoretical bounds. Gallium Nitride grown on top of a silicon substrate could displace Silicon across a significant portion of the power management market.

By Alex Lidow, PhD
Power Electronics Europe
Issue 2, 2010

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