米オンライン・ニュースサイトHow2Powerの先月のSafety＆Complianceコラム「WBG Semiconductorsでは、モーター駆動用途で安全性とEMI（電磁干渉）雑音の課題を提起します」 [1] において、Kevin Parmenter氏は、モーター駆動用途の大市場におけるパワー半導体であるSiC、および、それほど広まってはいませんがGaNの利用の難しさについていくつかの主張をしました。この解説は、そのコラムへの回答であり、GaNが低電圧の統合されたモーターにおいて、ゲームを変えるものになる可能性があることを示しています。

米オンライン・ニュースサイトHow2Power
2021年2月
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窒化ガリウム（GaN）デバイスは、小さな形状で高性能を提供し、効率を高め、48 Vの電力変換用途のシステム・コストを削減します。それらは、高密度コンピューティングや多くの新しい自動車用パワー・システムの設計に大量に採用されています。

英Electronic Specifier誌
2021年2月
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半導体の標準的な品質認定テストでは通常、データシートに指定されている制限、またはその近くで、デバイスに長期間または特定のサイクル数のストレスを加えます。品質認定テストの目標は、テストされた部品の大規模なグループの故障をゼロにすることです。部品を故障する所までテストすることによって、データシートの限界間のマージン量を理解することができますが、さらに重要なことは、半導体の固有の故障メカニズムを理解し、見るつけることができることです。

米IEEE Power Electronics Magazine誌
2020年12月
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GaNパワー・デバイスを大量に使う自動車アプリケーションは、自動運転車用Lidar（光による検出と距離の測定）です。Lidar技術は、クルマの周囲に関する情報を提供するため、安全性と性能を確保するために、高い精度と信頼性が要求されます。この記事では、Lidarの特定の使用例について、AEC（Automotive Electronics Council）の品質認定要件を超えてeGaNデバイスをテストするために、EPCによって開発された新しいテスト・メカニズムについて説明します。

米Power Systems Design誌
2020年12月
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窒化ガリウム・パワー・デバイス技術は、これまでに達成できなかったより高い周波数、より高い効率、およびより高い電力密度で動作する宇宙での新世代のパワー・コンバータを可能にします。GaNパワー・デバイスは、デバイスの設計によって、シリコンMOSFETと比べて優れた放射線耐性が得られる可能性があります。

英Power Electronics Europe誌
2020年12月
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GaN技術は、大幅に改善されており、MOSFETの置き換えに最適なコストに達しました。2017年以降、48 V入力のDC-DCコンバータでのGaNの採用率は、市場で重要な暗示的な意味合いを帯び始めました。マルチフェーズやマルチレベルのバック（降圧型）などのさまざまな回路構成が、IT市場や自動車市場のエネルギー需要に応えるためのより高効率な新しいソリューションを提供しています。

米Power Electronics News誌
2020年11月
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窒化ガリウムFETは、パワー・エレクトロニクスの多くのアプリケーションで牽引力となり続けていますが、GaN技術はまだ、ライフ・サイクルの初期段階にあります。FETの基本的な性能指数FOM（figure of merit）を改善する余地はたくさんありますが、さらに有望な手段はGaNパワーICの開発です。

独Bodo’s Power Systems
2020年11月
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人工知能の究極の目的は、機械が自律的に動作する能力を備えることです。今後10年間で、指数関数的に成長すると予測されているそのような分野の1つは、自動運転車です。人口知能と、エレクトロニクスやコンピュータの技術の急速な進歩が相まって、無人運転という言葉が、まもなくこの道を引き継ぐでしょう。

米AI Time Journal誌
2020年10月
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シリコン・ベースであろうと、GaNオン・シリコンであろうと、ディスクリート・パワー・トランジスタは最終章に入っています。GaNオン・シリコンの集積回路は、大幅にコストを低減し、必要な作業を減らし、より小さな実装面積で、より高い性能を提供します。この記事では、GaNの浮上が電力変換をどのように再定義しているかについて詳しく説明します。

独Bodo’s Power Systems
2020年10月
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半導体の標準的な認証試験では通常、デバイスのデータシートで指定された制限値またはその近くで、長期間、または特定のサイクル数のストレスをデバイスに加え、故障ゼロを実証します。故障する所まで部品を試験することによって、データシートの制限を超えるマージン量を理解することができますが、さらに重要なのは、半導体の本質的な故障メカニズムを理解することができるということです。

独Bodo’s Power Systems
2020年9月
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シリコン・パワーMOSFETは、効率、電力密度、小型形状などの要素がコミュニティの主な要求であるパワー・エレクトロニクス業界の革新的な変化に対応できていません。シリコンMOSFETは、パワー・エレクトロニクスの理論上の限界に達しており、基板スペースが限られているため、パワー・システムの設計者は代替品を必要としています。窒化ガリウム（GaN）は、高電子移動度トランジスタ（HEMT）半導体であり、新たに出現したアプリケーションに真の付加価値を提供しています。

米EETimes誌
2020年8月
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窒化ガリウムは、内燃エンジンから電気自動車やスマート・カーへの移行を支援しています。

米Power Systems Design誌
2020年7月／8月号
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この最初のエピソードでは、ゲストはEfficient Power Conversion Corp.のCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）と、米NexGen Power Systemsの共同CEOであるDinesh Ramanathan氏です。EPCとNexGenはいずれも、窒化ガリウム技術とGaNパワー・デバイスに関する専門知識を持っています。米EETimes誌は、技術とGaNパワー・デバイスの市場の両方について語っています。

米EETimes誌
2020年8月
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窒化ガリウム（GaN）のパワー・デバイスは2010年3月から量産されており、優れたフィールド信頼性の記録を樹立しています。GaNパワー・デバイスを大量に使う自動車アプリケーションは、自動運転車向けLidar（光による検出と距離の測定）です。Lidar技術は、車両の周囲に関する情報を提供するため、安全性と性能を確保するには高い精度と信頼性が必要です。この記事では、Lidarの特定のユース・ケースに対する車載用電子部品信頼性の標準化団体であるAECの認定要件を超えてeGaNデバイスをテストするために、Efficient Power Conversion（EPC）が開発した新しいテスト・メカニズムについて説明します。

ベルギーのeeNews Europe誌
2020年7月30日
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人生の現実と同じように、高齢者がより若い人たちの中心ステージを去るときのように、シリコンがお辞儀をします。古くて信頼性の高いシリコンは徐々に引退し、窒化ガリウム（GaN）の登場と採用によって引き継がれてきています。40年以上にわたって、パワーMOSFETの構造、技術、および回路構成の革新が増大する電力ニーズに対応していたため、パワー・マネージメント（電源管理）の効率とコストは着実に改善されてきました。しかし、新しいミレニアムでは、シリコンのパワーMOSFETが理論上の限界に近づくにつれて、改善率は劇的に鈍化しました。同時に、新しい材料であるGaNは、老朽化したシリコンMOSFETの6000倍、現在市場に出ている最高のGaN製品の300倍という理論的な性能限界に向けて着実にその旅を続けて進化しています。

米オンライン・ニュースEEWeb
2020年7月16日
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D級オーディオに関する米オンライン・ニュースEEWorldの「バーチャル・ラウンドテーブル」のこのパート2では、パネリストが窒化ガリウム（GaN）の出現がD級の設計に及ぼす影響について詳しく説明します：シリコン・デバイスはまだ支配的なところはどこですか？　D級アンプでGaNを使うことの性能上の利点は何ですか？　D級アンプにおいて、GaNとシリコンの予想される将来のトレンドは何ですか？　このバーチャル・ラウンドテーブルの参加者は、米アナログ・デバイセズのオーディオ・システム・アーキテクトJoshua LeMaire（JL）、Efficient Power Conversion のストラテジック・テクニカル・セールス部門バイス・プレジデントSteve Colino（SC）、独インフィニオン テクノロジーズのD級オーディオのアプリケーション・エンジニアリングの責任者Jens Tybo Jensen（JTJ）です。

米オンライン・ニュースEEWorld Online
2020年7月
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GaNパワー・トランジスタは、極めて厳しい宇宙ミッションをサポートするためのパワーやRFの用途に対して理想的な選択肢です。米EPC Space社は、新しいeGaN^®ソリューションによって宇宙の商用衛星の厳しい用途向けに特別に設計されたデバイスに対して、耐放射線特性やSEE（シングル・イベント効果）の耐性を保証します。これらのデバイスは、非常に高い電子移動度と、非常に低いオン抵抗R_DS(on)値と共に小さい温度係数を備えています。

米EETimes誌
2020年7月
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GaN FETを使った大出力1/16ブリック・コンバータは、これらの設計で最大負荷電流を増加させる可能性があります。

英Electronics Specifier誌
2020年7月
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エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）技術は、これまで実現できなかった高周波、高効率、高電力密度で動作する宇宙での新世代のパワー・コンバータを可能にします。 eGaNデバイスは、シリコンMOSFETと比べて、優れた耐放射線性も示します。

独Bodo’s Power Systems
2020年6月
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これらのチップが根付いている理由と、まだ対処する必要があるもの。窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC）のパワー・デバイスのサプライヤは、いくつかの新しい印象的な仕様で製品の次の波を広げています。しかし、これらのデバイスがシステムに組み込まれる前に、それらが信頼できることを証明する必要があります。

米Semiconductor Engineering
2020年6月
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